Теоретически изучен оптический Штарк-эффект и квантовые биения в GaAs/AlGaAs-квантовой яме в условиях, когда интенсивный импульс CO2-лазера, поляризованный перпендикулярно плоскости квантовой ямы, динамически смешивает первые два уровня размерного квантования электрона. Получены спектр квазиэнергии HH-экситона, отношение вероятностей экситонного перехода в присутствии и в отсутствие сильного электромагнитного поля. Найдена зависящая от времени интенсивность поглощения пробного света. Она испытывает квантовые биения с удвоенной частотой Раби электрона.
Бобрышева А.И., Шмиглюк М.И., Павлов В.Г. Экситонный оптический Штарк-эффект и квантовые биения на экситонных квазиэнергетических уровнях в квантовых ямах // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 7, Стр. 1291

В модели поляризующегося континуума для ограниченных объемных и интерфейсных фононов в приближении эффективной массы электрона получен полный гамильтониан электрон-фононной системы в представлении вторичного квантования для сложной сферической наногетероструктуры с произвольным числом полупроводниковых слоев. На примере экспериментально реализованной системы CdS / HgS / H2O выполнен расчет энергии основного состояния электрона. Установлена причина немонотонной зависимости от толщины HgS сдвига основного уровня электрона, обусловленного взаимодействием с ограниченными фононами.
Ткач Н.В. Электрон-фононное взаимодействие в сферических многослойных наногетероструктурах // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 1109

Рассмотрены основы теории метода измерений тепловых свойств анизотропных твердых тел и нанесенных на них тонких диэлектрических пленок. Проведен анализ решений, позволяющий установить предельные возможности метода периодического нагрева и условия, которые необходимы для эксперимента, позволяющего проводить измерения теплоемкости и теплопроводности пленок с достаточной точностью.
Кравчун С.Н., Давитадзе С.Т., Мизина Н.С., Струков Б.А. Измерение тепловых свойств тонких диэлектрических пленок зондовым методом периодического нагрева. I. Теория метода // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 762

Времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации при температуре поверхности T=300 K измерены выход и энергораспределения атомов калия и цезия при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) с поверхности молибдена с различной степенью окисления. Порог появления ЭСД атомов калия и цезия независимо от степени окисления молибдена находится около 25 eV. Для молибдена, покрытого моноатомной пленкой кислорода, обнаружены вторичные пороги при ~40 и ~70 eV, а также затяжка энергораспределений атомов в область очень малых энергий. Наиболее вероятные кинетические энергии атомов составляют несколько десятых электрон-вольта. Полученные результаты объясняются с помощью модели, основанной на Оже-нейтрализации адсорбированных ионов щелочных металлов при релаксации вакансий на остовных уровнях 2s O, 4s Mo и 4p Mo. Впервые показана возможность ЭСД нейтральных частиц вследствие ионизации остовных уровней катионов окисла.
Агеев В.Н., Кузнецов Ю.А. Электронно-стимулированная десорбция атомов калия и цезия с поверхности окисленного молибдена // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 758

Исследованы Кикучи-картины, возникающие при квазиупругом отражении электронов с энергией 0.6-2 keV от тонкого приповерхностного слоя монокристалла Si (111) 7x7. Показано, что для кремния, как и для металлов, результаты эксперимента вполне удовлетворительно описываются расчетами, выполненными в кластерном приближении однократного рассеяния, а также в модели, феноменологически учитывающей фокусировку отраженных электронов при их выходе из кристалла. Тем самым продемонстрировано, что при энергии E=2 keV эффект фокусировки (forward-focusing) играет основную роль в формировании Кикучи-картин, что позволяет их использовать для визуализации атомной структуры поверхности. Для наиболее плотноупакованных направлений кристалла установлены зависимости эффективности фокусировки от параметров атомных цепочек, вдоль которых распространяются электроны.
Пронин И.И., Фараджев Н.С., Гомоюнова М.В. Роль фокусировки электронов в формировании Кикучи-картин монокристалла кремния // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 752

