Изучена самокомпенсация в массивных образцах PbSe : (Bi, Seex), изготовленных металлокерамическим методом. Исследована зависимость концентрации носителей тока при различных содержаниях висмута от величины избытка селена. Сравнением экспериментальных данных с расчетными показано, что компенсация донорного действия висмута, размещенного в катионной подрешетке, осуществляется двукратно ионизованными вакансиями свинца. В некоторых сериях образцов на зависимости концентрации носителей тока от избытка селена наблюдались немонотонности, связанные с размещением атомовBi как в катионной, так и в анионной подрешетке.
Немов С.А., Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Осипов П.А., Прошин В.И. Особенности электрической компенсации примеси висмута вPbSe // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 775

Методами просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура delta-слоев индия в GaAs(001), выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой (200oC) температуре (LT) и содержащем высокую концентрацию (~1020 см-3) точечных дефектов. Установлено, что при delta-легировании индием в количестве, эквивалентном 0.5 или 1 монослою (МС), из-за неровности ростовой поверхности образуются островки InAs с характерным латериальным размером
Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Суворова А.А., Чалдышев В.В., Werner P. Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия иееизменение при отжиге в интервале температур 500--700o C // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 769

Исследованы фотолюминесцентные и микрорентгеноструктурные свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP (100) и GaAs (100), полученных в области несмешиваемости и спинодального распада. Показано хорошее согласие экспериментальных результатов с теоретической моделью спинодального распада. Определены границы области существования двух твердых фаз различного состава в эпитаксиальных слоях твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP и GaAs. Получена периодическая наногетероструктура в эпитаксиальном слое твердых растворов InGaAsP с периодом повторения 650± 30 Angstrem в двух взаимно перпендикулярных направлениях.
Вавилова Л.С., Иванова А.В., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С., Арсентьев И.Н., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Пихтин Н.А., Фалеев Н.Н. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворахInGaAsP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 658

Представлены результаты исследования с помощью атомно-силовой микроскопии слоев диоксида олова в зависимости от условий легирования йодом и теллуром в процессе получения слоев методом термического вакуумного напыления олова с последующим его окислением. Приведены и обсуждаются данные атомно-силовой микроскопии слоев, изготовленных в различных технологических режимах. Показано, что введение легколетучих примесей в состав исходной шихты является эффективным способом модификации структуры поверхности слоев и изменения характера ее микрорельефа. Исследована и анализируется температурная зависимость чувствительности слоев к парам толуола.
Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю., Мошников В.А., Трэгер Ф., Штиц Ф. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова длягазовых сенсоров атомно-силовой микроскопией // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 654

Приведены и проанализированы результаты измерений характерных узких линий оптического поглощения и излучения, вызванных низкотемпературным (при температурах T=1.8/ 77 K) скольжением дислокаций в кристаллах сульфида кадмия. Линии оптического поглощения характеризуются гигантскими силами осцилляторов (f~1). Предложена и обоснована модель, объясняющая всю совокупность экспериментальных результатов для сульфида кадмия и других соединений AIIBVI. В предложенной модели дислокационное оптическое поглощение и дислокационное излучение связываются с образованием одномерных цепочек ассоциаций точечных дефектов при скольжении винтовых дислокаций со ступеньками. Из данных эксперимента рассчитаны линейная плотность ступенек и объемная плотность точечных дефектов в цепочках, а также оценены силы осцилляторов соответствующих оптических переходов.
Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций--- источники дислокационного поглощения иизлучения вполупроводниковых кристаллах A IIB VI // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 646

Исследованы электрические, фотоэлектрические, фотолюминесцентные характеристики и спектры электронного парамагнитного резонанса кристаллов CdS с различной плотностью дислокаций (gamma=102/105 см-2). Обнаружено, что наличие дислокаций с плотностью gamma>103/ 104 см-2 и подвижных доноров приводит к ряду специфических эффектов: анизотропии проводимости, наведенной электрическим полем, атермической диффузии доноров под действием ультразвука, искажению формы спектра краевой люминесценции, фотостимулированной деградации фоточувствительности и фотолюминесценции. Исследована зависимость типа макродефектов и оптической прочности кристаллов от технологии их получения.
Джумаев Б.Р. Роль макродефектов в электронных и ионных процессах, протекающих в широкозонных полупроводниках A IIB VI // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 641

