Дейбук В.Г., Возный А.В.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
В модели дельта-параметра решетки исследована термодинамика твердых растворов AlGaN, InGaN и InAlN. Полученные фазовые диаграммы указывают...
В модели дельта-параметра решетки исследована термодинамика твердых растворов AlGaN, InGaN и InAlN. Полученные фазовые диаграммы указывают на стабильность AlxGa1-xN во всем диапазоне концентрацииx, в то время как для InxGa1-xN область спинодального распада составляет 0.2 Дейбук В.Г., Возный А.В. Термодинамическая стабильность иперераспределение зарядов втройных твердых растворах нитридов элементов IIIгруппы // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 655
Олейнич-Лысюк А.В., Гуцуляк Б.И., Фодчук И.М.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Вкомплексе исследовано поведение эффективного модуля сдвигаGef и внутреннего трения вSi, в области температур существования...
Вкомплексе исследовано поведение эффективного модуля сдвигаGef и внутреннего трения вSi, в области температур существования аномального гистерезисаGef(T). Показано, что его природа связана с наличием в структуре кремния подвижных дислокаций, закрепление которых радиационными дефектами приводит к полному блокированию гистерезиса. Обнаружен метастабильный характер превращений, вызывающих аномальное поведение кривыхGef(T).
Олейнич-Лысюк А.В., Гуцуляк Б.И., Фодчук И.М. Оприроде температурного гистерезиса эффективного модуля сдвига вмонокристаллическом кремнии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 769
Исаков Г.И.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Проведены исследования термоэдс и теплопроводности эвтектической композиции GaSb-V2Ga5, где при направленной кристаллизации...
Проведены исследования термоэдс и теплопроводности эвтектической композиции GaSb-V2Ga5, где при направленной кристаллизации металлическая фазаV2Ga5 в полупроводниковой матрице GaSb формируется в виде параллельных нитевидных кристаллов. Получены новые результаты о рассеянии длинноволновых фононов на металлических нитевидных кристаллах и по управлению термоэдс и теплопроводностью эвтектических композиций полупроводник-металл.
Исаков Г.И. Рассеяние фононов, управление термоэдс итеплопроводностью вэвтектической композиции полупроводник-металл // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 772
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Развита модель образования донорных центров, обусловленных совместной имплантацией ионов Er+ и O+ в кремний с последующим термическим...
Развита модель образования донорных центров, обусловленных совместной имплантацией ионов Er+ и O+ в кремний с последующим термическим отжигом, представляющих собой многочастичные эрбий-кислородные комплексы ErOn с n>=4. Учитывается конкурирующий процесс образования электрически неактивных кислородных кластеров. Модель позволяет описать зависимость коэффициента активации донорных центров от дозы имплантации ионов кислорода, а также влияние имплантации ионов кислорода и температуры отжига на концентрационные профили донорных центров.
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А. Влияние кислорода наобразование донорных центров вслоях кремния, имплантированных ионами эрбия икислорода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 776
Лазарук С.К., Долбик А.В., Жагиро П.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Установлено, что быстрое окисление слоев пористого кремния на воздухе может протекать в виде горения или взрыва пористого слоя....
Установлено, что быстрое окисление слоев пористого кремния на воздухе может протекать в виде горения или взрыва пористого слоя. Горение происходит в слоях пористого кремния, пропитанных нитратом калия, при толщинах слоев менее60 мкм, в то время как взрывные процессы наблюдаются в более толстых пористых слоях. Предполагается, что взрывные процессы развиваются по тепловому механизму за счет экспоненциального увеличения скорости реакции с ростом температуры.
Лазарук С.К., Долбик А.В., Жагиро П.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Быстрые экзотермические процессы впористом кремнии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 917
Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Стародубцев А.А.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Методом атомно-силовой микроскопии исследовалась топология поверхностей GaAs (100) и (111) до и после кратковременных обработок в парах...
Методом атомно-силовой микроскопии исследовалась топология поверхностей GaAs (100) и (111) до и после кратковременных обработок в парах селена. Из анализа результатов этих исследований в сочетании с эллипсометрией и электронной микроскопией предложен механизм образования и роста наноостровков и слоя Ga2Se3 (110) на поверхностях GaAs (100) и (111).
Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Стародубцев А.А. Формирование наноструктур всистеме Ga2Se3 / GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1025
Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследуется кинетическая модель роста тонкой пленки на поверхности твердого тела, справедливая для случая, когда слои формируются в...
Исследуется кинетическая модель роста тонкой пленки на поверхности твердого тела, справедливая для случая, когда слои формируются в результате двумерного зародышеобразования. Вусловиях больших пересыщений газообразной фазы получены решения для функции распределения островков по размерам на начальном этапе роста, степени заполнения подложки островками на этапе коалесценции, скорости вертикального роста пленки и шероховатости ее поверхности. Эти решения выражают структурные характеристики растущей пленки через физические константы системы (межфазовая энергия на границе газ--твердое тело, активационные барьеры диффузии и десорбции) и параметры ростового процесса (температура поверхности и скорость осаждения материала). Полученные результаты позволяют проводить расчеты ростовой динамики тонких пленок в конкретных системах.
Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. Кинетика роста тонких пленок при зародышевом механизме формирования слоев // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1312
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в...
Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя кремния из силана в вакууме, определен коэффициент десорбции водорода и энергия активации этого процесса. Проведено сопоставление данных величин с результатами других авторов, полученных в условиях низкотемпературного эксперимента, например, методом термодесорбционной спектрометрии. Найденные величины использованы для вычисления коэффициента кристаллизации и его зависимости от температуры роста и скорости распада моносилана на ростовой поверхности.
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Десорбция водорода споверхности вусловиях эпитаксиального наращивания слоев кремния измоносилана ввакууме // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1320
