Приведены результаты исследования по влиянию типа и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации мелких примесей уменьшается как темновая микротвердость, так и величина фотомеханического эффекта. При этом влияние акцепторных примесей сравнительно больше, чем донорных. Полученные данные объясняются на основе механизма, согласно которому за уменьшение микротвердости в полупроводниках ответственны свободные носители тока (антисвязывающие квазичастицы), которые образуются в соответствующих энергетических зонах.
Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д. Влияние рода и концентрации мелких примесей намикротвердость ифотомеханический эффект в полупроводниках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 385

Выращен и исследован новый полупроводниковый материал, представляющий собой твердый раствор в группе тройных алмазоподобных полупроводников с переходным элементом Mn. Согласно рентгеновским дифракционным измерениям, кристаллическая структура подобна базовому материалу CdGeP2 с решеткой халькопирита. Межплоскостные расстояния и постоянная решетки снижаются с увеличением концентрации марганца: a=5.741 Angstrem ->5.710 Angstrem -> 5.695 Angstrem в ряду соединений CdGeP2->Cd1-xMnx GeP2->Cd1-yMnyGeP2 (x
Медведкин Г.А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К. Новый магнитный полупроводник Cd1-xMnxGeP2 // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 305

Исследуется диффузия индия под воздействием энергии, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода в молекулы. Кристаллы германия n-типа проводимости с пленками индия толщиной 0.2-0.3 мкм подвергались воздействию атомарного водорода в течение различного времени (до 2·104 с) при температурах, близких к комнатной. Диффузия индия в германии исследовалась методами лазерной масс-спектрометрии, рентгеноструктурного анализа, а также путем измерения спектров пропускания в инфракрасной области. Предложены механизмы стимулирования гетеродиффузии и сопутствующих процессов.
Матюшин В.М. Низкотемпературная диффузия индия вгермании, стимулированная атомарным водородом // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 301

Исследованы структурные свойства твердых растворов замещения Ge1-xSnx при помощи метода молекулярной динамики с использованием трехчастичного потенциала Терсоффа. Рассчитаны концентрационные зависимости парных функций распределения, полной энергии системы, длин связей в композиционно неупорядоченных сплавах. Получено удовлетворительное согласие между рассчитанными и экспериментальными значениями постоянных решетки. Показано, что закон Вегарда выполняется при x
Дейбук В.Г., Королюк Ю.Г. Молекулярно-динамическое моделирование структурных свойств твердых растворов замещения Ge1-xSnx // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 298

Cообщается о результатах исследования процессов формирования высокоориентированных пленок на подложке, охлажденной до отрицательных по шкале Цельсия температур при конденсации в вакууме теллурида и сульфида кадмия. Приводятся данные технологических, электронографических и рентгенографических исследований. Построены диаграммы конценсации. Выявлены режимы, отличающиеся аномально низкой скоростью формирования пленок. Установлена корреляция между этими режимами и свойствами формирующейся структуры. Проводится сопоставление результатов с данными, полученными при исследовании процессов формирования высокоориентированных пленок золота в резко неравновесных условиях. Демонстрируется соответствие экспериментальных результатов солитонной модели гетероэпитаксии.
Беляев А.П., Рубец В.П. Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений A IIB VI наохлажденной подложке // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 294

Исследован эффект стимулирования реакции синтеза фазы Si3N4 в слоях кремния, обогащенных азотом, под влиянием ионной имплантации аргона в обратную сторону кремниевых пластин. Получены зависимости изменения инфракрасного поглощения и удельного сопротивления синтезированных слоев от дозы внедрения аргона. Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пластин после имплантации аргона с различными дозами. Предложено объяснение эффекта как следствие действия ударных волн, возникающих при микровзрывах пузырьков аргона.
Демидов Е.С., Карзанов В.В., Лобанов Д.А., Марков К.А., Сдобняков В.В. Дальнодействующее влияние облучения ионами аргона насинтез стехиометрической фазы нитрида кремния вcлоях SixNy, сформированных ионной имплантацией // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 21

Проведены мессбауэровские исследования на 119Sn полупроводников PbTeSnSe и GeSnTe в интервале температур 5-240 K. Анализ температурной зависимости квадрупольного расщепления мессбауэровских спектров образцов в цикле охлаждение--нагревание подтвердил наличие нецентральных атомов в полупроводниках.
Bland J., Thomas M.F., Вирченко В.А., Кузьмин В.С., Ткаченко Т.М. Нецентральные атомы вполупроводниках A IVB VI поданным мессбауэровской спектроскопии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 15

Рассматривается кинетика образования кислородсодержащих термодоноров в кремнии, когда атомарно-растворенный кислород интенсивно образует связанные состояния (комплексы). Получено аналитическое нестационарное однородное решение соответствующих нелинейных уравнений кинетики. Показано, что благодаря взаимодействию атомов кислорода однородное распределение их и их комплексов для определенных параметров задачи становится неустойчивым и развивается пространственно-периодическое распределение с периодом в диапазоне 10-1000 Angstrem.
Селищев П.А. Кинетика образования кислородсодержащих термодоноров вкремнии иформирования ихнеоднородного распределения: аналитическое решение // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 11

Исследованы особенности эпитаксиального осаждения из жидкой фазы твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками GaAs(001), в области неустойчивости. Установлено, что на начальном этапе осаждения (в течение 1--2 с) растут тонкие (до 0.15 мкм) планарные слои однородных твердых растворов InGaAsP. Этому способствует большое переохлаждение расплава (на 10--15oC) и, следовательно, большие скорости роста. Далее рост замедляется, и начинается формирование естественной наногетероструктуры вследствие распада твердого раствора. Формирование наногетероструктуры, состоящей из доменов твердых растворов различного состава с разными постоянными решетками, сопровождается возникновением на поверхности образца волнистого рельефа, амплитуда которого увеличивается по мере роста слоя. Толщина слоев твердых растворов InGaAsP, содержащих наногетероструктуру, ограничена величиной 0.5 мкм при используемых технологических условиях.
Вавилова Л.С., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С. Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP вобласти неустойчивости // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1307

Проведено исследование структурных свойств и пространственных неоднородностей слоев AlxGa1-xN, выращенных на сапфировых подложках(0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Обнаружено неравномерное распределение Al по толщине эпитаксиальных слоев, полученных при постоянных потоках ростовых компонент. На основе данных рентгенодифракционного анализа и катодолюминесценции предложена модель формирования слоев с композиционным профилем. Установлено, что однородные образцы удается получить путем увеличения потока триметилалюминия на начальной стадии роста слоя относительно всего последующего процесса роста. Показано, что снижение скорости роста позволяет уменьшить напряжения в эпитаксиальном AlxGa1-xN-слое. Обсуждается влияние напряжений на люминесцентные свойства выращенных слоев.
Усиков А.С., Третьяков В.В., Бобыль А.В., Кютт Р.Н., Лундин В.В., Пушный Б.В., Шмидт Н.М. Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции пошлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1300