Приведены результаты исследований методом вторичной ионной масс-спектрометрии нелегированных эпитаксиальных слоев 6H-SiC p-типа проводимости, выращенных из газовой фазы. Обсуждаются возможные источники фоновой примеси, механизм вхождения в слой и связь между стехиометрией и адсорбцией--- содной стороны, и эффектом конкурентного замещения примесями узлов кристаллической решетки--- с другой. Накопление алюминия в адсорбционном слое SiC объясняется его поверхностной активностью. Рост концентрации Al с увеличением концентрации углерода связывается с образованием кремниевых вакансий, занимаемых атомами алюминия.
Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC изгазовой фазы навхождениеAl // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1172

Проведен краткий сравнительный анализ эпитаксиальных технологий ростаSiC из газовой фазы. Отмечены две тенденции в использовании внутренней оснастки реакторов. Независимо от конструктивных особенностей и используемых активных газов параллельно с эпитаксиальным ростом идут химические реакции водорода с внутренней оснасткой реактора. Эти реакции контролируют реальное соотношение [C]/[Si] в газовой фазе и частично определяют фоновую концентрацию примеси в чистых эпитаксиальных слоях.
Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1169

Методом регистрации картины дифракции быстрых электронов in situ построена диаграмма структурного и морфологического состояния пленки Ge на поверхности Si (100), включающая в себя следующие области: сплошная пленка, hut- и dome-кластеры, dome-кластеры с дислокациями несоответствия на границе раздела. Впервые определено изменение параметров решетки пленки Ge в процессе ее роста на поверхности Si (100) при молекулярно-лучевой эпитаксии и обнаружены осцилляции изменения параметра поверхностной атомной ячейки в плоскости (100) на стадии двумерного слоевого роста.
Никифоров А.И., Черепанов В.А., Пчеляков О.П. Исследование процесса роста пленки Ge наповерхности Si (100) методом регистрирующей дифрактометрии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1032

Приведен исторический обзор становления под общим руководством и при участии Анатолия Васильевича Ржанова нового направления радиационной физики и технологии полупроводников. Направления, давшего массу практических приложений, но главное, заставившего коренным образом пересмотреть устоявшиеся ранее представления о реакциях в полупроводниковых кристаллах на основе данных о подвижной, подверженной внешним воздействиям, дефектно-примесной подсистеме. Развитые положения--- база для рассмотрения процессов на атомарном уровне, особенно при формировании и модификации активных кластеров и нанообъектов.
Смирнов Л.С. Атомные процессы в полупроводниковых кристаллах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1029

Исследовано поглощение в инфракрасной области спектра как исходных, так и термообработанных и облученных быстрыми электронами кристаллов Ge с повышенным содержанием изотопов кислорода 16O или18O. Колебательные полосы поглощения в Ge при 780, 818 и 857 см-1 приписаны комплексам из двух атомов кислорода (димерам) 16O, а полосы при 741, 776 и 811 см-1--- комплексам из атомов 18O. Установлено, что облучение кристаллов вблизи комнатных температур с последующим отжигом при 120-250oC приводит к увеличению интенсивности полос при 780 и 818 см-1. Полоса при 857 см-1 не изменяет свою интенсивность при облучении и по аналогии с Si отождествляется с другой конфигурацией кислородных димеров в Ge. Энергия связи димеров, обусловливающих полосы при 780 и 818 см-1, оценена на уровне 0.35-0.4 эВ.
Литвинов В.В., Мурин Л.И., Линдстром Л., Маркевич В.П., Клечко А.А. Колебательные моды димеров кислорода вгермании // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 900

Исследуется кинетика роста кластеров лития в германии. Предложена теория, обобщающая теорию Хэма и позволяющая описывать рост фрактальных кластеров. Показано, что кластеры лития в германии характеризуются фрактальной геометрией, а их фрактальная размерность равна2.4.
Булярский С.В., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 897

Исследовались электрические, оптические и газочувствительные свойства, а также структура и фазовый состав тонких магнетронных пленок SnO2 на подложках из стекла. Четырехзондовым методом и методом Ван-дер-Пау определено электросопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда в пленках. Из спектров собственного оптического поглощения оценена ширина запрещенной зоны и характер оптических переходов в поликристаллах. Измерена газовая чувствительность к токсичным и взрывоопасным газам. С помощью peнтгеновской дифракции и электронной микроскопии определены состав, морфология и кристаллическая структура термообработанных при 600oC пленок. В пленках только тетрагональная фаза SnO2, они хорошо кристаллизованы, средний размер зерна после термообработки составляет 11--19 нм. Рассмотрена модель электропроводности поликристаллических пленокSnO2.
Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnO2 // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 796

С помощью высокочастотного магнетронного распыления изготовлены поликристаллические пленки GaN на подложках из Si и поликора. Приложение отрицательного смещения при изготовлении повышает степень кристалличности пленок.
Блаут-Блачев А.Н. Поликристаллические пленки нитрида галлия, выращенные магнетронным распылением // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 718

Представлены результаты исследования влияния температуры термообработки кремния (винтервале 750-1100oC продолжительностью1 ч) на транспорт примесей кислорода и углерода между присутствующими в бездислокационных кристаллах n-Si примесно-дефектными скоплениями и матрицей кристалла. Выявленные немонотонные изменения концентраций кислорода и углерода в примесно-дефектных скоплениях интерпретированы как результат колебательных "реакций", проходящих в процессе аккомодации примесно-дефектных скоплений при изменении (увеличении) температуры кристалла. Оценены температурные границы таких колебательных "реакций".
Лукьяница В.В. Колебательные "реакции" втермообрабатываемом кремнии сучастием фоновых примесей кислорода иуглерода // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 513

Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленкиHgCdTe на подложках изSi при температуре роста=<sssim 190oC. Результаты оже-спектроскопии, оптических и электрофизических исследований показали большую зависимость качества осаждаемых пленок от типа источника и качества подложекSi.
Пляцко С.В., Бергуш Н.Н. Лазерная эпитаксия гетероструктурHgCdTe/Si // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 387