Представлены результаты исследования процессов образования в кремнии комплексов, связанных с атомами селена. На основании анализа кинетики формирования донорных центров определены состав простейших комплексов и основные параметры их образования. Проведен анализ процесса полимеризации Se + Sen-1=<ftrightarrowSen атомов селена в кремнии, позволивший количественно описать особенности диффузии атомов селена из имплантированной области в глубину кристалла. Равновесная растворимость атомов селена в кремнии рассматривается как результат формирования ограниченной концентрации мономеров в процессах образования комплексов.
Таскин А.А., Тишковский Е.Г. Образование комплексов, связанных сатомами селена, вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 641

На основе дуального парного механизма проведено моделирование низкотемпературной (500--800oC) диффузии мышьяка из сильно легированного слоя кремния. Аномально высокая скорость диффузии связывается сизбыточными собственными межузельными атомами, запасенными в слое во время предшествующей высокотемпературной стадии диффузии. Смещение концентрированного профиля в области средних концентраций обусловлено наличием максимума на концентрационной зависимости коэффициента диффузии и связано со значительной долей составляющей диффузии мышьяка посредством отрицательно заряженных собственных межузельных атомов (fI-~ 0.4).
Александров О.В. Моделирование низкотемпературной диффузии мышьяка из сильно легированного слоя кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 392

С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии и релаксации фотопроводимости исследовалось влияние ультразвуковой обработки на изменение концентрации примесей металлов в приповерхностных слоях кремния. Показано, что ультразвуковая обработка приводит к возрастанию концентрации примесей K и Na при комнатной температуре на поверхности образца.
Островский И.В., Надточий А.Б., Подолян А.А. Стимулированное ультразвуком низкотемпературное перераспределение примесей вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 389

Исследовано взаимодействие радиационных дефектов с атомами фосфора в кристаллах кремния в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и точечных дефектов при облучении электронами и отжигах. Показано, что при облучении кремния дозовые зависимости изменения концентрации фосфора в узлах (Ps) выходят на участки насыщения. При этом уровень насыщения определяется температурой облучения. Стадии восстановления концентрации Ps при отжигах коррелируют с температурными интервалами диссоциации вакансионных комплексов. Полученные результаты подтверждают наличие двух процессов: 1)взаимодействие атомов легирующей примеси с собственными межузельными атомами кремния и появление межузельных комплексов, т. е. радиационно-стимулированный распад пересыщенного раствора примеси при генерации точечных дефектов и ионизации; 2)растворение межузельной примеси в вакансиях при достаточно высоких температурах, или аннигиляция освобождающихся при отжиге вакансий с межузельными атомами, входящими в состав сложных дефектных комплексов с участием атомов фосфора.
Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов Л.С. Изменение состояния атомов фосфора врешетке кремния привзаимодействии срадиационными дефектами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 385

Ионы серы имплантировали в полуизолирующий GaAs. Проводили фотонный (805oC / (10-12) с) и термический (800oC / 30 мин) отжиги образцов GaAs под пленкой SiO2, полученной различными способами. Содержание компонентов GaAs в пленке определяли по спектрам резерфордовского обратного рассеяния, концентрационные профили электронов измеряли методом вольт-фарадных характеристик. Показано, что диффузия серы происходит в двух направлениях--- к поверхности и в объем GaAs. Первый процесс стимулирован вакансиями, образующимися вблизи поверхности полупроводника при нанесении диэлектрика. Коэффициент "объемной" диффузии и диффузии серы к поверхности при фотонном отжиге на 2 порядка выше, чем при термическом; выше также степень активации примеси.
Ардышев В.М., Ардышев М.В. Радиационный отжиг арсенида галлия, имплантированного серой // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 269

