Полуэмпирическим методом сильной связи исследованы примеси переходных металлов вкарбиде кремния, замещающие атомы кремния. Показано, что обменное расщепление изменяет порядок следования уровней и приводит квыполнению правила Гунда для основных примесей. Получена слабая зависимость эффективного заряда примеси от ее зарядового состояния. Расчетные энергии хорошо согласуются сэкспериментальными данными.
Парфенова И.И. 3d-примеси замещения вкубическом карбиде кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 194

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 73As(73Ge) установлено, что сверхпроводящий фазовый переход втвердых растворах (Pb1-xSnx)1-zInzTe (температура фазового перехода~4 K) сопровождается возрастанием электронной плотности вкатионных узлах, тогда как ванионных узлах изменения электронной плотности не наблюдается.
Немов С.А., Серегин П.П., Волков В.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В. Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар вполупроводниковых твердых растворах (Pb1-xSnx)1-zInzTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 190

Втвердых растворах Bi2Te3-xSex (x=0.06,0.12), легированных оловом, исследованы удельная электропроводность sigma11, коэффициенты Зеебека S11, Холла R321 и Нернста--Эттингсгаузена Q123 в диапазоне 77-400 K, а также однородность кристаллов с помощью микротермозонда при комнатной температуре. На температурных зависимостях кинетических коэффициентов наблюдаются особенности, характерные для резонансных состояний. Эти данные свидетельствуют в пользу существования примесных состоянийSn, расположенных на фоне валентной зоны. Для кристаллов твердых растворов с уровнем Ферми, стабилизированным на энергетическом уровне примесных состоянийSn, наблюдается повышенная электрическая однородность и улучшенное распределение компонентов по объему.
Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е., Мюллер Е. Примесные состояния олова втвердых растворах Bi2Te3-xSex (x=0.06,0.12) // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 186

Проведено феноменологическое описание пьезорезистивных свойств пленок поликристаллического кремния с помощью тензоров эластосопротивления и пьезосопротивления в квадратичном приближении, учитывающее симметрию пленки. Получены формулы для вычисления коэффициентов пьезосопротивления 2-го порядка поликремниевых пленок для некоторых текстур и изотропии через коэффициенты пьезосопротивления 2-го порядка монокристаллического кремния. Наблюдается удовлетворительное согласие экспериментальных и рассчитанных коэффициентов пьезосопротивления в области сильного легирования.
Гридчин В.А., Любимский В.М. Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 179

Вобласти температур 4.2-300 K выявлен значительный вклад в суммарную магнитную восприимчивость CdTe<Ge> ванфлековского парамагнетизма, обусловленный присутствием заряженных межузельных атомовTe и донорно-акцепторных пар типа VTeGei. Присутствие особенности на зависимостиchi(T) при 50 K вызвано изменением зарядового состояния межузельного Tei, вклад которого начинает конкурировать с диамагнитным вкладом, индуцированным движением вакансий по замкнутым траекториям в виде шестигранных колец. Вполях до0.15 Тл во всех образцах наблюдается магнитный гистерезис, обусловленный ориентацией магнитных кластеров во внешнем поле.
Шалдин Ю.В., Вархульска И., Иванов Ю.М. Магнитные свойства теллурида кадмия, легированного германием // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 172

Методом Бриджмена (горизонтальный вариант) выращены кристаллы тройного соединения AgIn11S17. Проведены измерения кинетических коэффициентов и впервые созданы фоточувствительные структуры на основе полученных кристаллов. Определены фотоэлектрические параметры твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, оценена ширина запрещенной зоны для соединения AgIn11S17 и обсуждается характер межзонных переходов в этом соединении. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.
Боднарь И.В., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительные структуры на основе соединения AgIn11S17 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 168

В монокристаллах MnIn2S4 исследованы температурная зависимость тока и вольт-амперные характеристики в различных условиях. Показано, что механизм токопрохождения в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен током, ограниченным пространственным зарядом. Определены энергия залегания и концентрации ловушек. Установлено, что монокристаллы MnIn2S4 являются сильно компенсированными полупроводниками.
Нифтиев Н.Н. Электрические свойства монокристаллов MnIn2S4 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 166

Приводятся результаты исследования вольт-амперных характеристик I(U) монокристаллов MnIn2S4 иMnGa2S4 в темноте и под действием света. Вольт-амперная характеристика монокристалла MnIn2S4 в темноте содержит участки I прапорционально U, I прапорционально U2 и I прапорционально U3, а под действием света--- I прапорционально U, I прапорционально U3/2 и I прапорционально U2.5. Выявлено, что световой ток почти в 104 раза больше темнового. Вмонокристаллах MnGa2S4 под действием света вольт-амперная характеристика имеет участки I прапорционально U и I прапорционально U3/2. Дано объяснение этих зависимостей.
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn2S4 иMnGa2S4 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 164

Электронная структура трех полиморфных модификаций нитрида бора рассчитана полнопотенциальным линейным методом присоединенных плоских волн с обменно-корреляционным потенциалом в приближении локальной плотности и обобщенного градиента. Рассчитанные значения объемного модуля, полученные с использованием трех уравнений состояния, удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Исследуется эффект влияния водорода на электронную структуру и физико-химические свойства гексагонального и кубического нитрида бора.
Кулькова С.Е., Чудинов Д.В., Ханин Д.В. Влияние водорода на электронную структуру исвойства нитрида бора // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 61

Предложен простой аналитический способ вычисления подвижности основных носителей заряда, позволяющий хорошо описать экспериментальные данные в широком диапазоне температур и уровней легирования в различных полупроводниковых материалах, включая элементарный полупроводник (кремний), полупроводник типа AIIIBV (арсенид галлия), полупроводник типа AIVBIV (различные политипы карбида кремния) и полупроводник типаAIIIN (нитрид галлия). Хорошая точность результатов расчета позволяет считать, что данный способ является универсальным и его можно использовать для описания подвижности основных носителей заряда в других полупроводниковых материалах. Простота и точность предложенного способа делает его полезным при разработке численных программ, предназначенных для анализа характеристик многослойных полупроводниковых структур.
Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Поморцева Л.И., Юрков С.Н. Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда вполупроводниках вшироком диапазоне температур иуровней легирования // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 56