Проведено исследование методами просвечивающей электронной микроскопии гетероструктур с одним или несколькими слоями InxGa1-xN в матрице GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOCVD). Показано, что в гетероструктурах с толстыми слоями InGaN (~40 нм) наблюдается образование некогерентной системы слоистых доменов с характерными латеральными размерами порядка толщины слоя (~50 нм). В случае сверхтонких внедрений InGaN формируются нанодомены, когерентные с матрицей GaN. Определенное с помощью DALI-методики содержание In в островках достигает значений x~0.6 и более, что существенно выше, чем среднее содержание индия. Плотность образующихся нанодоменов в исследованных структурах составляет n~(2-5)·1011 см-2. В структурах со сверхтонкими внедрениями InGaN отмечено образование нанодоменов с двумя характерными размерами (3--6 и 8--15 нм).
Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer B., Gerthsen D. Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 647

Произведена теоретическая оценка размеров микровключений второй фазы в твердотельной матрице, наличие которых характерно для полупроводниковых соединений AIIIBV, AIIBVI, AIVBVI и их производных. Получена рабочая формула, связывающая температурный сдвиг пика внутреннего трения, обусловленного изменением формы включений под действием знакопеременных упругих напряжений, с линейными размерами включений. Результаты подтверждаются данными по низкочастотному внутреннему трению в SnTe.
Андреев Ю.Н., Даринский Б.М., Мошников В.А., Сайко Д.С., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение при изменении формы малых включений // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 644

Исследованы свойства атомов золота в кремнии и изменение их уровней под всесторонним гидростатическим давлением. Проведенные исследования показывают, что под воздействием давления(P)итемпературы(T) ширина запрещенной зоны кремния изменяется со скоростью d E/d P= -1.5· 10-11эВ/Па\quadи\quad d E/d T=-3.2· 10-6 эВ/К.
Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Турсунов И.Г., Туйчиев У.А. Изучение влияния внешних воздействий на поведение примеси золота в кремнии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 641

Исследовано влияние дополнительной имплантации электрически неактивных примесей углерода, кислорода, азота и фтора на образование донорных центров в кремнии, имплантированном эрбием. Показано, что дополнительная имплантация приводит к увеличению концентрации донорных центров, образующихся при отжигах. Изменение концентрации донорных центров зависит от типа вводимой примеси. Результаты указывают, что электрически неактивные примеси участвуют в образовании донорных центров.
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Николаев Ю.А. Влияние электрически неактивных примесей на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных эрбием // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 526

Исследуются температурные зависимости (300--77 K) концентрации и холловской подвижности носителей заряда в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Электрическая активность люминесцирующих центров с Er не наблюдалась. Продемонстрирована возможность точного контроля примесных профилей при получении структур типа p+-n-n+ для электролюминесценции.
Кузнецов В.П., Рубцова Р.А. Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si : Er / Si // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 519

Предложена схема взаимодействия между некоторыми легирующими элементами в твердых растворах на основе полупроводников, включающая реакцию образования заряженного комплекса при введении в раствор двухзарядных доноров или акцепторов. С использованием выражения для закона действующих масс реакций ионизации легирующих добавок и взаимодействия между ними, а также с учетом электронно-дырочного взаимодействия и условия электронейтральности полупроводника получены аналитические выражения зависимости растворимости доноров от содержания акцепторов, и наоборот. Полученные соотношения апробированы на примере системы Ce--Cu--Sb. Показано, что рассчитанные на основе развитой теории и экспериментальные значения растворимости хорошо согласуются между собой.
Глазов В.М., Потемкин А.Я. Взаимодействие между медью и сурьмой в твердом растворе на основе германия с образованием заряженного комплекса // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 513

Представлены результаты исследования атомов примесей, представляющих два важнейших класса (так называемые "мелкие" и "глубокие") в монокристаллической матрице полупроводников группы AIIIBV с целью определения возможностей и перспектив сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии для решения прикладных аналитических и технологических задач полупроводникового материаловедения.
Картавых А.В., Маслова Н.С., Панов В.И., Раков В.В., Савинов С.В. Туннельная спектроскопия атомов примесей в монокристаллической полупроводниковой матрице // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 394

Рассматривается возможность использования твердого раствора Bi2-xSbxTe3 n-типа в термоэлектрических охладителях при T
Кутасов В.А., Лукьянова Л.Н., Константинов П.П. Высокоэффективные термоэлектрические материалы n-(Bi, Sb)2Te3 для температур ниже200 K // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 389

Методом минимизации свободной энергии реального кристалла проводится расчет сложных дефектов в полупроводниках. Рассматривается влияние электронной подсистемы на процесс растворения примеси. Проведено моделирование кривых солидуса с учетом парной ассоциации и кластеризации.
Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика комплексообразования икластеризации дефектов в полупроводниках // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 385

Изучено влияние ультразвуковой обработки на микропластические свойства приповерхностной области бездислокационного кремния. Исследования проводились на искусственно введенных дислокационных розетках. Использовался кремний p-типа с ориентацией поверхности[111]. Обнаружено, что ультразвуковая обработка приводит к образованию приповерхностного упрочненного слоя толщиной до 100 мкм и выходу на поверхность скоплений точечных дефектов типа вакансионных и вакансионно-примесных кластеров. Обсуждается возможный механизм наблюдаемых явлений.
Островский И.В., Стебленко Л.П., Надточий А.Б. Образование поверхностного упрочненного слоя вбездислокационном кремнии при ультразвуковой обработке // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 257