Сформулирована система уравнений, описывающая самосогласованное поведение полей упругих смещений и концентрации точечных дефектов в облучаемых центросимметричных кристаллах (германий, кремний). Взависимости от значений времени релаксации дефектов получены модельные эволюционные уравнения, описывающие стационарные нелинейные продольные волны с учетом флексоэлектрического эффекта, связанного с возникновением диэлектрической поляризации при неоднородных упругих деформациях решетки. При определенной конкретной связи между коэффициентами этого уравнения, т. е. параметрами подсистемы дефектов и упругой нелинейной среды, получены точные решения, описывающие возникновение как солитонов, так и ударных волн небольшой интенсивности. Оценены вклады в линейную скорость звука и дисперсионные свойства среды, обусловленные дефектно-деформационным взаимодействием и флексоэлектрическим эффектом. PACS: 71.55.Cn, 62.30.+d
Мирзаде Ф.Х. Нелинейные продольные волны взаимодействующих полей деформации иконцентрации дефектов вгермании икремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 269

Построена теория нелинейных поверхностных акустических волн в полупроводниках при наличии парамагнитных примесей. Рассматривается процесс образования нелинейных волн в многослойных системах в условиях, когда два различных (резонансный и нерезонансный) механизма формирования нелинейных волн являются одновременно эффективными. Получены явные аналитические выражения для поверхностных акустических бризеров. Показано, что взаимодействие волны с электронами проводимости приводит к слабому затуханию амплитуды и изменению параметров бризера. PACS: 43.20.El, 77.65.Dq
Адамашвили Г.Т., Адамашвили Н.Т., Моцонелидзе Г.Н., Пейкришвили М.Д. Поверхностные акустические бризеры вполупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 264

Теоретически исследуется процесс роста бездислокационной тонкой пленки, осаждаемой на поверхность твердого тела из газообразной фазы. Рассматривается наиболее распространенный случай, когда монослои растут по двумерному механизму, а каждый следующий слой формируется на заполненных участках предыдущего слоя. Построена самосогласованная кинетическая модель формирования пленки, которая позволяет при известной энергетике системы и условиях роста рассчитать ее структурные характеристики на различных стадиях ростового процесса. Найдена функция распределения островков по размерам на стадии изолированного роста островков, периметр границы слоя и степень заполнения поверхности на стадии формирования сплошного слоя, средняя высота и шероховатость поверхности трехмерной пленки. Приведен алгоритм численных расчетов и примеры расчетов для модельных систем. Полученные результаты могут быть использованы для управления и оптимизации ростовых процессов в различных технологических методах осаждения тонких пленок. PACS: 68.55.Ac, 81.15.As
Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Теория формирования многослойных тонких пленок наповерхности твердого тела // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 257

Проведены исследования эффективности введения донорных центров в кислородсодержащем Si при термообработках при 450oC после предварительной гидрогенизации в плазме водорода и облучения gamma-квантами 60Co. Показано, что максимальная скорость введения донорных центров наблюдается в образцах, содержащих водород в атомарной форме. Облучение Si gamma-квантами 60Co с предварительно гидрогенизированным в плазме водорода слоем приводит к высвобождению атомарного водорода из связанных состояний. Это повышает скорость введения донорных центров при последующих термообработках при 450oC. PACS: 81.40.Ef, 81.40.-g, 61.80.Ed, 73.30.+y
Болотов В.В., Камаев Г.Н., Носков А.В., Черняев С.А., Росликов В.Е. Влияние состояния водорода в решетке на эффективность введения донорных центров вкислородсодержащем кремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 129

В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, десорбция, начальные стадии роста пленок, контактная и термическая трансформация молекул C60 на поверхности Ta(100) в диапазоне температур 300-2000 K. Показано, что молекулы C60 из первого адсорбционного слоя претерпевают существенную трансформацию уже при комнатной температуре, формируя неплотный монослой. При этом последующий рост фуллерита идет по механизму Странского--Крастанова с образованием плотноупакованных островков. Определены температурные интервалы стабильности фуллеритовой пленки на тантале и показано, что разрушение пленки происходит в интервале 850-950 K, в основном не за счет термической десорбции, а за счет распада молекул, индуцированного каталитическим действием поверхности.
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Адсорбция, десорбция, контактная итермическая трансформация молекул C60 наповерхностиTa (100) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1325

Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя кремния из силана в вакууме, определен коэффициент десорбции водорода и энергия активации этого процесса. Проведено сопоставление данных величин с результатами других авторов, полученных в условиях низкотемпературного эксперимента, например, методом термодесорбционной спектрометрии. Найденные величины использованы для вычисления коэффициента кристаллизации и его зависимости от температуры роста и скорости распада моносилана на ростовой поверхности.
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Десорбция водорода споверхности вусловиях эпитаксиального наращивания слоев кремния измоносилана ввакууме // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1320

Исследуется кинетическая модель роста тонкой пленки на поверхности твердого тела, справедливая для случая, когда слои формируются в результате двумерного зародышеобразования. Вусловиях больших пересыщений газообразной фазы получены решения для функции распределения островков по размерам на начальном этапе роста, степени заполнения подложки островками на этапе коалесценции, скорости вертикального роста пленки и шероховатости ее поверхности. Эти решения выражают структурные характеристики растущей пленки через физические константы системы (межфазовая энергия на границе газ--твердое тело, активационные барьеры диффузии и десорбции) и параметры ростового процесса (температура поверхности и скорость осаждения материала). Полученные результаты позволяют проводить расчеты ростовой динамики тонких пленок в конкретных системах.
Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. Кинетика роста тонких пленок при зародышевом механизме формирования слоев // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1312

Исследована термодинамика стабильности твердых растворов Cd1-xHgxTe, MnxHg1-xTe иZnxHg1-xTe. Расчеты, проведенные в модели \glqqdelta-параметра решетки\grqq, указывают на стабильность твердых растворов CdHgTe иZnHgTe во всем диапазоне концентраций компонент при типичных температурах выращивания. Втоже время вMnHgTe обнаружена область несмешивания 0.33
Дейбук В.Г., Дремлюженко С.Г., Остапов С.Э. Термодинамическая устойчивость объемных иэпитаксиальных твердых растворов CdHgTe, ZnHgTe, MnHgTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1153

Методом атомно-силовой микроскопии исследовалась топология поверхностей GaAs (100) и (111) до и после кратковременных обработок в парах селена. Из анализа результатов этих исследований в сочетании с эллипсометрией и электронной микроскопией предложен механизм образования и роста наноостровков и слоя Ga2Se3 (110) на поверхностях GaAs (100) и (111).
Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Стародубцев А.А. Формирование наноструктур всистеме Ga2Se3 / GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1025

Установлено, что быстрое окисление слоев пористого кремния на воздухе может протекать в виде горения или взрыва пористого слоя. Горение происходит в слоях пористого кремния, пропитанных нитратом калия, при толщинах слоев менее60 мкм, в то время как взрывные процессы наблюдаются в более толстых пористых слоях. Предполагается, что взрывные процессы развиваются по тепловому механизму за счет экспоненциального увеличения скорости реакции с ростом температуры.
Лазарук С.К., Долбик А.В., Жагиро П.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Быстрые экзотермические процессы впористом кремнии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 917