Предложена модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, в сильно легированных слоях кремния посредством объемной рекомбинации собственных межузельных атомов на центрах, связанных с легирующей примесью. Учет рекомбинации избыточных собственных межузельных атомов, генерируемых при термическом окислении, позволяет описать зависимость ослабления диффузии, ускоренной окислением, от уровня легирования. Из анализа экспериментальных данных по диффузии, ускоренной окислением примесейB иP в изоконцентрационно-легированных слоях кремния, определены константы скорости ирекомбинации о оценены радиусы захвата при различных вариантах взаимодействия избыточных собственных межузельных атомов с примесными атомами и парами примесь-вакансия.
Александров О.В., Афонин Н.Н. Модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, всильно легированных слоях кремния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 649

Исследованы процессы образования пассивированных водородом поверхностей внутри имплантированного водородом монокристаллического кремния, содержащего заглубленный, легированный бором слой. Методом адсорбционной инфракрасной спектроскопии показано, что состав водородосодержащих дефектов в кремнии, содержащем заглубленный, сильно легированный бором слой, и не содержащем такого слоя, одинаков при отжиге. Процессы блистеринга и отслаивания тонкой пленки ускоряются в присутствии сильно легированного слоя. Изменяются энергии активации соответствующих процессов. Таким образом, изменяется процесс развития полостей в таких слоях при термическом отжиге. Образование пассивированных водородом поверхностей происходит на глубине, соответствующей глубине проективного пробега ионов водорода, что также соответствует глубине залегания легированного бором слоя. При переносе тонкой пленки \glqq кремний-на-изоляторе\grqq наблюдалось уменьшение шероховатости ее поверхности в2-5раз.
Киланов Д.В., Попов В.П., Сафронов Л.Н., Никифоров А.И., Шольц Р. Водородно-индуцированное скалывание вкремнии позаглубленному слою, сильно легированному бором // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 644

Сообщается орезультатах сравнительных исследований стехиометрии состава эпитаксиальных пленок теллурида кадмия, синтезированных из паровой фазы вравновесных и резко неравновесных условиях (на охлажденных подложках). Приводятся данные микрорентгеноструктурного и атомно-абсорбционного анализа пленок и паровой фазы. Выявлено повышение стехиометричности состава при понижении температуры подложки. Показано, что наиболее совершенную кристаллическую структуру имеют пленки, синтезированные врезко неравновесных условиях.
Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние резко неравновесных условий настехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 641

Исследовано распространение неравновесных акустических фононов вмонокристаллическом ZnTe при гелиевых температурах как при оптической генерации фононов, так и при генерации фононов нагревом металлической пленки. Для ориентации[110]ZnTe зарегистирован приход продольных и поперечных акустических фононов, хорошо разрешаемых особенно вслучае генерации фононов нагревом металлической пленки. Обнаружена \glqq засветка\grqq болометра излучением материала ZnTe спостоянной времениtau~90 нс, что, по-видимому, можно связать слюминесценцией кислородных комплексов, поскольку времена жизни других комплексов и связанных экситонов намного короче.
Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Шарков А.И., Коростелин Ю.В., Зайцев В.В. Распространение неравновесных фононов вмонокристаллическомZnTe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 539

Исследованы теплопроводность, электропроводность и термоэдс тройных полупроводниковых соединений CdSnAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2 иZnGeAs2 втвердом и жидком состояниях. Показано, что при плавлении электропроводность и теплопроводность этих соединений увеличивается, атермоэдс уменьшается до величин, характерных для жидких металлов. Вотличие от металлических расплавов электропроводность и вычисленные из соотношения Видемана--Франца значения чисел Лоренца(L) стемпературой растут. Расплавы этих соединений по классификации Мотта входят вгруппуB. Плавление полупроводников типа AIIBIVCV2 приводит ких металлизации.
Магомедов Я.Б., Айдамиров М.А. Структурное разупорядочение и соотношение Видемана--Франца врасплавах некоторых полупроводников типаA IIB IVC V2 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 385

Исследовано влияние подсветки на изотермическую релаксацию медленных фотоиндуцированных метастабильных дефектов (метастабильных электрически активных атомов примеси) впленках a-Si : H, легированных бором. Было установлено, что при наличии подсветки кинетику релаксации этих метастабильных дефектов определяют не только процессы термического отжига и фотоиндуцированного образования, но и процесс фотоиндуцированного отжига.
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов влегированных бором пленках a-Si : H // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 142

Методом атомно-силовой микроскопии изучены особенности формирования поверхностного рельефа германия на начальных стадиях многократного фотодеформирования полупроводника. Упругие и неупругие деформации твердого тела вызывались его сканирующим импульсным лазерным облучением. Вовремя упругих фотодеформаций германия изменения исходного нанорельефа поверхности не детектируются, тогда как после неупругих деформаций мы обнаружили низкопороговое формирование упорядоченных поверхностных наноструктур. Обсуждается взаимосвязь эффекта с лазерно-индуцированной генерацией точечных дефектов вблизи порогов возникновения неупругих деформаций полупроводника.
Винценц С.В., Зайцева А.В., Плотников Г.С. Самоорганизация лазерноиндуцированных точечных дефектов наначальных стадиях неупругих фотодеформаций германия // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 134

Методом селективного травления ирентгенодифрактометрии изучены особенности строения нелегированных слитков CdTe, выращенных вгазодинамическом потоке при 620oC. Установлено, что вплоть до скорости осаждения 500 мкм/ч образцы состоят из независимо растущих стержней < 111> обеих полярностей, что свидетельствует впользу стехиометричности состава паров взоне роста. Оба типа стержней имеют поперечную штриховку из-за присутствия вних восновном двойников вращения, при этом взернах снаправлением роста[111] A двойниковые границы являются также ималоугловыми границами сдополнительной разориентацией двойниковых индивидов на 0.2--0.3o.
Клевков Ю.В., Мартовицкий В.П., Медведев С.А. Особенности дефектной структуры текстурированных слитков нелегированного CdTe, выращенных свободным ростом изгазодинамического потока паров // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 129

Проведен анализ вклада носителей заряда вмодуль упругости 4-го порядка beta для кремния n- иp-типов при одноосном растяжении внаправлении[110] вприближении малых деформаций. Концентрационное изменениеbeta измерялось методом спонтанного возбуждения волн Лэмба визогнутых пластинах разного уровня легирования. По экспериментальным зависимостям определена константа деформационного потенциала зоны проводимости Xiu=7±1 эВ иусредненное значение деформационного потенциала валентной зоны \root4\of<Phi4>=5.6±0.8 эВ при комнатной температуре.
Скворцов А.А., Литвиненко О.В., Орлов А.М. Определение констант деформационного потенциала n-Si, p-Si поконцентрационному ангармонизму // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 17

Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). Вкристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. Вкристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента ХоллаRH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.
Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А. Электрическая активность дислокаций иточечных дефектов деформационного происхождения вкристаллах CdxHg1-xTe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 8