Using molecular-dynamics simulation we have calculated the total energy for unconstrained and biaxially confined model of Ge1-xSnx alloys. It allows us to study the thermodynamic stability of both disordered and ordered phases of semiconductor alloys. We have found a remarkable suppression of the phase separation in Ge1-xSnx due to biaxial strain.
Deibuk V.G., Korolyuk Yu.G. Thermodynamic stability ofbulk andepitaxial Ge1-xSnx semiconductor alloys // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1153

Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследован механизм диффузии Cu вдоль атомарно-чистой поверхности кремния (110) вдиапазоне температур 500-650oC. Показано, что перенос меди вдоль поверхности кремния осуществляется путем ее диффузии через объем кремния исегрегации атомов меди на поверхность впроцессе диффузии. Получены зависимости эффективных коэффициентов диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) от температуры. Проводится сравнение результатов, полученных на поверхностях Si(110) срезультатами, полученными ранее на поверхности Si(111).
Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З. Механизм диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1031

Сиспользованием методов рентгеновской дифракции, оптического поглощения вближнем инфракрасном диапазоне и эффекта Холла исследовано влияние условий роста на структуру и свойства слоев GaAs, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием. Проанализирована связь между захватом избыточного мышьяка и электрофизическими свойствами слоев.
Вилисова М.Д., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Торопов С.Е., Чалдышев В.В. Легирование слоев GaAs кремнием вусловиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1025

Представлены результаты исследования начальных стадий роста островковых алмазных пленок, полученных методом термического газофазного осаждения (hotfilamentCVD) на оптически полированном кристаллическом кремнии. Методом атомно-силовой микроскопии изучена эволюция островков, образовавшихся на начальных стадиях роста пленки, в процессе их отжига. Установлено, что на начальных стадиях роста изменение плотности островков происходит за счет коалесценции близко расположенных островков. Затем, при достижении островками критического размера, начинается оствальдовское созревание островков.
Феоктистов Н.А., Афанасьев В.В., Голубев В.Г., Грудинкин С.А., Кукушкин С.А., Мелехин В.Г. Начальные стадии роста островковых алмазных пленок накристаллическом кремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 910

Рассмотрены реакции отжига комплексов межузельного атома углерода с углеродом замещения (CiCs) и A-центра (VO) в n-Si, облученном быстрыми электронами или gamma-квантами 60Co. Сделан расчет кинетики изохронного отжига этих центров. Путем сопоставления результатов расчета с литературными экспериментальными данными, полученными при измерениях концентрации центра с уровнем Ec-0.17 эВ в процессе изохронного отжига облученного n-Si, определено значение энергии диссоциации комплекса CiCs: ECiCs=(1.10±0.05) эВ. Энергия активации отжига этого центра EaCiCs~ 2.0 эВ. Сделана оценка энергии диссоциации A-центра: EA=1.94 эВ.
Бояркина Н.И., Смагулова С.А., Артемьев А.А. Энергии диссоциации комплекса CiCs и A-центра вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 907

Бесконтактным локальным фотоакустическим методом, базирующимся на спектроскопии отклонения лазерных лучей, впервые оценены в микронных областяхSi иGaAs величины 10-5
Винценц С.В., Зотеев А.В., Плотников Г.С. Опорогах возникновения неупругих деформаций вповерхностных слояхSi иGaAs примногократном импульсном лазерном облучении // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 902

Фазовые диаграммы поверхностных структур GaAs (001) использованы для калибровки датчиков температуры подложки и потока As вустановках молекулярно-лучевой эпитаксии. Измерена температура сублимации слоя аморфного мышьяка, адсорбированного на поверхность арсенида галлия. Показано, что данная температура постоянна и не зависит от скорости нагрева подложки, толщины осажденного слоя, вакуумных условий внутри установки молекулярно-лучевой эпитаксии и может быть использована вкачестве реперной точки при калибровке температуры подложки вобласти низких температур роста.
Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs принизких температурах роста // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 897

Предлагается метод математической обработки сильно зашумленных электронно-микроскопических фотографий нанокомпозитов. Метод заключается вспайновой фильтрации изображения на основе средних значений интенсивности фона. Метод применен для обработки электронно-микроскопических фотографий аморфного углерода, легированного медью. Сего помощью удалось получить функцию распределения по размерам медных кластеров, хорошо согласующуюся сранее полученными результатами. Кроме того, определена зависимость межкластерного расстояния от размеров кластеров. Было показано, что форма этой зависимости подтверждает гипотезу офлуктуационном зарождении кластеров при меньших концентрациях металла и коалесценции при больших концентрациях.
Иванов-Омский В.И., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Анализ функции распределения поразмерам нанокластеров металлов вматрице гидрогенизированного аморфного углерода // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 797

Экспериментально показано изменение условий собирания примесей после долговременных отжигов, предшествующих диффузии примесных атомов. Вкачестве метки этих изменений используется золото в акцепторном состоянии, влияющее на величину удельного сопротивления и время релаксации фотопроводимости.
Быковский Ю.А., Воронкова Г.М., Григорьев В.В., Зуев В.В., Зуев А.В., Кирюхин А.Д., Чмырев В.И., Щербаков С.А. Изменение условий собирания примесей после долговременных отжигов // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 794

Представлены результаты исследования влияния параметров процесса термического газофазного осаждения на фазовый состав алмазных пленок, выращенных на кремниевой подложке. Найден режим роста, отвечающий наибольшему содержанию в пленках алмазной фазы при скорости роста~ 1 мкм/ч.
Байдакова М.В., Вуль А.Я., Голубев В.Г., Грудинкин С.А., Мелехин В.Г., Феоктистов Н.А., Крюгер А. Получение алмазных пленок накристаллическом кремнии методом термического газофазного осаждения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 651