Изучена фотоэмиссия поляризованных электронов из гетероструктур на основе InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами края зоны проводимости. Сравнение зависимости степени поляризации фотоэмиссии от энергии возбуждения с расчетными спектрами позволило определить вклад в потери поляризации на отдельных этапах фотоэмиссии. Максимальные значения поляризации P=91% при квантовом выходе0.14% близки к лучшим результатам, полученным для фотокатодов на основе напряженных полупроводниковых сверхрешеток. PACS: 68.65.Cd, 72.25.Fe, 72.25.Rb, 72.25.Dc, 78.67.Pt, 79.60.Jv
Герчиков Л.Г., Мамаев Ю.А., Субашиев А.В., Яшин Ю.П., Васильев Д.А., Кузьмичев В.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М. Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток сминимальными разрывами зоныпроводимости // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1361

Изучено влияние спиновых расщеплений, вызванных структурной (вклад Рашбы) и объемной (вклад Дрессельхауза) асимметрией, на магнетопроводимость двумерных структур с высокой подвижностью. Построена теория слабой локализации с учетом обоих вкладов, применимая во всем диапазоне классически слабых магнитных полей и при произвольном соотношении между частотами спиновой прецессии и упругих столкновений. Продемонстрировано подавление антилокализационной поправки в случае, когда объемный и структурный вклады в спиновое расщепление равны. Исследовано влияние на квантовое магнетосопротивление кубического по волновому вектору вклада в спиновое расщепление. PACS: 71.70.Ej, 72.15.Rn, 73.20.Fz, 73.63.Hs
Глазов М.М., Голуб Л.Е. Недиффузионная слабая локализация в двумерных системах соспин-орбитальным расщеплением спектра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1241

Работа посвящена развитию методов расчета вольт-фарадных характеристик и определения профиля концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых легированных гетероструктурах, содержащих квантовую яму. Расчет вольт-фарадной характеристики гетероструктуры с квантовой ямой осуществляется с помощью численного самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера в рамках единого квантовомеханического подхода. Предложенный метод применен для моделирования и анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. PACS: 73.21.Fg, 73.40.Cg
Зубков В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур сквантовыми ямами спомощью самосогласованного решения уравнений Шредингера иПуассона // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1236

Проведено сравнение фотолюминесценции и электрических свойств слоя окисла кремния, содержащего нанокристаллы кремния. Окисел, содержащий нанокристаллы кремния, был создан сораспылением диоксида кремния и кремния с последующим отжигом для формирования нанокристаллов. Концентрация избыточного кремния в слое варьировалась вдоль образца в пределах от6 до74% по объему. Обнаружено, что величина заряда, определенная по напряжению плоских зон, имеет резко выраженный максимум при содержании избыточного кремния ~26%, при этом максимальный заряд коррелирует с максимальной интенсивностью фотолюминесценции. Дальнейшее повышение содержания избыточного кремния в окисле приводит к уменьшению заряда в окисле, уменьшению интенсивности фотолюминесценции и возникновению перколяционной проводимости. PACS: 81.15.Cd, 78.67.Bf, 61.46.Bc, 73.63.Bd
Антонова И.В., Гуляев М.Б., Яновицкая З.Ш., Володин В.А., Марин Д.В., Ефремов М.Д., Goldstein Y., Jedrzejewski J. Сопоставление электрических свойств ифотолюминесценции взависимости отсостава слоевSiOx, содержащих нанокристаллы кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1229

Исследованы фотолюминесцентные свойства легированных эрбием слоев диоксида кремния, содержащих кремниевые нанокристаллы со средними размерами от 1.5 до 4.5 нм. Установлено, что интенсивность и среднее время жизни фотолюминесценции ионов Er3+ зависят от размеров нанокристаллов, интенсивности оптической накачки и температуры. Полученные результаты объясняются как влиянием локального окружения ионов Er3+, так и проявлением процессов безызлучательного девозбуждения ионов вследствие обратной передачи энергии в твердотельную матрицу и оже-процесса. PACS: 78.55.Ap, 78.67.Bf, 61.72.Tt
Жигунов Д.М., Шалыгина О.А., Тетеруков С.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Zacharias M. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия вструктурах скремниевыми нанокристаллами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1224

В диапазоне температур 5--300 K исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт. Спектр фотолюминесценции нанокристаллов при температуре5 K состоит из двух полос с максимумами при2.95 и2.30 эВ. Температурная зависимость положения максимума высокоэнергетической полосы фотолюминесценции отличается от температурной зависимости ширины запрещенной зоны объемного CdS. Интегральная интенсивность фотолюминесценции данной полосы спадает при температурах от5 до75 K, увеличивается в диапазоне 150--230 K и уменьшается при температурах выше230 K. Экспериментальные данные объяснены в рамках модели рекомбинации неравновесных носителей заряда в нанокластерах CdS с учетом транспорта носителей заряда в локально связанных нанокластерах различных размеров. Врамках модели получена оценка значения энергетической глубины ловушек для электронов, равного120 мэВ, а также значений энергии активации безызлучательной рекомбинации, составляющих около5 и100 мэВ. PACS: 73.20.Hb, 73.22.Df, 78.55.Et, 78.67. Bf, 78.55.Et, 81.05.Dz
Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л. Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеровCdS, сформированных вматрице пленки Ленгмюра--Блоджетт // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1218

