Для определения влияния степени кристаллографического упорядочения магнитоактивных ионов в оксиде Sr2FeMoO6 на свойства этого соединения проведено исследование образцов, полученных различными методами. Синтезированный по обычной керамической технологии в токе аргона образец характеризовался высокой степенью катионного упорядочения ионов железа и молибдена. Вполученном под высоким давлением образце, закаленном до комнатной температуры, степень упорядочения магнитоактивных ионов была несколько ниже. Установлено, что кристаллографическое разупорядочение ионов железа и молибдена отразилось на магнитных и магниторезистивных свойствах. Врезультате разупорядочения наблюдается снижение величины удельной намагниченности вследствие формирования антиферромагнитных взаимодействий между одноименными ионами, а также снижение величины магниторезистивного эффекта вследствие уменьшения степени спиновой поляризации носителей заряда.
Лобановский Л.С., Труханов С.В., Бушинский М.В., Троянчук И.О. Катионное разупорядочение вдвойном оксиде Sr2FeMoO6 соструктурой перовскита // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 291

Предложен механизм стимулирования низкотемпературного плазменного анодирования с использованием катализатора или ультафиолетового облучения при получении оксидных пленок металлов и полупроводников. Стимулирующее действие этих воздействий на процесс плазменного анодирования объясняется появлением дополнительной концентрации антисвязывающих квазичастиц (электронов идырок), ослабляющих химические связи анодируемого вещества. Приводятся условия проведения стимулированных процессов.
Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б. Механизм низкотемпературных стимулированных процессов плазменного анодирования металлов иполупроводников // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1304

Для случая ионной имплантации фосфором кремния выполнен ряд экспериментов с целью выяснения механизма \glqq эффекта больших доз\grqq. На основании экспериментальных данных сделан вывод, что данный эффект обусловлен ослаблением межатомных связей в сильно легированном фосфором аморфном кремнии и носит терморадиационно-стимулированный характер. Перерыв в облучении по достижении дозы аморфизации приводит к стабилизации аморфного состояния.
Тетельбаум Д.И., Герасимов А.И. Кэффекту больших доз при ионной имплантации кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1301

Методами атомно-силовой микроскопии(АСМ) исследовались топография и локальная твердость протравленных поверхностей слоев термического окислаSiO2, содержащих в объеме нанокристаллыSi. НанокристаллыSi (Si-НК) были получены имплантацией в окисел ионов Si+ с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что применение селективного травления, удаляющего материал окисла, позволяет выявлять Si-НК, которые проявляются в рельефе протравленных поверхностей в виде нанобугорков высотой до2--3 нм. Эти значения примерно соответствуют среднему радиусу Si-НК в слое окислаSiO2. Независимое подтверждение наблюдения Si-НК было получено при сопоставлении топографии протравленных поверхностей с полученными для них картами локальной твердости, в которых бугорки Si-НК проявляются как места поверхности с меньшей твердостью. Вработе также наблюдалось фазовое выделение имплантированного Si в виде протяженных кластеров плоской формы, ориентированных в толще окисла параллельно его поверхности. Найденный способ выявления встроенных в окисел Si-НК и кластеров открывает удобную возможность изучения закономерностей зародышевого роста и спинодального распада в твердом раствореSi в окислеSiO2.
Дунаевский М.С., Grob J.J., Забродский А.Г., Laiho R., Титков А.Н. АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле SiO2 спомощью селективного травления // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1294

Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывного ряда твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора--расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si2)1-x(GaAs)x (0=<q x=<q0.96) и (Si2)1-x(GaP)x (0=<q x=<q 1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине слоев (Si2)1-x(GaAs)x, (Si2)1-x(GaP)x, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si2)1-x(GaAs)x и Si-(Si2)1-x(GaP)x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывает на структурное совершенство выращенных твердых растворов (CIV2)1-x(AIIIBV)x.
Сапаев Б., Саидов М.С., Саидов А.С., Каражанов С.Ж. Твердые растворы ( C IV2)1-x( A III B V)x, полученные изограниченного объема оловянного раствора--расплава // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1285

Методами теории функционала электронной плотности и псевдопотенциала исследовано влияние водорода и давления на формирование вакансий и дивакансий в кремнии. Показано, что в присутствии водорода энергия формирования вакансий может снижаться на величину от1.8 до 3.5 эВ, а энергия формирования дивакансий на величину от2 до5.4 эВ, и становится возможным спонтанное возникновение вакансий и их комплексов при высоких концентрациях водорода. Вместе с тем наличие водорода делает кремний менее чувствительным к давлению и при больших концентрациях может полностью подавить тенденцию дополнительного образования вакансий под действием давления.
Заводинский В.Г., Гниденко А.А., Мисюк А., Бак-Мисюк Я. Влияние давления и водорода на образование вакансий идивакансий вкристаллическом кремнии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1281

Методами резерфордовского обратного рассеяния и ядерных реакций исследованы концентрационные профили элементов в окисленных образцах селенида свинца PbSe. Предложена интерпретация экспериментальных результатов в рамках теории диффузии по межзеренным границам.
Гамарц А.Е., Лебедев В.М., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Определение профиля диффузии кислорода вполикристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1195

Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры электронного парамагнитного резонанса порошков ZnS, отожженных в присутствии металлического Ga с ограниченным доступом атмосферы к отжигаемым порошкам. На основании анализа спектров фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса показано, что в отожженных порошках ZnS в виде примеси Ga отсутствует. Установлено, что последующий свободный доступ атмосферы к отожженному ZnS с Ga способствует активному встраиванию Ga в решетку ZnS. Предложен механизм диффузии Ga вZnS.
Бачериков Ю.Ю., Ворона И.П., Оптасюк С.В., Родионов В.Е., Стадник А.А. Некоторые особенности диффузии Ga в порошках ZnS // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1025

Показано, что облучение структур Ni--SiC протонами при повышенных температурах способствует ускорению металлургических реакций на интерфейсе Ni--SiC за счет диффузионного механизма, стимулированного радиационным дефектообразованием. Наибольший эффект \glqq перемешивания\grqq интерфейса металл--полупроводник достигается при совпадении толщины пленки металла с величиной проецированного пробега протонов.
Козловский В.В., Иванов П.А., Румянцев Д.С., Ломасов В.Н., Самсонова Т.П. Cтимулирование металлургических реакций наинтерфейсе Ni--SiC протонным облучением // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 778

Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопах 83Kr и 119Sn для твердых растворов Pb1-xSnxSe продемонстрировано, что локальная симметрия и электронная структура анионных и катионных узлов решетки остается неизменной при переходе в бесщелевое состояние.
Хужакулов Э.С. Локальная симметрия решетки Pb1-xSnxSe вобласти бесщелевого состояния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 775