Исследованы электрические свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция сильнолегированных слоев n-типа проводимости, полученных имплантацией ионов кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложкир GaAs, выращенные методом Чохральского. Показано, что совместная имплантация Si + P приводит к подавлению глубоких уровней в анионной подрешетке, увеличивает степень активации доноров и позволяет получить более резкий профиль распределения внедренной примеси в подложках обоих типов. Использование подложек GaAs, легированных изовалентной примесью In, не сказывается на степени активации доноров, но способствует отжигу радиационных дефектов.
Дымова Н.Н., Куницын А.Е., Марков А.В., Чалдышев В.В. Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1409

Представлены результаты исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста (240--300oC) и разных соотношениях потоков As и Ga (от 3 до 13). На кривых дифракционного отражения выявлены характерные особенности для указанных образцов до и после отжига в диапазоне температур от 300 до 800oC. Выдвинуты предположения, объясняющие эти особенности. Установлен диапазон изменения соотношения потоков мышьяка и галлия, при котором происходит низкотемпературный рост в условиях, близких к стехиометрическому.
Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мухамеджанов Э.Х., Пашаев Э.М., Чеглаков В.Б. Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизких температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1168

Исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации одноатомных и двуатомных ионов азота в эквивалентных условиях, т. е. при одинаковых энергиях в расчете на атом, и плотностях потоков атомов. Молекулярный эффект в накоплении дефектов наблюдался лишь при таких дозах, когда степень повреждения решетки кристалла превышала 0.15. В этих условиях ион N+2 создавал такое же число устойчивых дефектов, как 6ионов N+1. В наших экспериментах (30кэВ для потока N+1 и 60кэВ для N+2 при комнатной температуре) дозы аморфизации равны 3.75· 1015 и 1.25· 1015ион/см2 для N+1 и N+2 соответственно.
Аброян И.А., Никулина Л.М. Молекулярный эффект при имплантации легких ионов вполупроводники // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1164

Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего геттерирования на крупномасштабные дефекты в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором. Проведена классификация крупномасштабных дефектов в исходном материале и кристаллах, подвергнутых процедуре внутреннего геттерирования. Показана применимость метода малоуглового рассеяния света как для лабораторных исследований, так и для промышленного контроля операций технологического цикла внутреннего геттерирования.
Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В. Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования вкремнии, выращенном методом Чохральского // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1158

Предложен метод термодинамического описания процесса роста при молекулярно-пучковой эпитаксии четверных соединений AIIIBV с двумя элементами Vгруппы, позволяющий определять параметры роста, необходимые для получения соединения определенного состава. На основе предоженного метода проведен термодинамический анализ процесса роста соединений GaxIn1-xPyAs1-y и GaPyAs1-y.
Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С. Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений A IIIB V при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1153