Изучено распределение по размерам "островков" алюминия, образовавшихся при растяжении алюминированной пленки полиэтилентерефталата. Показано, что они образуют четыре статистических ансамбля, распределение в каждом из которых термодинамически оптимизировано и описывается выражением для канонического распределения термодинамической вероятности. Работа поддержана Министерством образования РФ (грант N E00-4.0-21).
Веттегрень В.И., Бакулин Е.А., Коваленко Ю.В. Ансамбли "островков" алюминия наповерхности деформированных пленок полиэтилентерефталата // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 4, Стр. 765

С помощью метода обращенной фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением исследованы незаполненные электронные состояния субмонослойных пленок диспрозия, адсорбированных на поверхности W(100). Показано, что энергетическое положение пика 1.7 eV не зависит от угла падения электронов на поверхность кристалла. Эта особенность связана с переходами электронов на 4f-состояние Dy, расположенное выше уровня Ферми. Изменение энергетического положения этого пика при увеличении концентрации адсорбированного диспрозия коррелирует с изменением работы выхода, что указывает на связь дипольного момента адатомов с их диполь-дипольным взаимодействием.
Панченко О.А., Сологуб С.В., Стеценко Б.В., Щуренко А.И. Электронные состояния субмонослойных пленок диспрозия, адсорбированных на поверхности W(100) // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 4, Стр. 762

В интервале температур 1.5--300 K проведено исследование температурных зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла и термоэдс нанопористого углерода, полученного из поликристаллических карбидов (alpha-SiC, TiC, Mo2C) и монокристаллов 6H-SiC. Структурными единицами, определяющими характер переноса заряда в этих материалах, являются нанокластеры углерода с размерами ~10--30 Angstrem. Обнаружено, что во всех исследованных образцах имеет место проводимость дырочного типа с высокой концентрацией носителей (nh~ 1020 cm-3). Обсуждаются особенности поведения кинетических коэффициентов при низких температурах. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17984), Российской научной программы "Актуальные направления в физике конденсированных сред" (направление "Фуллерены и атомные кластеры", тема N 98-059), гранта INTAS и Skeleton Technology Group (Sweden).
Попов В.В., Гордеев С.К., Гречинская А.В., Данишевский А.М. Электрические и термоэлектрические свойства нанопористого углерода // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 4, Стр. 758

Обсуждаются природа электронно-стимулированной десорбции атомов европия Eu0 при низких энергиях облучающих электронов Ee (~ 30 eV) и особенности зависимости выхода атомов Eu0 от их концентрации на поверхности окисленного вольфрама. Оказалось, что определяющей стадией является первичный акт рождения вакансии на внутренней 5p-оболочке адатома европия. Оценки показали, что из двух возможных сценариев ионизации (внутриатомный переход электрона на внешний квазиуровень адатома Eu или выброс выбитого электрона в вакуум) лишь первый ведет к десорбции Eu0. Определен концентрационный порог выхода атомов Eu0. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17972) в рамках Российской федеральной программы "Поверхностные атомные структуры" (проект N 4.5.99).
Давыдов С.Ю. Электронно-стимулированная десорбция атомов европия споверхности окисленного вольфрама: концентрационная зависимость низкоэнергетического пика // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 375

Выявлена область возможных ориентаций поверхности оптически одноосного кристалла, на которой существуют секторы направлений распространения бездисперсионных поляритонов, локализованных на границе раздела кристалла и оптически изотропной среды. Аналитически описаны границы сектора возможных направлений распространения как функции ориентации поверхности кристалла по отношению к его оптической оси. Проанализированы оптимальные соотношения между диэлектрическими проницаемостями, при которых ширина секторов распространения оказывается максимальной. Прослежены весьма резкие изменения границ секторов распространения поляритонов на различных поверхностях в пределе малой диэлектрической анизотропии кристалла.
Альшиц В.И., Любимов В.Н. Бездисперсионные поверхностные поляритоны наразличных срезах оптически одноосных кристаллов // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 371

Впервые в тонких монокристаллических слоях золота, серебра и меди, сформированных на поверхности монокристалла W(110), экспериментально наблюдались квантовые электронные состояния и резонансы sp-типа, возникающие вследствие пространственной локализации электронных волновых функций блоховского типа в квантовой яме с потенциальными барьерами, формируемыми границами вакуум/металл и металл/W(110). Для экспериментального исследования квантования электронной структуры валентной зоны в системах Au/W(110), Ag/W(110) и Cu/W(110) использовался метод фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. Работа выполнена в рамках программы ГНТП "Актуальные направления в физике конденсированных сред", направление "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.-99), гранта Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17287) и грантов DFG Sfb 290/TPA 06; BMBF 05 SF8 KEC8 (Германия).
Вялых Д.В., Шикин А.М., Прудникова Г.В., Григорьев А.Ю., Стародубов А.Г., Адамчук В.К. Квантовые электронные состояния ирезонансы втонких монокристаллических слоях благородных металлов наподложкеW(110) // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 157

Найден энергетический спектр и волновые функции кейновского осциллятора, описывающего спектр энергии электронов, легких дырок и спин-орбитально отщепленной зоны дырок в квантовой точке с параболическим удерживающим потенциалом.
Гашимзаде Ф.М., Бабаев А.М. Кейновский осциллятор // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 155

Приведены новые экспериментальные данные, относящиеся к исследованию природы участков rho(T)=~const при T
Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Исаев В.А., Дьяченко Т.А., Klimov A., Lewandowski S.J. Низкотемпературная проводимость системы туннельно-связанных квантовых точек вдиэлектрических пленках YBaCuO иLaSrMnO // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 150

Методом теории возмущений рассчитана энергия динамических сил изображения, действующих на зараженную частицу, движущуюся перпендикулярно границе раздела полупроводник--вакуум или в вакуумном промежутке между двумя полупроводниками. В используемом диэлектрическом подходе учитываются пространственная и временная дисперсии диэлектрических функций электродов. Показано, что необходимо принимать во внимание квантомеханический характер экранировки. В частности, динамические поправки к статическим силам изображения оказываются меньшими по сравнению с таковыми в квазиклассической модели. Таким образом, расширяется область внешних электростатических полей и энергий частиц, где применим используемый метод теории возмущений. Работа выполнена при частичной поддержке Украинского фонда фундаментальных исследований.
Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник--вакуум: роль квантовомеханических поправок // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2230

Исследовался эффект ударной ионизации экситонных состояний в эпитаксиальных пленках GaN и в структурах с квантовыми ямами GaN/AlGaN. Исследование проводилось оптическим методом, основанном на наблюдении гашения экситонной фотолюминесценции при приложении электрического поля. Установлено, что в процессе релаксации электронов по энергии и импульсу рассеяние на примесях преобладает над рассеянием на акустических фононах. Оценена средняя длина свободного пробега горячих электронов. В квантовых ямах GaN/AlGaN средняя длина свободного пробега горячих электронов оказалась на порядок величины больше, чем в эпитаксиальных пленках GaN, что обусловлено уменьшением вероятности рассеяния электронов в двумерном случае. Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16952).
Нельсон Д.К., Якобсон М.А., Каган В.Д., Жиль Б., Гранжан Н., Бомон Б., Масси Ж., Жибар П. Ударная ионизация экситонов в электрическом поле в GaN и квантовых ямах GaN/AlGaN // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2223