Эпитаксиальные слои GaInNAs были выращены методом металлорганической газофазной эпитаксии. Структура четверных сплавов изучалась методами рентгеновской дифракции и вторичной ионной масс-спектрометрии. Оптические свойства слоев изучались методами фотолюминесценции и фототоковых измерений. Были выращены слои GaInNAs, совпадающие по параметру решетки сGaAs. При расхождении параметров решетки менее чем 10-4 слои имели хорошую фотолюминесценцию, в то время как при большем несоответствии фотолюминесценция затухлала.
Данильцев В.М., Гапонова Д.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Пряхин Д.А., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 13

Исследованы рентгеновская дифракция, электрические и магнитные свойства слоев GaSb : Mn, нанесенных на GaAs (100) методом осаждения из лазерной плазмы в вакууме. Показано, что пленки, нанесенные при 200-440oC, являются эпитаксиальными мозаичными монокристаллами. Легированные Mn слои (до ~4 ат%Mn) имели концентрацию дырок выше 1·1019 см-3. Структуры с GaSb : Mn, выращенные при 200oC, имели аномальный эффект Холла. Bcлоях GaSb : Mn, выращенных при 440oC, наблюдался нормальный эффект Холла, а их отжиг импульсом лазера (длина волны lambda=0.68 мкм, длительность 25 нс) вызвал увеличение концентрации дырок и появление аномального эффекта Холла при комнатной температуре. Магнитные СВЧ измерения подтвердили ферромагнетизм пленок до 293 K и позволили выявить анизотропию магнетизма.
Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Дроздов Ю.Н., Лесников В.П., Подольский В.В. Свойства слоев GaSb : Mn, полученных осаждением из лазерной плазмы // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 8

Исследована зависимость фотолюминесценции электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs от концентрации фоновой примеси углерода NC (3·1015=< NC=< 4·1016 см-3) при 77 K. Установлено, что плотность электронно-дырочной плазмы, составляющая ne-h~1.1·1016 см-3 при интенсивности возбуждения 6·1022 квант/см2·с в кристаллах с минимальной концентрацией примеси, существенно уменьшается при увеличении NC в исследованном интервале. Снижение плотности электронно-дырочной плазмы с ростом NC связывается с влиянием флуктуаций концентрации NC, обусловливающих неоднородное распределение взаимодействующих носителей заряда и локализацию дырок в \glqq хвостах\grqq плотности состояний валентной зоны.
Коваленко В.Ф., Шутов С.В. Фотолюминесценция электронно-дырочной плазмы вполуизолирующем нелегированном GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1423

Приводятся результаты наблюдения индуцированного излучения образцов CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью импульсного Nd : YAG-лазера при температуре T~77 K. Вдиапазоне длин волн lambda~3300-3600 нм наблюдалось как стимулированное, так и спонтанное излучение. Приводятся экспериментальные спектры излучения. Обсуждаются свойства спектров изучаемых образцов, а также возможные применения.
Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Котков А.П., Моисеев А.Н., Гришнова Н.Д. Индуцированное испонтанное излучение структур CdxHg1-xTe вдиапазоне 3.2-3.7 мкм при77 K // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1419

Представлены исследования основных зонных параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe--- основным материалом для инфракрасной фотоэлектроники в диапазонах 3-5 и8-14 мкм.
Горбатюк И.Н., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко И.М. Hg1-x-y-zCdxMnyZnz&#92;kern -0.5ptTe: новая альтернатива Hg1-xCdxTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1414

Проведены измерения электропроводности и термоэдс в жидком теллуре с примесями переходных 3d-металлов в широком температурном интервале (от1700 K до кристаллизации) под давлением аргона (до25 МПа). Показано, что примесиTi, V, Cr, Mn уменьшают электропроводность и незначительно увеличивают теромоэдс, а примесиFe, Co, Ni иCu увеличивают электропроводность и незначительно уменьшают термоэдс. При уменьшении электропроводности в области выше 1200 K термоэдс остается практически постоянной. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели s-d-гибридизации. Для описания рассеяния электронов в таких системах использована процедура Фриделя-Андерсона, базирующаяся на идеях о существовании виртуальных связанных состояний.
Склярчук В.М., Плевачук Ю.О. Электропроводность итермоэдс жидкого теллура спримесями переходных 3d-металлов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1409

Изучены особенности фотофизических свойств и механизм фотогенерации носителей заряда в супрамолекулярных полиамидиновых структурах, являющихся, как было показано ранее, перспективным классом материалов для создания светочувствительных и электролюминесцентных систем. На основе анализа спектральных, полевых, температурных и концентрационных закономерностей изменения светочувствительных и люминесцентных свойств показано, что процесс фотогенерации носителей заряда в исследованных системах описывается моделью Пула-Френкеля, учитывающей сильные взаимодействия и коллективные эффекты в супрамолекулярной системе, возникающие за счет формирования упорядоченной сетки водородных связей между функциональными группами полимера.
Александрова Е.Л., Дудкина М.М., Теньковцев А.В. Механизм фотогенерации носителей заряда вполиамидиновых супрамолекулярных структурах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1325

Исследованы светочувствительные свойства нанокомпозитов в системе \glqq органический комплекс переходного металла\grqq в матрице SiO2. Показано, что светочувствительность нанокомпозита определяется валентностью и потенциалом ионизации атома металла и для комплексаCu+ она составляет (3-8)·104 см2/Дж (квантовый выход фотогенерации носителей заряда равен 0.03-0.05), а для комплексаRu2+--- 5·103 см2/Дж. Возможность варьирования за счет структуры комплексов металлов величины светочувствительности и люминесценции тонких пленок нанокомпозитов на основе этих комплексов, а также увеличение квантового выхода фотогенерации путем введения в структуру нанокомпозита транспортных молекул позволяет надеяться на создание на их основе светочувствительных материалов и электролюминесцентных устройств.
Александрова Е.Л., Химич Н.Н. Светочувствительные свойства тонких полупроводниковых пленок нанокомпозитов на основе металлорганических комплексовCu+иRu2+ // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1321

Рассмотрены результаты исследования дозовых зависимостей кривых затухания фосфоресценции при рентгеновском возбуждении люминесцентной керамики ZnS-Cu до и после облучения протонами с энергией 50 МэВ. Экспериментально обнаружено аномальное изменение показателя гиперболы кривых фосфоресценции при увеличении величины накопленной светосуммы. На основе анализа полученных данных установлено, что в затухании участвуют два процесса: мономолекулярный, характеризующийся кинетикой 1-го порядка, и бимолекулярный механизм, которому отвечает кинетика 2-го порядка. На центрах безызлучательной рекомбинации, индуцированных протонным облучением, происходят переходы носителей, делокализовавшихся с ловушек, рекомбинация которых на центрах свечения в процессе затухания описывается кинетикой 2-го порядка.
Кучакова Т.А., Весна Г.В., Макара В.А. Влияние протонного облучения накинетику затухания фосфоресценции керамики ZnS-Cu // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1316

Легирование нитрида галлия (GaN) примесями Eu, Sm, Er производилось с помощью метода диффузии. Поведение редкоземельных примесей (образование донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне GaN) коррелирует с суммарной концентрацией дефектов, определяемых оптическими методами измерений, положением уровня Ферми в исходных и легированных кристаллах. Интенсивность линий излучения, характерных для внутрицентровых f\kern-1pt-\kern-0.5ptf-переходов редкоземельных ионов, определяется суммарной концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице.
Криволапчук В.В., Кожанова Ю.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М., Родин С.Н., Юсупова Ш.А. Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) ввюрцитных кристаллах GaN // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1308