По температурным и полевым заввисимостям коэффициента Холла RH выявлено, что образцы n-CdxHg1-xTe с низкой концентрацией электронов, как правило, компенсированные, и степень компенсации нарушается при термоконверсии проводимости образца в p-тип. Вобразцах CdxHg1-xTe n-типа проводимости по зависимостям удельного сопротивления от температуры rho(T) определена энергия ионизации донорного уровня: Ed=24-32 мэВ. Вэтих же образцах после термоконвертирования (p-типа) определены энергии ионизации акцепторов, связанных с двукратно заряженными вакансиями V++Hg: Ea=32 и48 мэВ. Кроме того, обнаружен глубокий уровеньEt неизвестной примеси, имеющей амфотерный характер, c Et-Ev~0.7Eg.
Бирюлин П.В., Кошелева В.И., Туринов В.И. Исследование электрофизических свойств CdxHg1-xTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 784

В образцах кристаллического германия, анизотропия проводимости в которых создана одноосной деформацией сжатия, исследована фотопроводимость с применением поляризационной модуляции излучения. Полученные этим методом спектральные характеристики представляют зависящие от энергии разности величин фотопроводимостей, возбужденных линейно поляризационным светом с периодически изменяющимися в пространстве поляризациями по отношению к оптической оси кристалла. Врезультате феноменологического анализа спекральных характеристик фотоплеохроизма установлено, что она состoит из 3сомножителей. Показано, что с помощью дополнительного измерения производной фотопроводимости или проведения математической обработки характеристики становится возможным ее разложение на сомножители. Проведение процедуры по одной из этих методик позволило определить величину анизотропии коэффициента поглощения и ее спектральную характеристику.
Матяш И.Е., Сердега Б.К. Анализ поляризационно-модуляционных спектров индуцированного одноосным сжатием фотоплеохроизма вкристаллеGe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 684

Синтезированы растворимые ароматические полиимиды, мономерные звенья которых содержат алкил- и(или) арил-замещенные дифенилметана как в диаминной, так и диангидридной компоненте полимеров, и выполнены исследования светочувствительных свойств полиимидов. Показано, что исследованные полиимиды значительно превышают по светочувствительным свойствам полиимиды на основе иных известных многоядерных диаминов. Собственная светочувствительность исследованных полиимидов находится на уровне ~ 105 см2/Дж в видимой области спектра. Полимеры характеризуются высокой светочувствительностью и высокой поляризуемостью молекул, что делает их интересными с точки зрения перспектив применения в качестве регистрирующих сред.
Александрова Е.Л., Носова Г.И., Соловская Н.А., Ромашкова К.А., Лукьяшина В.А., Конозобко Е.В., Кудрявцев В.В. Светочувствительные полиимиды, содержащие в цепи замещенные дифенилметановые фрагменты // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 678

Рассчитаны спектры поглощения GaAs, возбужденного мощными короткими импульсами света. \glqq Выступ\grqq на спектрах обусловлен отклонением функции распределения электронов от фермиевской. Возмущение функции распределения связано с LO-фононной релаксацией электронов между состояниями, участвующими в формировании \glqq дыры\grqq в области усиления и выступа в области поглощения. Показано, что температура оптических фононов, определяющих релаксацию фотовозбужденных электронов, отличается от решеточной, а время залечивания возмущения фермиевской функции распределения за счет межэлектронных столкновений почти равно характерному времени взаимодействия электрона с оптическими фононами.
Алтыбаев Г.С., Броневой И.Л., Кумеков С.Е. Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 674

Исследован длинноволновый край спектра излучения фотовозбужденной горячей электронно-дырочной плазмы, возбуждаемой импульсами неодимового лазера в арсениде индия. Экспериментально показано, что практически экспоненциальная форма длинноволнового края спектра не меняется в исследованном интервале мощностей возбуждения до 1-2 МВт / см2. Сохранение неизменным показателя экспоненты показывает, что заполнение состояний LO-фононов при росте мощности возбуждения меняется несущественно, т. е. ансамбль LO-фононов еще не \glqq разогревается\grqq. Определена \glqq температура\grqq фононов и показано, что она повторяет температуру кристаллической решетки. Отсутствие разогрева фононов объясняется сильным e-h взаимодействием и экранированием LO-рассеяния энергии электронов.
Шатковскис Э., Чеснис А. Длинноволновый край спектра излучения горячей электронно-дырочной плазмы вфотовозбужденном арсениде индия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 670

Исследовались образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. На основе анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей токаtau, удельного сопротивленияrho, концентрацииp и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tann высказано предположение, что многокомпонентные комплексы V3+O или V2+O2 не являются рекомбинационными центрами. Глубокие доноры с энергетическими уровнями Delta Ei=Ev+0.40 эВ, комплексы типа V3+O3 или V3+O2 влияют на величиныmuH иtau. По кривым изохронного отжига определены энергии активации отжига Eann для таких дефектов, как K-центры, межузельный углерод Ci, комплексы V+B, V2+O2, дивакансииV2, а также для дефектов с уровнями Delta Ei=Ev+0.20 эВ, которые равняются Eann=0.9, 0.25, 1.6, 2, 1.54 и2.33 эВ соответственно.
Пагава Т.А. Исследование рекомбинационных центров воблученных кристаллахp-Si // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 665

Проведен анализ спектров (T=4.2 K) экситонной люминесценции полуизолирующих кристаллов GaAs сразличными концентрациями мелких акцепторов(С) идоноров(Si). Это позволило найти при температуре жидкого гелия коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими нейтральными акцепторами [bA0X=(4±2)·10-8 см3/с] и донорами [bD0X=(1.5±0.8)·10-7 см3/с], а также оценить коэффициент захвата свободных экситонов мелкими ионизированными донорами (bD+X>> bD0X).
Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Стрильчук О.Н. Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами варсениде галлия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 563

Получены эпитаксиальные слои InAs, легированныеMg методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и изучены их электрические свойства. Легирование магниемInAs во время роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений позволяет получить сильно компенсированный p-InAs с предельной концентрацией дырок p~ 2· 1018 см-3 и с низкой подвижностью носителей (mu~ 50 см2/В · с при T=300 K). При слабом уровне легированияMg кристаллизуются слои InAs n-типа проводимости с высокой подвижностью по сравнению с нелегированными слоями n-InAs за счет связывания нейтральных примесей магнием.
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П. Выращивание илегирование магнием слоевInAs методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 556

Фононные спектры кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма свидетельствуют о существовании фонон-поляритонов, обусловленных поляризацией валентных электронов, вызывающей смягчение поперечной и увеличение жесткости продольной моды оптических колебаний кристаллической решетки. Легирование сплавов висмут-сурьма акцепторной примесью олова приводит к сближению энергии плазменных колебаний свободных носителей заряда и энергии продольных оптических фононов. Вэтом случае поведение диэлектрической функции описывается в рамках модели, соответствующей возбуждению плазмон-фонон-поляритонов.
Степанов Н.П. Плазмон-фонон-поляритоны влегированных акцепторной примесью сплавах висмут-сурьма // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 552

Исследованы температурная зависимость электропроводности и вольт-амперные характеристики кристаллов MnIn2Se4. Показано, что ток внелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен полевым эффектом. Определены энергии активации носителей тока и концентрации ловушек. ВMnIn2Se4 наблюдалась релаксация тока современем.
Нифтиев Н.Н., Алиджанов М.А., Тагиев О.Б., Мамедов Ф.М., Мурадов М.Б. Электрические свойства MnIn2Se4 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 550