Исследована кинетика изменения концентрации электронов в облученных электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=< 7.1·1017 см-2) сплавах n-Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.25) в окрестности перехода металл--диэлектрик, индуцированного электронным облучением. Путем сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации электронов от потока облучения определены основные параметры энергетического спектра облученных сплавов. Показано, что согласование теоретических и экспериментальных данных возможно лишь при введении предположения об уменьшении скорости генерации радиационных дефектов с ростом потока облучения, и предложена модель, согласно которой основным механизмом дефектообразования в исследованных сплавах является образование комплексов первичных радиационных дефектов со структурными дефектами, характерными для исходных кристаллов.
Скипетров Е.П., Ковалев Б.Б., Скипетрова Л.А., Зверева Е.А. Кинетика накопления радиационных дефектов при глубоком электронном облучении сплавов Pb1-xSnxSe // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1409

Исследована кинетика формирования примесных комплексов, связанных с селеном. Получены зависимости стационарной концентрации комплексов от температуры и от концентрации атомов селена в узлах кристаллической решетки кремния. Установлено, что в процессе взаимопревращений электрически активных комплексов в диапазоне 670-1000oC в любой точке пространственного распределения примеси остается неизменным полное количество атомов, участвующих в реакциях комплексообразования. Кинетика накопления центра с энергией ионизации 0.2 эВ удовлетворительно описывается схемой квазихимических реакций образования и распада квазимолекулы Se2. В приближении идеальных сильно разбавленных растворов для энергии связи квазимолекулы Se2 получено значение 1.35 эВ.
Таскин А.А., Тишковский Е.Г. Образование квазимолекул Se2 в кремнии, легированном селеном // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1306

Сообщается о новых возможностях растровой электронной микроскопии для определения положения гетерограниц в длинноволновых лазерных структурах с использованием сигналов вторичных и отраженных электронов. Проведен анализ формирования указанных сигналов в структурах нового типа лазеров среднего инфракрасного диапазона на основе гетеропереходов IIтипа GaInAsSb/InGaAsSb, а также в традиционных гетероструктурах InAsSb/InAsSbP. Дано объяснение наблюдаемых особенностей формирования сигналов вторичных и отраженных электронов в этих структурах в сравнении с хорошо изученными структурами AlGaAs/GaAs. Полученные результаты необходимы для точного определения такого важного параметра лазеров, как положение p-n-перехода. Показано, что более предпочтительным является использование сигнала отраженных электронов.
Соловьев В.А., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерныхструктур // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1300

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при 200oC выращена сверхрешетка InAs/GaAs, содержащая 30 delta-слоев InAs, номинальной толщиной 1 монослой, разделенных слоями GaAs толщиной 30 нм. Установлено, что концентрация избыточного мышьяка в такой сверхрешетке составляет 0.9· 1020 см-3. Отжиг образцов при 500 и 600oC в течение 15 мин привел к преципитации избыточного мышьяка преимущественно на delta-слоях InAs. В результате была получена сверхрешетка двумерных слоев наноразмерных кластеров As, пространственно совпадающая со сверхрешеткой delta-слоев InAs в матрице GaAs.
Чалдышев В.В., Берт Н.А., Куницын А.Е., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Werner P. Сверхрешетка кластеров мышьяка варсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1161

Разработана модель электрически активных и нейтральных собственных точечных дефектов в SnO2. Термодинамический анализ равновесия собственных точечных дефектов позволил построить диаграмму состояния диоксида олова PO2-T-x. Разрешено противоречие между монополярной проводимостью n-типа и двухсторонней областью гомогенности фазы SnO2.
Богданов К.П., Димитров Д.Ц., Луцкая О.Ф., Таиров Ю.М. Равновесие собственных точечных дефектов вдиоксиде олова // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1158

Методом ВФХ исследованы концентрационные профили n(x) 28Si, имплантированного в GaAs (E=50 и 75 кэВ, F=(1.88/ 6.25)· 1012 см-2 ) после "фотонного" и "электронного" отжигов с защитой поверхности диэлектриком и без нее. Показано, что в отличие от термического отжига (800oC, 30 мин) после фотонного и электронного отжигов наблюдается диффузионное перераспределение кремния в глубьGaAs. Коэффициент диффузииD и степень активацииeta с ростом температуры при фотонном отжиге и мощности при электронном отжиге увеличиваются. Значения энергии активации процессов для D иeta при радиационном отжиге меньше аналогичных величин при термическом отжиге. Величины D иeta после фотонного и электронного отжигов без защитного диэлектрика выше, чем при отжиге с диэлектриком.
Ардышев В.М., Ардышев М.В. Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1153

Проведен комплекс инфракрасных спектральных поляризационных исследований пирокристаллов нитрида бора (BN). Серия исследованных текстурированных поликристаллов с различным соотношением концентрации гексагональной и ромбоэдрической фаз была получена методом газофазного осаждения и включала в себя образцы с различной степенью упорядочения. Выявлено существенное влияние микроструктуры пирокристаллов на спектры отражения и пропускания. Показано, что для идентификации нормальных колебаний гексагональной фазы необходимо учитывать кристаллооптические эффекты, связанные с рассеянием фононов. Нормальные колебания ромбоэдрической фазы BN идентифицированы непосредственно по экспериментальным спектрам пирокристаллов, близких по свойствам к монокристаллам. На основе полученных результатов показано, что в анизотропных модификациях BN существуют ионно-ковалентные связи между частью атомов соседних слоев. Уточненная модель структуры устраняет целый ряд противоречий между экспериментальными данными и показывает, что наряду с sp2-гибридизированными электронами в образовании межатомных связей в анизотропном BN участвуют sp-гибридизированные электроны.
Ордин С.В., Шарупин Б.Н., Федоров М.И. Нормальные решеточные колебания и кристаллическая структура анизотропных модификаций нитрида бора // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1033

Установлено, что имплантация ионов диспрозия и гольмия с энергией 1 МэВ и дозой 1013 см-2 в кремний и последующий отжиг при температурах 600/ 900oC сопровождаются образованием донорных центров. Концентрация донорных центров возрастает при увеличении концентрации кислорода в исходном материале или при дополнительной имплантации кислорода. Одинаковое поведение коэффициента активации и концентрационных профилей донорных центров в зависимости от температуры отжига и концентрации кислорода наблюдалось в Si : Dy и Si : Ho. Результаты указывают, что имеет место образование по крайней мере двух типов донорных центров, содержащих атомы редкоземельных элементов и(или) примеси кислорода.
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Шек Е.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного диспрозием и гольмием // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1029

Для изучения характеристик электрон-фононного взаимодействия в кремнии был реализован из первых принципов псевдопотенциальный метод теории функционала плотности. Температурное смещение величины непрямого перехода, фононный спектр и энтальпия были вычислены в рамках теории функционала плотности. Между температурными зависимостями ширины запрещенной зоны Delta Eg(T) и энтальпии Delta H(T) существует соотношение Delta H(T)=K|Delta Eg(T)|. Обсуждаются физические причины данной корреляции.
Ревинский А.Ф. О корреляции между температурными зависимостями ширины запрещенной зоны и энтальпии полупроводниковых кристаллов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1025

С использованием методов рентгеноспектрального микроанализа, оптического пропускания в ближнем инфракрасном диапазоне и рентгеновской дифракции показано, что изовалентное легирование индием арсенида галлия в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре приводит к увеличению концентрации избыточного мышьяка, захватываемого в растущий слой.
Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Фалеев Н.Н. Влияние изовалентного легирования индием наизбыток мышьяка варсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизкой температуре // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 778