Для любых амплитуд многочастотных сил из общих принципов ибез упрощений получены ирешены ваналитической форме двумерные уравнения для многочастотных групп кинков. Представлен анализ движения кинков.
Поляков М.Е. Многочастотные кинки вмногочастотных внешних полях // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 3

Проведен анализ физических и физико-химических процессов, способных приводить к появлению градиента состава жидкой фазы при эпитаксии пленок твердого раствора GaAs1-xSbx. Показано, что доминирующим механизмом в этом случае является гравитационная ликвация.
Бирюлин Ю.Ф. Овлиянии сегрегации на состав твердого раствора GaAs1-xSbx вметоде жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1409

На основе модели диффузии фосфора вкремнии по дуальному парному механизму проведен количественный анализ влияния стоков, связанных со структурными дефектами. Показано, что учет стоков для собственных межузельных атомов приводит кзамедлению ускоренной диффузии фосфора вобласти малых концентраций на хвосте концентрационного профиля. Влияние стоков наиболее сильно выражено при положении максимума их концентрации вобласти максимума генерации собственных межузельных атомов внутри диффузионного слоя. Из сравнения расчетов сэкспериментальными данными определены параметры захвата собственных межузельных атомов на структурные дефекты, введенные диффузией фосфора иимплантацией электрически неактивных примесейGe иN.
Александров О.В. Влияние стоков собственных точечных дефектов на диффузию фосфора вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1345

Приведены результаты исследований влияния мелкой донорной примеси на температурную зависимость микротвердости ифотомеханического эффекта вмонокристаллическом кремнии. Показано, что сувеличением концентрации примеси изменяется температурная зависимость темновой микротвердости, уменьшается величина фотомеханического эффекта итемпературный интервал его существования. Полученные данные объясняются на основе механизма уменьшения микротвердости сростом температуры за счет увеличения концентрации фононов иантисвязывающих квазичастиц, при этом за наблюдаемые изменения фотомеханического эффекта ответственным является перераспределение концентрации антисвязывающих квазичастиц, созданных межзонными переходами ипереходами спримесных уровней, которые обладают разной величиной расслабляющего действия.
Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д. Влияние мелких примесей на температурную зависимость микротвердости ифотомеханического эффекта вполупроводниках // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1191

Импульсное распределение электрон-позитронных пар внитридах GaN иAlN впервые исследовано спомощью метода измерений одномерной угловой корреляции аннигиляционного излучения (1D-УКАИ). Установлено, что величина характеристического параметра электронной плотности r's (радиус сферы, занимаемой электроном), рассчитанная спомощью экспериментальных данных, заметно отличается от численного значения rs, оцененного на основе общепринятой модели независимых частиц: r's(AlN)~1.28rs и r's(GaN)~1.66 rs, где rs(AlN)~1.6091 а.е. и rs(GaN)~1.6568 а.е. Химическая природа атомов вокружении аннигилирующего позитрона вAlN иGaN определялась по величине электрон-позитронного ионного радиуса остовов Al3+, Ga3+ иN5+, который оценивался спомощью характеристик высокоимпульсного компонента кривых 1D-УКАИ. Основой анализа результатов служило сравнение величин электронной плотности иэлектрон-позитронного ионного радиуса остовов с\glqq эталонными\grqq значениями, полученными для металловAl, Ga и\glqq родственных\grqq нитридам материалов GaP, GaAs, GaSb. Сделано заключение одоминирующем процессе аннигиляции позитронов вобластях вакансионных комплексов, включающих всвой состав вакансии галлия иалюминия, VGa иVAl, идефекты замещения (антисайты) N+Ga иN+Al соответственно вGaN иAlN.
Арутюнов Н.Ю., Михайлин А.В., Давыдов В.Ю., Емцев В.В., Оганесян Г.А., Халлер Е.Е. Исследование комплексов вакансионного типа вGaN иAlN методом аннигиляции позитронов // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1186

