Впервые исследована диффузия иттрия в кремнии. Диффузия проводилась на воздухе или в вакууме в интервале температур 1100-1250oC. Температурная зависимость коэффициента диффузии иттрия в кремнии описывается соотношением D=8·10-3exp(-2.9 эВ/kT) см2с-1. Выявлена акцепторная природа иттрия вкремнии. PACS: 66.30.Jt; 71.55.Cn
Назыров Д.Э., Базарбаев М.И., Иминов А.А. Диффузия иттрия в кремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 788

В диапазоне 85-300 K (а в ряде случаев до700 K) исследованы коэффициенты термоэдс, электро- и теплопроводности в твердом растворе PbTe0.8Se0.1S0.1 с концентрацией электронов (4.6-54)·1018 см-3. Характер температурных зависимостей электро- и теплопроводности свидетельствует о существовании низкотемпературного рассеяния электронов и фононов, вызванного нецентральной примесью серы. Вприближении параболического спектра и рассеяния электронов на акустических фононах и нейтральных примесях замещения рассчитаны температурные зависимости электронной и решеточной составляющих теплопроводности. Последняя в легированных образцах имеет особенность в виде неглубокого минимума в диапазоне 85-250 K. Подобная особенность, только выраженная не столь отчетливо, получена также для сплавов Pb1-xSnxTe1-xSex (x>=q0.15) с нецентральной примесью олова. Рассмотрение возможных причин появления этого эффекта привело к заключению, что числа ЛоренцаL в исследованных материалах при низких температурах меньше использованных значенийL0, соответствующих указанным выше механизмам рассеяния. Причиной пониженияL является рассеяние электронов на двухуровневых системах, эффективность которого повышается с ростом энергии электронов. Анализ экспериментальных данных для высоких температур, а также для не легированных примесями образцов с минимальной концентрацией носителей тока позволил определить величиныL для образцов с разной плотностью электронов. Минимальное отношение L/L0=0.75 получено для слабо легированного образца при ~130 K. PACS: 66.70.+f, 65.40.-b, 72.20.Fr
Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Пшенай-Северин Д.А., Федоров М.И., Равич Ю.И. Теплопроводность легированных твердых растворов наосновеPbTe снецентральными примесями // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 783

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены исследования слоев GaAs, без легирования и однородно легированных фосфором (2.3 мол%), выращенных при температуре 250oC и изохронно отожженных при 400, 500, 600 и 700oC. Установлено, что легирование фосфором уменьшает количество избыточного мышьяка, захватываемого в слой в процессе роста, а также приводит к \glqq замедлению\grqq преципитации при последующем отжиге. Внелегированных образцах концентрация избыточного мышьяка составила ~0.2 ат%, кластеры были обнаружены после отжига при температуре 500oC. Вобразцах, содержащих фосфор, концентрация избыточного мышьяка составила 0.1 ат%, а кластеры обнаружены только после термообработки при 600oC. Средний размер кластеров в легированных образцах меньше по сравнению с нелегированными при равных температурах отжига. PACS: 61.46.Bc, 81.07.Bc
Бойцов А.В., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Яговкина М.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Влияние изовалентного легирования фосфором накластерообразование варсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизкой температуре // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 778

Изучены структурные превращения в кристаллах InSb при облучении быстрыми нейтронами (сэнергиями E>0.1 МэВ) и полным спектром реакторных нейтронов с соотношением плотностей потоков тепловых и быстрых нейтронов varphisn/varphifn~ 1. Показано, что по характеру воздействия быстрых нейтронов на период решетки в дозовой зависимости можно выделить два участка. При малых флюенсах быстрых нейтронов (Ffn2.5· 1017 см-2 период решетки с увеличением флюенса нейтронов растет линейно, и образуется множество мелких вакансионных и межузельных кластеров, которые могут захватывать примесные атомыSn. Термообработка облученных образцов до400oC приводит к полному восстановлению значений периода решетки. PACS: 61.80.Hg, 61.66.Fn
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Изменения структуры монокристалловInSb после облучения нейтронами итермообработок // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 769

Проведено численное моделирование воздействия наносекундного излучения KrF эксимерного лазера (lambda=248 нм, tau=20 нс) на фазовые переходы в теллуриде кадмия с учетом диффузии компонентов в расплаве и их испарения с поверхности. Показано, что в результате испарения и диффузии компонентов теллурида кадмия в расплаве происходит обогащение приповерхностной области теллуром. Полученное значение пороговой плотности энергии излучения 0.05 Дж/см2, при которой происходит плавление, согласуется с экспериментальными данными. PACS: 64.70.Kb
Жвавый С.П., Зыков Г.Л. Численное моделирование динамики фазовых переходов вCdTe, инициируемых наносекундным излучением эксимерного лазера // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 652

Исследована диффузия тербия в кремнии в интервале температур 1100-1250oC сиспользованием впервые прямого метода--- метода радиоактивных изотопов. Установлены диффузионные параметры тербия вкремнии. PACS: 61.72.Tt; 66.30.Jt; 81.40.Ef
Назыров Д.Э. Диффузия тербия в кремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 650

Представлены результаты исследования характера влияния облучения быстрыми и полным спектром реакторных нейтронов и последующих термообработок на структурные характеристики монокристалловInP. Показано, что в отличие от других полупроводниковых соединений AIIIBV в монокристаллахInP при облучении нейтронами период решетки уменьшается. Основной вклад в изменение периода решетки вносят быстрые нейтроны. Наличие составляющей тепловых нейтронов, приводящих к образованию в материале атомовSn, не вызывает существенного изменения периода решетки. Термообработка облученных образцов до температуры порядка600oC приводит к отжигу радиационных дефектов и восстановлению периода решетки, а при больших флюенсах нейтронов период решетки становится больше, чем до облучения. Анализ полученных экспериментальных результатов позволил сделать предположение о том, что уменьшение периода решетки вInP при облучении нейтронами вызвано в основном образовавшимися антиструктурными дефектамиPIn, вызывающими в данном случае эффект, аналогичный вакансионным дефектам. PACS: 61.66.-f, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 81.40.Wx, 81.40.Gh
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Влияние облучения реакторными нейтронами итемпературы наструктуру монокристалловInP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 641

Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровковGe иSiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av
Яремко А.М., Валах М.Я., Джаган В.Н., Литвин П.М., Юхимчук В.А. Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровковSiGe иихформы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 391

Показано, что накопление примесиAl вблизи поверхности кремния, наблюдающееся при диффузии из поверхностного источника в инертной среде, не может быть объяснено в рамках обычного для примесей замещения непрямого вакансионно-межузельного (vacancy-interstitialcy) механизма. Особенности диффузииAl как в инертной, так и в окислительной среде удовлетворительно описываются в рамках механизма вытеснения (kick-out), характерного для примесей быстро диффундирующих металлов в кремнии. PACS: 68.35.Fx, 68.35.Dv
Александров О.В., Криворучко А.А., Соболев Н.А. Моделирование диффузии алюминия вкремнии винертной иокислительной средах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 385

Предложен механизм оствальдовского созревания островков в условиях дислокационно-поверхностной диффузии для полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками. Рассчитана функция распределения островков по размерам для предложенного механизма роста, а также проведено сопоставление экспериментальных гистограмм с рассчитанными кривыми. PACS: 66.30.-h, 68.35.-p
Венгренович Р.Д., Москалюк А.В., Ярема С.В. Распределение островков по размерам вусловиях дислокационно-поверхностной диффузии для полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 276