Рассмотрены основные причины диффузионного расплывания состава твердого раствора в окрестности границ Si транспортного канала в гетероструктуре Si / Si1-xGex, выращиваемой комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии с твердофазным (Si) и газофазным (GeH4) источниками. Для выращенных структур проведено сопоставление роли различных механизмов в формировании профиля металлургической границы слоя и оценено влияние расплывания границ канала на величину подвижности двумерных электронов в нем.
Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Потапов А.В. Оценка перемешивания состава в окрестности границ гетероэпитаксиальных структур Si(Ge) / Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярнo-пучковой эпитаксии с комбинированными источниками Si и GeH4 // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1153

Анализируются основные закономерности рассеяния захваченных электронов на захваченных полярных оптических (ПО) фононах в квантовых ямах. Вычислена зависимость подвижности электронов в Al0.25Ga0.75As/GaAs/Al0.25Ga0.75As КЯ от ее ширины. Показано, что возрастания и спады подвижности электронов (относительно ее значения в объемном полупроводнике) в зависимости от ширины КЯ обусловлены межподзонным резонансным рассеянием. Вычислена зависимость подвижности электронов, обусловленной рассеянием на полярных оптических фононах, от концентрации электронов в КЯ, ns. Показано, что в Al0.25Ga0.75As/GaAs/Al0.25Ga0.75As квантовых ямах наблюдается аномальный эффект уменьшения проводимости с ростом концентрации электронов ns выше1016 м-2.
Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Подвижность и рассеяние электронов наполярных оптических фононах вгетероструктурных квантовых ямах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1053

Исследована лазерно-стимулированная диссоциация областей, обогащенных металлом, и перераспределение точечных дефектов в объеме полупроводникового кристалла под действием инфракрасного лазерного излучения (при энергиях фотонов меньше ширины запрещенной зоны). Показано, что скорость генерации дефектов зависит от плотности мощности, длины волны лазерного излучения и от концентрации примеси. Установлены два механизма миграции лазерно-индуцированных дефектов и оценены энергии активации миграции при воздействии лазерного излучения и после того, как воздействие прекращено.
Пляцко С.В. Генерация объемных дефектов внекоторых полупроводниках лазерным излучением вобласти прозрачности кристалла // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1046

Исследован процесс образования малых кислородных кластеров при температурах T=280-375oC в кристаллическом кремнии, легированном водородом путем высокотемпературной диффузии. Установлено, что присутствие водорода в концентрациях 1015-1016 см-3 приводит к существенному возрастанию (до 106раз при T=< 300oC) коэффициента диффузии кислорода в кристаллах Si. Обсуждаются возможные механизмы взаимодействия примесных атомов O и H и причины ускоренной водородом диффузии кислорода в кремнии.
Маркевич В.П., Мурин Л.И., Lindstrom J.L., Suezawa M. Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1039

Проводится исследование влияния олова на спектры поглощения кислорода и на процессы образования низкотемпературных термодоноров (T=450oC) в кремнии. Проводится сравнение с влиянием германия и углерода. Обнаружено, что легирование кремния оловом, подобно легированию германием и углеродом, приводит к снижению эффективности образования термодоноров. Показано, что эффект подавления образования термодоноров зависит от величины упругих напряжений, создаваемых изовалентными примесями в кремнии: чем больше деформационный заряд примеси, тем при меньших концентрациях наблюдаются сравнимые эффекты.
Помозов Ю.В., Соснин М.Г., Хируненко Л.И., Яшник В.И. Особенности поведения кислорода в кремнии, легированном оловом // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1035

Исследуется процесс образования и отжига радиационных дефектов в образцах Si1-xGex, облученных быстрыми электронами с энергией 4 МэВ. Показано, что в области концентраций германия 3.5-15 ат% наблюдается снижение эффективности образования кислородсодержащих дефектов (VOиVO2) по сравнению с кремнием. Обнаружено существование 3типов VO-центров в Si1-xGex, невозмущенных и возмущенных близлежащими атомамиGe.
Помозов Ю.В., Соснин М.Г., Хируненко Л.И., Яшник В.И., Абросимов Н.В., Шредер В., Хене М. Кислородсодержащие радиационные дефекты вSi1-xGex // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1030

Методом электронного парамагнитного резонанса непосредственно исследовалось влияние внешних воздействий на дефектную систему неоднородно легированных железом кристаллов фосфида галлия. Замещающие галлий ионы Fes3+(Ga) (A-центры) и межузельные атомы Fei0 (B-центры) рассматриваются в качестве индикаторов и участников перестройки дефектной системы кристалла. Обнаружено дальнодействующее влияние ионного облучения аргоном, химического травления или механической шлифовки на A- и B-центры. Эффект дальнодействия объясняется пластической деформацией кристалла GaP : Fe и взаимодействием дислокаций с A- и B-центрами при модификации кристалла ионным облучением или удалением с одной стороны вызывающего механические напряжения слоя, насыщенного Fes3+(Ga)-центрами. В случае ионного облучения, по-видимому, важна роль упругих волн, генерируемых в зоне торможения ионов аргона и взаимодействующих с B-центрами и дислокациями.
Демидов Е.С., Громогласова А.Б., Кaрзанов В.В. Дальнодействующее влияние ионного облучения, химического травления имеханической шлифовки на релаксацию твердого раствора железа вфосфиде галлия // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1025

Методы просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура пленок GaN (0001), нелегированных и легированных кремнием с концентрациями 1017 см-3 и 1018 см-3, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Al2O3 (0001) без нитридизации и буферного слоя. Проведены исследования дефектных структур, включающих в себя инверсионные домены, полые трубки и дефекты упаковки в базовой плоскости (0001). Прослежено влияние легирования кремнием на плотность прорастающих дислокаций и размеры зерен GaN, ограниченных инверсионными доменами. Показано, что при концентрации легирующего кремния 1017 см-3 происходит сглаживание ступенчатого рельефа поверхности пленки GaN.
Черкашин Н.А., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Новиков С.В., Cheng T.S., Foxon C.T. Структурные исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии нелегированного и легированного кремнием GaN, выращенного на подложке Al2O3 // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 903

Емкостными методами и методом электронного парамагнитного резонанса проведено исследование глубоких центров, образующихся в n-6H-SiC, облученном протонами с энергией8 МэВ. В качестве образцов были выбраны диоды Шоттки и p-n-структуры, как изготовленные методом сублимационной эпитаксии, так и коммерчески выпускаемые CREE Inc(США). Обнаружено, что тип вводимых облучением центров не зависит от технологии изготовления материала и от вида заряженных частиц. Показано, что под действием облучения происходит увеличение суммарной концентрации донорных центров. На основе данных по отжигу дефектов и данных электронного парамагнитного резонанса сделаны предположения о возможной структуре образовавшихся центров.
Лебедев А.А., Вейнгер А.И., Давыдов Д.В., Козловский В.В., Савкина Н.С., Стрельчук А.М. Радиационные дефекты вn-6H-SiC, облученном протонами сэнергией8 МэВ // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 897

Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследовано распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) A, (111) B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время анализа методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при анализе методом масс-спектрометрии вторичных ионов, так и с ускоренной диффузией Si по дефектам роста.
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Неволин В.К., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В. Исследование распределения и перераспределения кремния в тонких легированных слоях арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) А, (111) В // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 769