Вреальном времени методом спектральной эллипсометрии исследовался рост островков Ge на двух типах поверхности Si (100) и (111). Обнаружено, что оба случая соответствуют росту Станского--Крастанова, т. е. вначале образуется смачивающий слой из Ge и лишь затем на поверхности этого слоя растут островки новой фазы. Однако на поверхности (100) зарождение островков сопровождается существенным уменьшением толщины смачивающего слоя, тогда как на (111) островки зарождаются и растут на смачивающем слое постоянной толщины. Так как на поверхности (100) атомы Ge переходят из смачивающего слоя в островки, существенно уменьшая при этом упругую энергию системы (но увеличивая поверхностную энергию), делается вывод о том, что в данном случае именно упругая энергия является основной движущей силой процесса зарождения островков. Развиты термодинамическая и кинетическая теория процесса зарождения островков из смачивающего слоя под действием упругой энергии. Введено новое понятие--- перенапряжение--- по аналогии с пересыщением и переохлаждением. Описана временная эволюция толщины смачивающего слоя, скорости зародышеобразования и поверхностной концентрации островков новой фазы. Проведено сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными, полученными эллипсометрическим моделированием, и показано их хорошее соответствие друг другу.
Кукушкин С.А., Осипов А.В., Schmitt F., Hess P. Зарождение когерентных полупроводниковых островков при росте по механизму Странского--Крастанова, индуцированное упругими напряжениями // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1177

Исследованы химическая связь бинарных соединений GaP, InP, InAs, InSb, InBi, атакже перестройка характера связи вполупроводниковых сплавах GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-xBix сизменением состава, характеризуемого параметромx. Использовался подход, связанный сучетом полной валентной плотности заряда, полярности химической связи ипоперечного эффективного заряда. Проведен расчет упругих постоянных указанных тройных твердых растворов ипроанализировано влияние на них перестройки химической связи. Учет локальных деформаций икомпозиционной неупорядоченности врассматриваемых сплавах сильно влияет на зависимости исследуемых величин от состава твердых растворов. Таким образом, вышеуказанными эффектами нельзя пренебрегать при исследовании твердых растворов замещения.
Дейбук В.Г., Виклюк Я.И. Химическая связь иупругие постоянные некоторых тройных твердых растворов A IIIB V // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1171

Проведено исследование структуры, химических свойств и энергий образования димеров халькогенов в кремнии с использованием квантово-химических расчетов из первых принципов методом Хартри--Фока. Определены равновесная геометрия, распределение электронной плотности и параметры химической связи атомов в решетке. Показано, что существенный вклад в полную энергию кристалла вносит релаксация решетки вокруг примесных дефектов. Предсказана стабильность димеров халькогенов, связанная с уменьшением полной энергии кристалла при их образовании. Полученные оценки энергии образования димеров хорошо согласуются с имеющимися результатами экспериментальных исследований реакций их формирования. Обсуждается геометрия, электронные и химические свойства примесных кластеров, содержащих до шести атомов халькогенов.
Таскин А.А. Димеры халькогенов вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1163

Исследовались образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, сконцентрацией фосфора ~6·1013 см-3, облученные электронами сэнергией 2 МэВ ипротонами сэнергией 25 МэВ. Показано, что кинетика изохронного отжига A-центров идивакансией (температура отжига иперестройка радиационных дефектов, когда диссоциация одних приводит кобразованию более стабильных центров) сложным образом зависит от энергии, дозы итемпературы облучения, т. е. от соотношения концентраций различных радиационных дефектов изарядового состояния вступающих вреакции первичных радиационных дефектов при взаимодействии друг сдругом, спримесными атомами иразупорядоченными областями. Увеличение концентрации дивакансий вобласти 180-210oC объясняется диссоциацией разупорядоченных областей.
Пагава Т.А. Зависимость кинетики отжига A-центров идивакансий оттемпературы, энергии идозы облучения вкристаллах n-кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1159

Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) вобразцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который сувеличениемn смещается всторону больших значенийvarphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся вединицу времени, изаряжающих их свободных носителей тока.
Пагава T.А., Башелейшвили З.В. Влияние концентрации основных носителей тока иинтенсивности облучения наэффективность введения радиационных дефектов вкристаллах n-Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1157