Сформулирована общая система уравнений, описывающая эволюцию макрорельефа на поверхности твердого тела произвольного стехиометрического состава под облучением. Облучение рассматривается только как дополнительный источник точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов). С учетом реальных условий задачи получена общая формула для сглаживания макрорельефа во времени. Как частный случай рассмотрено двухкомпонентное вещество: по сравнению с однокомпонентным материалом появляются новые виды зависимости скорости сглаживания поверхности от параметров шероховатости. Исследуя экспериментально скорость сглаживания поверхности как функцию шероховатости, можно найти коэффициенты поверхностной и объемной диффузии материала, а также константы, характеризующие взаимодействие облучения с веществом.
Слезов В.В., Апальков В.М., Бойко Ю.И., Карстаньен Х.Д. Сглаживание макрорельефа на поверхности твердого тела произвольного стехиометрического состава под облучением // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 746

We report the first studies of exciton luminescence spectra from asymmetric double quantum wells (DQWs) of very similar width. The DQWs were of GaAs/AlGaAs and the differences in widths of the coupled wells were one or two monolayers. The coupled direct and indirect exciton states anticross with a resonance splitting of 1.33 meV. An additional luminescence line appearing at low temperatures is identified as a localized indirect exciton.
Akimov A.V., Moskalenko E.S., Zhmodikov A.L., Mazurenko D.A., Kaplyanskii A.A., Challis L.J., Cheng T.S., Foxon C.T. Luminescence of Excitons in Slightly Asymmetric Double Quantum Wells // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 735

Методом газофазного металлорганического синтеза приготовлены упорядоченные трехмерные ансамбли квантовых нитей InP в каналах пористых диэлектрических матриц. Эти матрицы различаются как по диаметрам (0.7, 3 и 8 nm), так и по расположению каналов. Толщина слоя InP не превышала 2--3 монослоев. Сравнительное исследование спектров комбинационного рассеяния, оптического поглощения и фотолюминесценции позволило выявить зависимость этих свойств от ряда интерфейсных эффектов: от взаимодействия атомов в нитях, нитей с матрицей и нитей в ансамбле. Показано, что взаимодействие нити с матрицей искажает кристаллическую решетку InP, размывает спектр электронной плотности нитей вблизи краев фундаментальной щели, а также распределяет релаксацию фотовозбуждения нитей между состояниями, принадлежащими нити, и связанными с нитями состояниями дефектов матрицы.
Романов С.Г., Йатс Н.М., Пембл М.И., Аггер Д.Р., Андерсон М.В., Сотомайор Торрес К.М., Бутко В.Ю., Кумзеров Ю.А. Интерфейсные эффекты и формирование оптических свойств ансамблей структурно-изолированных квантовых нитей InP // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 727

Проведены измерения магнетосопротивления и ЭДС Холла в полях до 7 Т при 4.2 K под давлением до 2.5 GPa для систем с квантовыми ямами GaSb/InAs/GaSb различной ширины и с разным типом интерфейса. Из анализа осцилляций Шубникова--де Гааза (ШдГ) и зависимости компонент тензора магнетосопротивления в рамках классической модели с двумя типами носителей определена барическая зависимость концентраций электронов и дырок. Показано, что под давлением происходит переход от полуметаллического к полупроводниковому режиму проводимости.
Вороновский А.Н., Дижур Е.М., Ицкевич Е.С., Каширская Л.М., Стрэдлинг Р.А. Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 723

Развита теория взаимодействия электромагнитного поля с локальными состояниями носителей заряда, возникающими вблизи малой диэлектрической частицы. Показано, что дипольные моменты переходов для локальных состояний имеют большие значения, превосходящие типичные значения дипольных моментов переходов для полупроводников.
Покутний С.И. Поглощение и рассеяние света в квазинульмерных структурах. I. Дипольные моменты переходов носителей заряда // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 720