Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследована зависимость пространственного распределения бора, возникающего в облученном ионами B+ кремнии в результате отжига при температуре 900oC, от исходной концентрации бора в диапазоне (1/9)·1019 см-3. Установлено, что если исходная концентрация бора превышает предельную растворимость для используемой температуры отжига, то на концентрационных профилях примеси вблизи границ разупорядоченной облучением области возникают два дополнительных максимума. Предполагается, что их образование связано с кластеризацией избытка межузельных атомов примеси, не встроившегося в узлы после вытеснения атомов бора из узловых положений собственными междоузлиями, выходящими из разупорядоченной области.
Ободников В.И., Тишковский Е.Г. Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 417

Сделана попытка связать происхождение U-полосы в спектре DLTS GaAs, облученного нейтронами импульсного реактора, с известными дефектами P2 и P3, локализованными вблизи областей разупорядочения. Полагалось, что форма и положение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены в результате влияния электрического поля областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с уровней дефектов. Выполнен расчет спектров DLTS для P2- и P3-центров, расположенных в областях с внутренними электрическими полями. Сопоставление суммарного расчетного спектра для P2- и P3-центров с U-полосой показало удовлетворительное согласие расчета с экспериментом.
Новиков В.А., Пешев В.В. Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов вGaAs наспектры DLTS // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 411

Рентгеновскими методами изучено влияние дозы облучения, концентрации и типа легирующей примеси на размеры разупорядоченных областей в GaAs. Проанализирована роль примеси в формировании разупорядоченных областей и их эволюции с дозой облучения.
Кладько В.П., Пляцко С.В. О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 261

Пленки PbTe/BaF2 выращены в неравновесных условиях методом модулированной лазерным излучением эпитаксии. Структурные свойства слоев исследовались рентгеноструктурными методами и сканирующей туннельной микроскопией. На основе этих исследований установлено, что пленки, полученные в неравновесных условиях на подложках (III) BaF2, являются зернистыми (d=< 250 Angstrem) с ориентацией(001). Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок зависят от технологических условий роста и определяются состояниями на межзеренных границах.
Пляцко С.В. Особенности роста и физических свойств PbTe/BaF2, полученного внеравновесных условиях // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 257

Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области электронами малых и средних энергий используется для анализа сверхмелких p+-n-переходов в кремнии (100), которые создаются в условиях неравнавесной примесной диффузии. Исследуется энергетическая зависимость коэффициента радиационной проводимости, а также его распределение по площади p+-n-перехода. Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p+-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесной диффузии, лежащих в основе получения сверхмелких p-n-переходов. Кроме того, впервые представляются разультаты исследований распределения вторичных точечных центров, которые образуются вблизи границы сверхмелкого диффузионного профиля и в значительной степени влияют на транспорт неравновесных носителей. Полученные данные демонстрируют возможности повышения эффективности повышения фотоприемников, детекторов alpha-частиц и солнечных батарей, создаваемых на основе сверхмелких p-n-переходов.
Андронов А.Н., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Робозеров С.В. Сверхмелкие p+-n-переходы в кремнии (100): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 137

Методом диффузионного насыщения радиоактивным изотопом 119mSn пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния определена растворимость олова в этом материале. Температурная зависимость растворимости олова описывается соотношением S [см-3]=4·1022exp(-0.46/kT [эВ]).
Куликов Г.С., Ходжаев К.Х. Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 135

Проведено исследование влияния легирования германием на эффективность образования основных вторичных радиационных дефектов в кремнии при низкотемпературном (T=<90 K) электронном облучении. Снижение эффективности образования A- и V2-центров в Si<Ge> в условиях эксперимента объясняется в предположении, что атомы германия являются центрами непрямой рекомбинации радиационных дефектов вSi<Ge>.
Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. Радиационное дефектообразование вкремнии, легированном германием, принизкотемпературном облучении // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 132

Анализ температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда в бездислокационном n-кремнии позволил сделать заключение о рекомбинационной активности ростовых микродефектов различных типов. Определены параметры основных рекомбинационных центров, связанных с микродефектами A- иB-типа.
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф. Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефекты различных типов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 129

Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследованы сверхрешетки InAs--GaAs, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре. Показано, что, несмотря на очень высокую концентрацию точечных дефектов, обусловленных наличием избыточного мышьяка, исходная сверхрешетка обладает высоким кристаллическим совершенством. Анализ изменений рентгенодифракционных кривых показал, что высокотемпературный отжиг, сопровождающийся образованием кластеров As и диффузией индия, приводит к значительным структурным преобразованиям в матрице GaAs и на интерфейсах.
Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В. Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 24

Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения примеси в системе SiO2--Si при термическом окислении кремния, учитывающая неравновесный характер сегрегации на движущейся межфазной границе. Путем численного анализа эксперименатльных данных определены величина и температурная зависимость коэффициента массопереноса фосфора на межфазной границе SiO2--Si.
Александров О.В., Афонин Н.Н. Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 19