В системе пространственно разделенных электронов (e) и дырок (h) в основном состоянии рассчитаны спектры квазичастиц, перестроенные в результате e-h-спаривания. Выход за рамки приближения БКШ в области сильного спаривательного взаимодействия и немалых корреляционных эффектов осуществляется с помощью использования интерполяционных выражений для корреляционных энергий, функционально зависящих от коэффициентов u-v-преобразования, и последующей минимизации полной энергии перестроенного состояния по параметрам u-v-преобразования. Обсуждается зависимость спектров от расстояния между ямами и концентрации частиц в системе двух связанных квантовых ям.
Лозовик Ю.Е., Берман О.Л., Панфилов А.А. Спектры возбуждений в системе двух связанных квантовых ям // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 12, Стр. 2226

Получены решения дисперсионных уравнений для поляритонных состояний в ограниченных одномерных кристаллах произвольной длины. Прослежены возникновение и эволюция радиационных и нерадиационных поляритонных ветвей при изменении длины от двух мономеров до предельных длин, при которых спектр уже существенно не меняется. Найдены зависимости частот и радиационных ширин от волнового вектора поляритона при различных ориентациях дипольного момента квантового перехода. Прослежено развитие эффекта "superradiance" при увеличении длины кристалла. Отмечены некоторые ранее неизвестные существенные особенности поляритонного спектра, в частности затухание традиционно называемой нерадиационной ветви вследствие торцевого излучения.
Дубовский О.А. Сверхсвечение поляритонов в ограниченных одномерных кристаллах с увеличивающейся длиной: переход от димера к бесконечному кристаллу // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 11, Стр. 2136

Рассмотрены квантовые точки с трехмерным удерживающим потенциалом --- "шаровые" квантовые точки --- с учетом межэлектронного взаимодействия (квантовый аналог атома Томсона). Численной диагонализацией полного гамильтониана на одночастичном базисе определен энергетический спектр двухэлектронных параболических квантовых точек.
Капуткина Н.Е., Лозовик Ю.Е. <<Шаровые>> квантовые точки // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 11, Стр. 2134

Рассмотрены двухэлектронная система из двух соседних квантовых точек (КТ) с двумерным (2D) параболическим латеральным удерживающим потенциалом и из двух связанных или двойных пространственно разделенных КТ (горизонтальная или вертикальная "молекула" из КТ) и их поведение во внешнем поперечном магнитном поле. Различными методами (Гайтлера--Лондона, методом молекулярных орбиталей, вариационным методом и методом численной диагонализации гамильтониана) определены энергии основного состояния системы и энергетические спектры с учетом межэлектронного взаимодействия для широкого диапазона значений крутизны удерживающего потенциала, расстояний между центрами КТ (межслоевых расстояний) и внешнего магнитного поля.
Капуткина Н.Е., Лозовик Ю.Е. Горизонтальные и вертикальные "молекулы" из квантовых точек // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 11, Стр. 2127

Рассмотрен эффект резонансного туннелирования электронов через квазистационарные уровни в валентной зоне квантовой ямы в двухбарьерных структурах на основе материалов A3B5 с гетеропереходами второго типа в квантующем магнитном поле, направленном перпендикулярно гетерограницам. Вычислены коэффициенты пропускания туннельной структуры для переходов из состояний, соответствующих различным уровням Ландау с использованием модели Кейна. Показано, что возможны переходы с изменением номера уровня Ландау n на единицу за счет смешивания волновых функций состояний с противоположной спиновой ориентацией на гетерограницах из-за спин-орбитального взаимодействия. Причем вероятность таких переходов может быть сравнимой с вероятностью переходов без изменения номера уровня Ландау для туннельно-резонансных структур типа InAs / AlGaSb / GaSb.
Захарова А.А. Межзонное резонансное туннелирование в полупроводниковых гетероструктурах в квантующем магнитном поле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 11, Стр. 2121

