Исследована стационарная и нестационарная фотолюминесценция намеренно нелегированных и однородно легированных кремнием (GaAs)7(AlAs)9-сверхрешеток типа II, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии одновременно на подложках GaAs ориентации (311)A и (100). Установлено, что при повышенных температурах (160>T>30 K) в спектрах сверхрешеток доминирует линия, обусловленная донорно-акцепторной рекомбинацией между донорами, расположенными в слоях AlAs, и акцепторами, расположенными в слоях GaAs. Определена суммарная энергия связи носителей заряда на донорах и акцепторах в паре.
Журавлев К.С., Чипкин С.С., Гилинский А.М., Шамирзаев Т.С., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Путято М.А. Донорно-акцепторная рекомбинация в GaAs/AlAs-сверхрешетках II типа // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1734

Теоретически установлены особенности высокочастотного (ВЧ) тока в сверхрешетке без центра симметрии. Предполагается, что асимметрия проявляется в процессах внутризонного рассеяния электронов. Обнаружена возможность самоиндуцированной прозрачности. В ВЧ-поле ток имеет постоянную составляющую (dc-эффект), немонотонно зависящую от амплитуды поля.
Шмелев Г.М., Соина Н.А., Маглеванный И.И. Высокочастотная проводимость асимметричной сверхрешетки // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1731

Исследованы особенности энергетического спектра и квантовых состояний электронов в системе квантовых ям в сильном магнитном поле, параллельном гетерограницам. Совместное действие квантующего магнитного поля и потенциала системы квантовых ям приводит к радикальному изменению электронного закона дисперсии из-за возникновения одномерных зон Ландау. Окрестностям точек антикроссинга различных зон соответствует эффективная передислокация электронных огибающих функций, усиливающаяся с ростом магнитного поля. Качественно рассмотрен характер плотности электронных состояний в подзонах размерного квантования в связи с изменением системы изоэнергетических линий при наложении магнитного поля.
Белявский В.И., Копаев Ю.В., Шевцов С.В. Система квантовых ям в параллельном магнитном поле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1719

Исследован эффект увлечения дырок фотонами в бесконечно глубокой квантовой яме полупроводника. Рассмотрены как междузонные, так и межподзонные оптические переходы, вносящие отдельные вклады в эффект. При расчете тока увлечения предполагается, что вероятность оптического перехода зависит от импульса фотона лишь за счет его учета в законах сохранений энергии и импульса.
Расулов Р.Я., Саленко Ю.Е., Эски Т., Тухтаматов А. Эффект увлечения носителей тока фотонами в квантовой яме // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1710

Двумерная графитовая пленка (ДГП) на поверхности (1010)-рения создавалась в сверхвысоком вакууме путем адсорбции паров бензола на нагретом до T=1800 K металле. С помощью Оже-спектроскопии высокого разрешения было показано, что пленка действительно имеет графитовое строение и монослойную толщину. Топография поверхности исследовалась на воздухе с помощью сканирующей туннельной микроскопии. Подтверждена монослойная толщина пленки и показано, что ДГП имеет сложную топографию в виде многочисленных холмов с линейными размерами ~3000 Angstrem и перепадом высот ~ 300 Angstrem, но на атомном уровне сохраняет графитовую структуру. Обнаруженная непланарность ДГП при комнатной температуре связывается с ее деформацией при остывании от температуры образования до 300 K за счет различий в коэффициентах теплового расширения графитовой пленки и рения.
Болотов Л.Н., Вакар З., Галль Н.Р., Макаренко И.В., Рутьков Е.В., Титков А.Н., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. Изучение топографии двумерной графитовой пленки на (1010)-рении методом сканирующей туннельной микроскопии // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 8, Стр. 1570

Исследованы линейно поляризованные спектры люминесценции открытых (незарощенных) полупроводниковых структур с квантовыми проволоками ZnCdSe/ZnSe, полученных методом реактивно-ионного травления. Обнаружено, что независимо от ориентации линейной поляризации возбуждающего света излучение люминесценции квантовых проволок поляризовано параллельно оси проволок, а излучение буферного слоя изотропного материала барьера ZnSe --- перпендикулярно оси проволок. Выявленные поляризационные особенности обусловлены модификацией мод электромагнитного поля в окрестности открытых квантовых проволок, возникающей благодаря наличию вертикальных границ раздела сред с большим различием значений диэлектрических проницаемостей. Обнаружено также, что при использованном линейно поляризованном возбуждении существенное влияние на поляризационные свойства люминесценции оказывают эффекты выстраивания дипольных моментов экситонов.
Ломасов Н.В., Травников В.В., Когновицкий С.О., Гуревич С.А., Нестеров С.И., Скопина В.И., Рабе М., Хеннебергер Ф. Поляризационные спектры экситонной люминесценции открытых квантовых проволок ZnCdSe/ZnSe // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 8, Стр. 1559

Представлены экспериментальные результаты исследований структурных особенностей галлия в пористом стекле с диаметром пор d=4 nm методом Дебая--Шеррера. Обнаружены структуры галлия, отличные от известных объемных модификаций.
Сорина И.Г., Tien C., Чарная Е.В., Кумзеров Ю.А., Смирнов Л.А. Структурные особенности твердого галлия в микропористом стекле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 8, Стр. 1552

Исследованы дифракционные картины квазиупругорассеянных электронов, возникающие вследствие их фокусировки в тонком приповерхностном слое монокристалла Si (100)-2x1. Результаты измерений, проведенных в диапазоне энергии 0.6-2 keV, сопоставлены с расчетами, выполненными в кластерном приближении однократного рассеяния. Показано, что данная модель хорошо описывает эксперимент. Проанализирована взаимосвязь дифракционных картин, наблюдаемых для разных граней кремния, и рассмотрено влияние на них ориентации пучка первичных электронов. Установлены закономерности фокусировки квазиупругорассеянных электронов при выходе из кристалла вдоль основных кристаллографических направлений. Изучены особенности эффекта для электронов, испытавших при отражении неупругое взаимодействие с электронной подсистемой кристалла.
Пронин И.И., Фараджев Н.С., Гомоюнова М.В. Фокусировка электронов при отражении от монокристалла Si (100) // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1364

В широком диапазоне углов скользящего падения с использованием тормозного излучения рентгеновской трубки измерены спектры отражения системы Si--SiO2 с различными толщинами диоксида в районе Si L2,3-порога ионизации. Экспериментально определена угловая зависимость глубины формирования отраженного пучка мягкого рентгеновского излучения, которая сопоставляется с полученной из теоретического рассмотрения взаимодействия электромагнитного излучения с поверхностью изотропного твердого тела.
Филатова Е.О., Шулаков А.С., Лукьянов В.А. Глубина формирования отраженного пучка мягкого рентгеновского излучения в условиях зеркального отражения // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1360

В рамках статистического подхода, использующего аппарат прямых корреляционных функций, исследовано влияние поверхности, ограничивающей нематическую жидкую фазу, на упругие коэффициенты Франка. Конкретные расчеты проведены для модельной системы, образованной взаимодействующими посредством потенциала Гэй--Берне эллипсоидальными молекулами вблизи взаимодействующей поверхности.
Захаров А.В., Миранцев Л.В. Влияние поверхности на упругие свойства жидких кристаллов // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1356