Исследовано перераспределение иттербия и кислорода в слоях кремния, имплантированных ионамиYb+ с энергией 1 МэВ и дозой 1·1014 см-2, превышающей порог аморфизации, а также ионами O+ с энергией 135 кэВ и дозой 1·1015 см-2, после отжигов при 620 и900oC. Перераспределение Yb обусловлено се...
Исследовано перераспределение иттербия и кислорода в слоях кремния, имплантированных ионамиYb+ с энергией 1 МэВ и дозой 1·1014 см-2, превышающей порог аморфизации, а также ионами O+ с энергией 135 кэВ и дозой 1·1015 см-2, после отжигов при 620 и900oC. Перераспределение Yb обусловлено сегрегацией на границе между аморфным и монокристаллическим слоями при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации скрытого аморфизованного слоя. Перераспределение кислорода и его накопление в областях с максимальной концентрацией Yb связано с диффузией кислорода и образованием комплексов YbOn с n, изменяющимся от 1 до6. Определены параметры зависимости коэффициента сегрегации Yb от толщины перекристаллизационного слоя и параметры образования YbOn-комплексов.
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Asomoza R., Kudriavtsev Yu., Villegas A., Godines A. Перераспределение иттербия икислорода при отжиге аморфизованных имплантацией слоев кремния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1409