Изучено взаимодействие атомов Sm с поверхностью Si(111). Исследования проводились методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии и контактной разности потенциалов в широкой области температур кремния (от комнатной до 1140 K), при которых самарий наносился на поверхность образцов. Интервал покрытий охватывал значения от 0 до 55 монослоев. Показано, что форма низкоэнергетического Оже-спектра самария зависит от степени покрытия, а ее изменение коррелирует с изменением валентности атомов Sm. Установлено, что при осаждении самария на кремний при комнатной температуре упорядоченные структуры не образуются и что на начальных этапах этого процесса происходит частичное перемешивание атомов металла и полупроводника. Когда самарий наносится на подогретый кремний (900 и 1140 K), то вначале образуется адсорбированная пленка (переходный слой), структура которой определяется степенью покрытия и температурой, а затем на переходном слое начинают расти трехмерные кристаллиты силицидов. Их форма зависит от температуры подложки. Этой зависимостью обусловлена связь между температурой и покрытием, при котором происходит коалесценция кристаллитов.
Крачино Т.В., Кузьмин М.В., Логинов М.В., Митцев М.А. Влияние температуры и степени покрытия на взаимодействие самария с поверхностью кремния Si(111) // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 10, Стр. 1937

Построена теория оптической анизотропии и размерноквантованного эффекта Поккельса в структурах с квантовыми ямами CA/C'A'(001) с различным катионно-анионным составом, т. е. при C#C' и A#A'. Теория основана на обобщенном методе эффективной массы, в котором в граничных условиях для плавных огибающих учтено смешивание состояний тяжелых и легких дырок при нормальном падении дырки на интерфейс. Показано, что анизотропия поглощения при междузонных переходах возникает при различных коэффициентах смешивания tl-h в граничных условиях для правого (A-C') и левого (A'-C) интерфейсов. Проанализирован интерфейсный вклад в анизотропию, наведенную внешним электрическим полем, при совпадающих и несовпадающих разрывах зон на интерфейсах. Для оценки различия между коэффициентами tl-h (A-C') и tl-h (A'-C) использована микроскопическая модель сильной связи sp3s*.
Ивченко Е.Л., Торопов А.А., Вуазен П. Интерфейсная оптическая анизотропия в гетероструктуре с различными катионами и анионами // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 10, Стр. 1925

Рассмотрена квантовая кристаллизация электронов в квантовой точке (КТ) во внешнем магнитном поле. Рассчитаны двуэлектронные КТ с двумерным (2D) параболическим удерживающим потенциалом во внешнем поперечном магнитном поле. Методом численной диагонализации гамильтониана на базисе одночастичных функций найдены энергетические спектры и волновые функции относительного движения электронов с учетом межэлектронного взаимодействия для широкого диапазона значений крутизны удерживающего потенциала alpha и внешнего магнитного поля B. Численно определена область значений внешних параметров alpha,B, в которой происходит постепенный переход к квантовому кристаллическому порядку. В отличие от 2D-неограниченной системы магнитное поле немонотонным образом действует на "кристаллизацию" в квантовой точке с несколькими электронами из-за конкуренции двух эффектов с ростом B: уменьшения размазки волновых функций электронов и роста эффективной крутизны удерживающего потенциала, приводящего к уменьшению среднего расстояния между электронами.
Капуткина Н.Е., Лозовик Ю.Е. Энергетические спектры и квантовая кристаллизация двухэлектронных квантовых точек в магнитных полях // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1753

С помощью метода оптической ориентации обнаружено спиновое расщепление оптически активных и неактивных экситонов в квантово-размерных островах InP/InGaP n-типа. Оптически неактивные состояния проявляются в спектрах поляризованной люминесценции вследствие связывания экситонов на нейтральных донорах (либо образования отрицательно заряженного экситона --- триона) в островах InP. Определены энергии обменного расщепления оптически активных и неактивных состояний.
Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Коренев В.Л., Пак П.Е., Винокуров Д.А., Коваленков О.В., Тарасов И.С. Оптическая ориентация экситонов, связанных на донорах, в квантово-размерных островах InP/InGaP // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1745

Получено аналитическое выражение для линейных коэффициентов фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами (MQWS) с наклонным дном в области основного экситонного резонанса. Вычислены коэффициенты фотоупругости в сверхрешетке GaAs/Al0.28Ga0.72As на длинноволновом краю резонанса основного экситонного состояния. Показано, что эти коэффициенты для MQWS с наклоном дна, возникающим в варизонной квантовой яме, больше, а для наклона дна, задаваемого постоянным электрическим полем, приложенным к MQWS, меньше тех же величин в случае сверхрешетки с прямоугольной квантовой ямой. Для пьезоэлектрических сверхрешеток вычислена величина стимулированного наклоном дна квантовой ямы линейного вклада пьезополя в коэффициент фотоупругости и проведено его сравнение с вкладом, вносимым потенциалом деформации.
Аюханов Р.А., Шкердин Г.Н. Линейные коэффициенты фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами с наклонным дном в области экситонных резонансов // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1740