Развита теория электронного спектра трехшаровой двухъямной закрытой сферической квантовой точки и исследована его эволюция при изменении толщины внешней шаровой ямы от нуля (стационарный спектр простой закрытой сферической квантовой точки) до бесконечности (квазистационарный спектр простой открытой сферической квантовой точки). Впервые показан механизм возникновения затухания электронных состояний в закрытой двухъямной сферической квантовой точке из-за увеличения толщины ее внешней шаровой ямы. Установлено, что физической причиной превращения стационарного спектра в квазистационарный является перераспределение вероятностей пребывания возбужденного в резонансное состояние сферической квантовой точки электрона в энергетических состояниях квазистационарной полосы во всем пространстве наносистемы. Показано, что двухъямная закрытаясферическая квантовая точка с достаточно большой толщиной внешней ямы с любой необходимой точностью воспроизводит основные свойства электрона в простой открытой сферической квантовой точке. Развитый подход, в котором был использован математический аппарат квантовой теории поля (метод функций Грина), может быть положен в основу создания отсутствующей пока теории квазистационарных спектров и теории взаимодействия квазичастиц (электроны, дырки) как между собой (экситон), так и с квантованными полями (фононы) в многослойных открытых наносистемах. PACS: 71.15.Dx, 73.21.La
Ткач Н.В., Сети Ю.А. Свойства электронного спектра вдвухъямной закрытой сферической квантовой точке иего эволюция при изменении толщины внешней ямы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1111

Построена теоретическая модель формирования нанометровых нитевидных кристаллов на поверхностях, активированных каплями катализатора роста, учитывающая диффузию адатомов с поверхности подложки на боковую поверхность кристаллов. Получено точное решение диффузионной задачи для потока адатомов с поверхности на нанометровые нитевидные кристаллы и проанализированы его частные случаи для малых и больших эффективных диффузионных длин адатомаlambdas. Дано общее выражение для длины нитевидного кристаллаL в зависимости от его радиусаR и условий роста, применимое для широкого класса ростовых технологий. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными зависимостямиL(R) в области размеров R=20-250 нм для нитевидных кристалловGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) В, активированнойAu. Показано, что зависимостьL(R) ведет себя в некоторой области параметров как 1/R2ln(lambdas/R), что качественно отличается от классической диффузионной зависимости1/R. PACS:68.65.La, 68.55.Ac, 68.55.Jk, 81.15.Kk, 81.15.Hi
Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сурис Р.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C. Ороли поверхностной диффузии адатомов приформировании нанометровых нитевидных кристаллов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1103

Впервые измерена индуцированная магнитным полем циркулярная поляризация пика фотолюминесценции, связанного с A(+)-центрами квантовых ям. Показано, что степень поляризации в магнитном поле 4 Тл достигает 13%, тогда как его расщепление практически отсутствует. Развита теория, описывающая поведение тонкой спиновой структуры A(+)-центра в магнитном поле. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с теоретическим расчетом. PACS: 73.20.Hb, 73.21.Cd, 78.67.Pt
Петров П.В., Иванов Ю.Л., Романов К.С., Тонких А.А., Аверкиев Н.С. Циркулярно поляризованная фотолюминесценция, связанная сA(+)-центрами вквантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1099

Теоретически исследована возможность управления с помощью постоянного поперечного электрического поля эффектами пространственного повторения и мультипликации для плотности потока вероятности jx(x,z) (или квантовомеханической плотности токаejx(x,z), e--- заряд электрона), возникающими при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах. Показано, что в структурах, представляющих собой последовательно расположенные в направлении распространения электронной волны (осьx) узкую и широкую вдоль осиz (ось размерного квантования) квантовые ямы прямоугольного профиля, поперечное распределениеjx(0,z), существующее на входе широкой квантовой ямы, с определенной точностью периодически воспроизводится в сечениях Xp=pX1 (повторяемость) и расщепляется в симметричной по осиz наноструктуре наq идентичных пиков вqраз меньшей интенсивности на расстоянииX1/q от входа (мультипликация) (p иq--- целые числа). Показано, что управление этими эффектами возможно с помощью постоянного поперечного (вдоль осиz) электрического поля в области широкой квантовой ямы. Уменьшение в электрическом поле эффективной ширины квантовой ямы и возникновение в ней асимметрии в поперечном направлении приводят к кардинальному изменению в ней пространственного распределенияjx(x,z) и возможности инверсной заселенности квантово-размерных подзон. PACS:73.21.Fg, 73.63.Hs
Петров В.А., Никитин А.В. Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости имультипликации электронных волн вполупроводниковых двумерных наноструктурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 977