Исследовано влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на транспортные и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов. Показано, что наибольшее влияние диффузии Te из подложки наблюдается в эпитаксиальных слоях твердых растворов толщиной 1-2 мкм. Вданных образцах при освещении их светом в области собственного поглощения возникает большой сигнал фотоэдс.
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Липаев А.Ф., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П. Влияние диффузии Te изподложки n-GaSb : Te насвойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных вприсутствии свинца // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 327

The IR spectra of all three Si isotopes in the form of bulk single crystals (28Si with enrichment more as99.9%, 29Si and 30Si with enrichment more than90%) has been studied at T=300, 17 and5 K in spectral range 550-1200 cm-1. IRactive local vibrational modes(LVM) of the Si-12C centered at 605 cm-1 and of Si-16O-Si quasi-molecules in region of1136 cm-1 for all Si isotopes in comparison withSi of natural isotopic composition as well as its isotopic shift at300 and17 K have been determined. The dependence of shape of antisymmetric stretching vibration band of 28Si-16O-28Si in spectrum of28Si on spectral resolution has been studied. The perspectives of generalization ofIR spectroscopy method for determination of carbon and oxygen impurities inSi of natural isotopic composition to mono-isotopicSi have been discussed.
Sennikov P.G., Kotereva T.V., Kurganov A.G., Andreev B.A., Niemann H., Schiel D., Emtsev V.V., Pohl H.-J. Spectroscopic parameters ofLVM absorption bands of carbon andoxygen impurities in isotopic enriched silicon 28Si, 29Si and30Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 320

Исследованы порошки сульфида цинка, термолегированные галлием. Рассмотрены механизмы диффузии Ga в порошках ZnS в зависимости от плотности упаковки частиц порошка. Сэтой целью часть исследуемых порошков ZnS гранулировалась в таблетки. Установлено, что легирование галлием порошков ZnS протекает более эффективно при условии уплотнения порошка. Обнаружена электролюминесценция ZnS, легированного Ga.
Бачериков Ю.Ю., Кицюк Н.В., Оптасюк С.В., Стадник А.А. Влияние уплотнения на люминесцентные свойства порошков ZnS : Ga // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 316

Методами электропроводности и резерфордовского обратного рассеяния исследовано накопление дефектов в GaAs при импульсной (taup=1.3·10-2 c, скважность100) и непрерывной имплантации ионов32S, 12C и4He при комнатной температуре в диапазонах E=100-150 кэВ, Phi=1·109-6·1016 см-2 иj=1·10-9-3·10-6 А·см-2. Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении.
Ардышев М.В., Ардышев В.М., Крючков Ю.Ю. Накопление радиационных дефектов варсениде галлия приимпульсном инепрерывном облучении ионами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 313

С использованием распределения Гиббса получена зависимость концентрации промежуточного зарядового состоянияSn3+ двухэлектронных центров олова вPbS от корреляционной энергии. Показано, что такое состояние олова не может быть обнаружено с помощью мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn (из-за недостаточной чувствительности), однако оно может проявиться в температурной зависимости концентрации дырок в твердых растворах Pb1-x-ySnxNayS).
Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. Статистика электронов вPbS сU-центрами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 309

Представлены новые результаты исследования оптических свойств арсенида кадмия. Наиболее достоверные спектры отражения со сложной поляризованной структурой были получены благодаря использованию совершенных кристаллов и прецизионной спектральной техники. Спектры отражения полиморфных модификаций alpha''-Cd3As2 (пространственная группаD154h) и alpha'-Cd3As2 (пространственная группаD114h) измерены при комнатной температуре и температуре жидкого азота в поляризованном свете ( E normal c, E|| c) в интервале энергий падающего света 1-5 эВ. Впервые обнаружена анизотропия спектров отражения для alpha'-модификации. Проведено сравнение полученных данных с известными экспериментальными и теоретическими результатами.
Козлов А.И., Соболев В.В., Князев А.Ф. Спектры отражения двух полиморфных модификаций арсенида кадмия // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 305

Для идентификации оптических переходов, за счет которых в одноосно-сжатом германии, легированном галлием, возможно возбуждение длинноволнового стимулированного излучения, исследованы спектры поглощения и фотопроводимости этого материала в широком интервале давлений в направлениях[111] и[001]. Установлена зависимость величины расщепления ветвей легких и тяжелых дырок в германии от приложенного давления. Определенные из этой зависимости константы деформационного потенциала для валентной зоны оказались меньше принятых ранее значений. Установлено, что некоторые уровни возбужденных состояний примеси галлия при возрастании давления достигают зоны легких дырок, затем входят в зону и остаются вблизи ее края (резонансные состояния). Возможно, что инверсное заселение этих резонансных состояний приводит к возбуждению стимулированного излучения с энергией фотонов около10 мэВ. Особенностей в спектрах у края зоны тяжелых дырок, подтверждающих существование резонансных состояний примеси в этой области энергий, не обнаружено.
Покровский Я.Е., Хвальковский Н.А. Спектроскопия германия, легированного Ga, при одноосном сжатии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 197

Исследовано влияние импульсного токового отжига на электропроводность, концентрацию, подвижность дырок и пьезосопротивление в поликристаллическом кремнии. Отжиг проводился последовательностью импульсов тока, что позволило уменьшить величину порогового тока. После импульсного отжига наблюдается рост подвижности при неизменяющейся концентрации дырок, а также уменьшение по абсолютной величине коэффициентов продольной и поперечной тензочувствительности. Уменьшение коэффициентов тензочувствительности в результате импульсного отжига не может быть объяснено в рамках существующей модели токового отжига.
Гридчин В.А., Любимский В.М. Влияние импульсного токового отжига наэлектрофизические характеристики поликристаллического кремния p-типа // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 192

Методом спектроскопии фотоотражения исследован процесс активации примеси в кристаллаx InP, имплантированных ионами Be+ с энергией 100 кэВ и дозой 1013 см-2 иподвергнутых термическому отжигу в течение10 с. При температурах отжига до 400oC в спектрах отсутствуют линии, характерные для кристаллическогоInP, что свидетельствует о разупорядочении кристаллической решетки вследствие ионной имплантации. При температурах отжига 400--700oC в спектрах наблюдаются линии, связанные с фундаментальным переходом InP (1.34 эВ) и переходом между зоной проводимости и спин-орбитально отщепленной подзоной валентной зоны (1.44 эВ), что указывает на восстановление кристаллической структуры. Для образцов, отожженных при температуре 800oC, в спектре фотоотражения наблюдаются осцилляции Франца-Келдыша, что свидетельствует об активации примеси. По периоду осцилляций определена концентрация свободных носителей, которая составила 2.2· 1016 см-3.
Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. Исследование активации примеси вInP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 189

Electronic band-structure calculations have been performed for zinc-blende AIIIBV (AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaP, InP, InAs, InSb) and AIIBVI (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe) semiconductors by the ab initio pseudopotential method within the local-density approximation (LDA). The lattice parameters, band gaps, Luttinger parameters, momentum matrix elements and effective masses are studied in detail. It is shown that LDA calculations cannot give accurate band parameters systematically. It is found that LDA band parameters calculated using the experimentally determined lattice constants are more accurate than those using the LDA lattice constants. We found that inclusion of d-electrons of group-II atoms into the core gives more accurate band parameters.
Karazhanov S.Zh., Lew Yan Voon L.C. Abinitio studies of band parameters of A IIIB V and A IIB VI zinc-blende semiconductors // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 177