Проведен анализ полученных к настоящему времени результатов по исследованию особенностей процессов дефектообразования в гидрогенизированном монокристаллическом кремнии. Показано, что наряду с другими эффектами взаимодействие атомов водорода с радиационными дефектами и примесями приводит к формированию крупных кластеров трех основных типов: вакансионных, межузельных и примесных. Основное условие, приводящее к образованию таких кластеров, это одновременное наличие в образце пересыщенных растворов водорода и дефектов. Взаимодействие водорода с примесями и дефектами инициирует распад пересыщенного раствора дефектов и примеси с образованием преципитатов. Это приводит к формированию кластеров, которые не наблюдаются в отсутствие водорода. Обсуждаются механизмы образования кластеров и их структура.
Абдуллин Х.А., Горелкинский Ю.В., Мукашев Б.Н., Токмолдин С.Ж. Кластеризация дефектов ипримесей вгидрогенизированном монокристаллическом кремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 257

Произведено обобщение теории Александера--Хаазена, описывающей деформационное поведение малодислокационных кристаллов полупроводников, с учетом эффекта динамического старения дислокаций, обусловленного увлечением примесей. Развитая теория объясняет ряд качественных отличий упруго-пластического перехода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, от наблюдаемых в более чистых кристаллах. Вчастности, это касается зависимости высоты зуба текучести от начальной плотности дислокаций и ослабления скоростной чувствительности деформирующего напряжения.
Петухов Б.В. Влияние динамического старения дислокаций надеформационное поведение примесных полупроводников // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 129

Проведено моделирование пассивации дырочного кремния в процессе диффузии водорода путем решения диффузионно-кинетических уравнений с учетом образования водородно-акцепторных пар, внутреннего электрического поля и эффекта экранирования. Экранирование свободными носителями ионов водорода и акцепторной примеси приводит к уменьшению их радиуса взаимодействия и ослаблению концентрационной зависимости коэффициента диффузии водорода при высоких уровнях легирования кремния. Соответствие расчетных и экспериментальных профилей дырок и водородно-акцепторных пар достигается в широком диапазоне уровней легирования кремния бором от4· 1014 до1.2· 1020 см-3 при энергии связи пар0.70-0.79 эВ. Радиус кулоновского взаимодействия ионов водорода и бора при слабом легировании составляет35 Angstrem иуменьшается с увеличением уровня легирования.
Александров О.В. Влияние эффекта экранирования напассивацию дырочного кремния водородом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 24

На основе дуального парного механизма разработана модель диффузии фосфора в кремнии, в которой вклад пар примесь--вакансияPV и примесь--<собственный межузельный атом (СМА)> PI учитывается непосредственно через коэффициент диффузии фосфора. Нарушение термодинамического равновесия по собственным точечным дефектам происходит вследствие диффузии нейтральных парPI. На высокотемпературной стадии диффузии, диффузия фосфора описывается одним уравнением с коэффициентом диффузии, зависящем как от локальной, так и от поверхностной концентрации фосфора, а на последующей--- более низкотемпературной стадии диффузии--- двумя уравнениями диффузии для суммарных концентраций фосфор- и СМА-содержащих компонентов. Аномально высокая скорость низкотемпературной диффузии обеспечивается избыточными СМА, запасенными в легированном слое во время предшествующей высокотемпературной диффузии. Модель позволяет количественно описать особенности диффузии фосфора в широком диапазоне поверхностных концентраций как при высоких (900--1100oC), так и при низких (500--700oC) температурах.
Александров О.В. Модель высоко- инизкотемпературной диффузии фосфора вкремнии по дуальному парному механизму // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1289

На основе анализа характера изменения электронной структуры и химической связи регулярного кристалла при легировании, а также при изменении зарядового состояния дефекта предложена общая картина перестройки метастабильных центров, донорных и акцепторных, в различных полупроводниках: "классических" полупроводниковых соединенияхIII--V и II--VI, преимущественно ионном кристалле CdF2 и узкозонных соединенияхIV--VI; выявлены причины, приводящие к реконструкции центра, установлены общие тенденции и специфика их проявлений для отдельных классов кристаллов и типов примесных центров.
Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Физические основы реконструкции метастабильных примесных центров вполупроводниках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1281