Методом дифракции медленных электронов исследована поверхность GaAs, отклоненная на 3o от (001), при нагреве в вакууме до температуры T=550oC в поле градиента температуры nabla T~=50 град/см. При отсутствии nabla T на поверхности образуется структура (1x4), которая сохраняется при отжиге в течение 1 ч. При наличии nabla T по направлениям [110] появляются дублеты, характерные для фасетированной поверхности. Аналогичная картина наблюдается после отжига кристаллов без nabla T при T=650/700oC, когда становится заметным испарение машьяка. Рассчитана величина теплоты переноса атомов Q*, которая составляет 2.3 эВ и близка к Q* у переходных металлов, что связывается с эффектом фононного увлечения атомов.
Байзер М.В., Витухин В.Ю., Закурдаев И.В., Руденко А.И. Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой поориентации к(100), в условиях неравновесного массопереноса // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 527

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучено влияние природы имплантированных ионов на формирование электрически активных дефектов в кремнии. Имплантация ионов кислорода O+ и азота N+ дозами 2· 1011 см-2 с энергией 75 кэВ и ионов аргона Ar+ дозой 7· 1010 см-2 с энергией 150 кэВ при температуре мишени 300 K обеспечивала во всех образцах n- и p-Si приблизительно одинаковое количество и пространственное распределение первичных радиационных дефектов. Обнаружено, что спектр устойчивых радиационных дефектов зависит от природы бомбардирующего иона. Так, DLTS-спектр n-Si, облученного ионами O+, имеет три пика, в то время как в спектре n-Si, имплантированного ионами N+, присутствует только один из них. В спектрах DLTS образцов n- и p-Si, имплантированных ионами O+ и N+, обнаружены пики обратной полярности (аномальные), энергетическое положение которых соответствует наиболее выраженным пикам в спектрах образцов кремния противоположного типа проводимости.
Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М. Влияние природы бомбардирующих ионов наобразование радиационных дефектов вкремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 523

Термометрически и методом проникающего gamma-излучения исследована температурная зависимость удельного объема расплавов соединений AIIIBV. Сделана оценка коэффициентов термического расширения расплавов при различных температурах. Опираясь на близость строения расплавов и упругого континиума, на основе полученных результатов по тепловому расширению произведены расчеты характеристических дебаевских температур и среднеквадратичных динамических смещений атомов в структуре ближнего порядка расплавов соединений AIIIBV. Показано заметное изменение указанных характеристик при переходе из твердого состояния в жидкое, что свидетельствует о значительных изменениях колебательного спектра при плавлении соединений AIIIBV. Отмечено увеличение коэффициентов термического расширения при нагреве расплавов исследованных соединений. Отмечено, что оно свидетельствует о дальнейшем уменьшении прочности межатомных связей в расплавах по мере роста температуры.
Глазов В.М., Щеликов О.Д. Термическое расширение и характеристики прочности межатомной связи в расплавах соединений A IIIB V (AlSb, InSb, GaSb, InAs, GaAs) // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 429

Методом ЭПР изучены образцы монокристаллического кремния, легированного примесью алюминия и импланированного атомами водорода при температуре ~80 K. Обнаружены два новых ЭПР спектра, обозначенные как Si-AA15 и Si-AA16. Сверхтонкая структура спектров однозначно показывает, что в состав дефектов AA15 и АА16 вовлечены два и один атом алюминия соответственно. Формирование пар Al--Al (дефект AA15) свидетельствует о сильной миграции примесных атомов алюминия. Миграция, происходящая в эксперименте при T=<200 K, не может быть нормальной или инжекционно-ускоренной диффузией. Обсуждаются возможные модели примесных межузельных пар Al--Al и механизм водородно-ускоренной миграции.
Горелкинский Ю.В., Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А. Обнаружение низкотемпературной диффузии примесных атомов алюминия вимплантированном водородном кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 421