Для изучения процесса селективного оксидирования слоев Al0.97Ga0.03As применена спектроскопия комбинационного рассеяния света. Определены механические напряжения, возникающие в структурах GaAs/(AlGa)xOy при различных режимах процесса селективного оксидирования. Проанализированы эффекты локального нагрева образцов лазерным излучением при измерениях комбинационного рассеяния света, \glqq задубливания\grqq фоторезиста при оксидировании и \glqq переоксидирования\grqq. Проведена оптимизация аппаратуры и методики селективного оксидирования, позволившая реализовать матрицы вертикально излучающих лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs с верхним оксидированным и нижним полупроводниковым распределенными брэгговскими отражателями.
Блохин С.А., Смирнов А.Н., Сахаров А.В., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Малеев Н.А., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Бедарев Д.А., Никитина Е.В., Кулагина М.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Исследование механических напряжений вселективно-оксидированных структурах GaAs/(AlGa)xOy // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 782

Развита модель образования донорных центров, обусловленных совместной имплантацией ионов Er+ и O+ в кремний с последующим термическим отжигом, представляющих собой многочастичные эрбий-кислородные комплексы ErOn с n>=4. Учитывается конкурирующий процесс образования электрически неактивных кислородных кластеров. Модель позволяет описать зависимость коэффициента активации донорных центров от дозы имплантации ионов кислорода, а также влияние имплантации ионов кислорода и температуры отжига на концентрационные профили донорных центров.
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А. Влияние кислорода наобразование донорных центров вслоях кремния, имплантированных ионами эрбия икислорода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 776

Проведены исследования термоэдс и теплопроводности эвтектической композиции GaSb-V2Ga5, где при направленной кристаллизации металлическая фазаV2Ga5 в полупроводниковой матрице GaSb формируется в виде параллельных нитевидных кристаллов. Получены новые результаты о рассеянии длинноволновых фононов на металлических нитевидных кристаллах и по управлению термоэдс и теплопроводностью эвтектических композиций полупроводник-металл.
Исаков Г.И. Рассеяние фононов, управление термоэдс итеплопроводностью вэвтектической композиции полупроводник-металл // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 772

Вкомплексе исследовано поведение эффективного модуля сдвигаGef и внутреннего трения вSi, в области температур существования аномального гистерезисаGef(T). Показано, что его природа связана с наличием в структуре кремния подвижных дислокаций, закрепление которых радиационными дефектами приводит к полному блокированию гистерезиса. Обнаружен метастабильный характер превращений, вызывающих аномальное поведение кривыхGef(T).
Олейнич-Лысюк А.В., Гуцуляк Б.И., Фодчук И.М. Оприроде температурного гистерезиса эффективного модуля сдвига вмонокристаллическом кремнии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 769

В модели дельта-параметра решетки исследована термодинамика твердых растворов AlGaN, InGaN и InAlN. Полученные фазовые диаграммы указывают на стабильность AlxGa1-xN во всем диапазоне концентрацииx, в то время как для InxGa1-xN область спинодального распада составляет 0.2
Дейбук В.Г., Возный А.В. Термодинамическая стабильность иперераспределение зарядов втройных твердых растворах нитридов элементов IIIгруппы // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 655

Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения фосфора в системе SiO2--Si при термическом окислении сильно легированных слоев кремния, учитывающая образование приповерхностного пика концентрации примеси на межфазной границе. Образование приповерхностного пика концентрации связывается с изменением свободной энергии атомов примеси вблизи поверхности кремния и моделируется с помощью диффузионно-сегрегационного уравнения. Показана адекватность модели для описания перераспределения фосфора при окислении однородно легированных слоев кремния. Вслучае окисления имплантированных слоев кремния установлено, что коэффициент сегрегации фосфора на межфазной границе SiO2/Si не является постоянным, а зависит от времени таким же образом, как и переходная ускоренная диффузия в кремнии. Явление объясняется реакционным характером сегрегации примесей в процессе термического окисления кремния, при котором избыточные собственные точечные дефекты в имплантированном слое кремния оказывают влияние на процесс окисления и захвата атомов примеси растущим диоксидом кремния.
Александров О.В., Афонин Н.Н. Особенности сегрегационного перераспределения фосфора притермическом окислении сильно легированных слоев кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 647

Кинетический анализ дефектообразования в системе соединение AIIBVI (ZnO)--- поток радикалов кислорода сделал возможным развить новый метод для получения монокристаллических слоев посредством высокотемпературной обработки монокристаллической подложки соединения AIIBVI (ZnO) в потоке радикалов кислорода. Спомощью этого метода осуществлена инверсия проводимости вZnO от n- к p-типу. Эта технология позволяет получать гетероструктуры.
Котляревский М.Б., Рогозин И.В., Мараховский А.В. Кинетика дефектообразования вZnO впотоке радикалов кислорода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 641

Монокристаллы ZnSe : Cr получены методом диффузионного легирования хромом. Диффузия осуществлялась в атмосфере насыщенных паров цинка из напыленного на поверхность кристалла металлического слояCr. Вспектре оптической плотности при77 K наблюдались линии поглощения хрома на2.766, 2.717 и2.406 эВ. По величине инфракрасного поглощения в области0.72 эВ определена максимальная концентрация хрома в кристаллах, равная 8· 1019 см-3. Показана возможность определения диффузионного профиля примеси хрома путем измерения оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии хрома в кристаллахZnSe при температурах 1073-1273 K. Анализ температурной зависимости D(T) позволил определить коэффициенты в уравнении Аррениуса: D0=4.7· 1010 см2/с и E=4.45 эВ.
Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. Оптическое поглощение идиффузия хрома вмонокристаллахZnSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 401

Разработана методика, позволяющая эффективно контролировать наличие и состав капсулированных нанофаз в наноструктурированных тонких пленках, полученных по золь--гель технологии. Приведены результаты исследований по данной методике полупроводниковых пленочных структур, предназначенных для использования в газочувствительных адсорбционных датчиках. Показаны возможность и перспективы исследования материалов, а также диагностики протекания золь--гель процессов с помощью разработанной методики.
Ильин А.С., Максимов А.И., Мошников В.А., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение вполупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь--гель технологии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 300

Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времена концентрации углеродных вакансий в переходном слое, в рамках которой проведен анализ имеющихся экспериментальных данных. Показано, что параметр eta=Gtau/LT (LT--- толщина переходного слоя, G--- скорость роста пленки, tau--- время жизни вакансии в переходном слое) инвариантен относительно способа и температуры выращивания эпитаксиального слоя и определяется только концентрацией углеродных вакансий в подложке и пленке.
Лебедев А.А., Давыдов С.Ю. Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 296