Получено аналитическое выражение для резонансной диэлектрической проницаемости и линейных коэффициентов фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами вблизи межзонных резонансов. Показано, что в таких структурах величина резонансной фотоупругости значительно больше, чем в объемном случае и может превышать фотоупругость вблизи резонанса объемного экситона. Отмечено, что такой результат связан с локализацией невзаимодействующих электрона и дырки в слое с квантовой ямой и такая система вблизи межзонного резонанса определяет упруго-оптические свойства сверхрешетки подобно экситону в объемном кристалле.
Аюханов Р.А., Шкердин Г.Н. Эффект увеличения фотоупругости в сверхрешетках вблизи междузонных резонансов, стимулированный локализацией носителей в квантовой яме // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 3, Стр. 508

В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы рассмотрено примесное поглощение света в квантовой точке с параболическим потенциальным профилем. Выявлена чувствительность эффекта позиционного беспорядка к фактору размерности при переходе от квантовой ямы к квантовой точке. Исследована спектральная зависимость коэффициента примесного поглощения света с учетом дисперсии размеров квантовых точек. Показано, что учет дисперсии приводит к размытию дискретных линий в коэффициенте поглощения. При этом край полосы примесного поглощения зависит от параметров квантовой точки и глубины залегания примесного уровня.
Кревчик В.Д., Зайцев Р.В. Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 3, Стр. 504

Изучалась система, состоящая из слоя Si на поверхности редкоземельных металлов, обратная по отношению к широко исследуемой системе --- редкоземельный металл на кремнии. В работе методами оже-электронной спектроскопии в комбинации с послойным травлением системы ионами аргона и с помощью фотоэлектронной спектроскопии исследовано взаимодействие кремния с поверхностью (0001) монокристаллических слоев трехвалентных металлов La и Gd, выращенных на поверхности W(110). Было установлено, что кремний взаимодействует с поверхностью La(0001) и Gd(0001) уже при комнатной температуре с образованием силицида, однако взаимного перемешивания атомов кремния и подложки при этом не происходит. При прогреве систем Si/La(0001) и Si/Gd(0001) при температуре 400o диффузии кремния в объем металлической подложки или на межфазовую границу РЗМ/W(110) не происходит. Работа выполнена в рамках программы "Поверхностные атомные структуры" (проект 2.1.99) и гранта РФФИ-ННИО N 96-02-00045G.
Григорьев А.Ю., Крупин О.В., Вялых Д.В., Дедков Ю.С., Шикин А.М., Прудникова Г.В., Адамчук В.К. Взаимодействие кремния с поверхностью (0001) слоев La и Gd // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 2, Стр. 363

Проанализированы экспериментальные данные по зависимости энергораспределений атомов Li, Na и Cs, эмитированных под влиянием электронно-стимулированной десорбции, от их концентрации на поверхности окисленных вольфрамовых и молибденовых подложек. Работа выполнена в рамках Российской государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (проект N 4.5.99).
Давыдов С.Ю. Особенности энергораспределения атомов щелочных металлов при электронно-стимулированной десорбции с поверхности окисленных тугоплавких подложек // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 2, Стр. 360

Показано, что полосa зеленой катодолюминесценции возникает в силикатных системах при энергетическом воздействии, превышающeм некоторый порог. Наши опыты с опалами показали, что облучение создает в их пустотах свободные Si-нанокластеры. Появление при этом зеленой люминесценции можно связать с появлением межфазной границы Si--SiO2.
Богомолов В.Н., Гуревич С.А., Заморянская М.В., Ситникова А.А., Смирнова И.П., Соколов В.И. Образование нанокластеров кремния при модификации силикатной матрицы электронным пучком // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 2, Стр. 357

В приближении эффективной массы, используя теорию S-матрицы, численными методами получены энергии квазистационарных состояний электронов и дырок в открытой сложной цилиндрической квантовой проволоке. Конкретный расчет выполнялся на примере системы HgS/CdS/HgS. Исследованы полюса S-матрицы в комплексной плоскости энергий. Получены зависимости времен жизни квазичастиц в квазистационарных резонансных состояниях от геометрических размеров наносистемы и продольного квазиимпульса. Показано, что в резонансных состояниях времена жизни квазичастиц экспоненциально уменьшаются с увеличением продольного квазиимпульса.
Ткач Н.В., Головацкий В.А. Квазистационарные состояния электронов и дырок в открытой сложной цилиндрической квантовой проволоке // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 2, Стр. 350

Изучается процесс переноса тепла в одномерной решетке связанных ротаторов, в которой ориентационное взаимодействие соседних звеньев описывается периодическим потенциалом. На этом примере впервые показано существование одномерных решеток без потенциала подложки, обладающих конечной теплопроводностью в термодинамическом пределе. С ростом температуры данная система переходит из состояния с бесконечной в состояние с конечной теплопроводностью. Конечность теплопроводности обусловлена существованием в решетке локализованных стационарных возбуждений, препятствующих теплопереносу. Время жизни и концентрация этих возбуждений растет с ростом температуры, что приводит к монотонному уменьшению коэффициента теплопроводности. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант РФФИ N 98-03-333-66а). Один из авторов (А.В. Савин) выражает благодарность фонду INTAS-96-158 за частичную поддержку данного исследования.
Савин А.В., Гендельман О.В. О конечной теплопроводности одномерной решетки ротаторов // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 2, Стр. 341

В рамках флуктуационно-электромагнитной теории впервые получены наиболее общие (нерелятивистские) формулы для силы притяжения к поверхности и торможения параллельно движущегося нерелятивистского атома, а также для латеральных и нормальных сил, действующих на движущуюся дипольную молекулу и заряженную частицу (при параллельном и перпендикулярном движении). Получены зависимости указанных сил от скорости, температуры, расстояния и диэлектрических свойств атома и поверхности. Теоретически обоснованы эффект бездиссипативного резонансного взаимодействия движущегося нейтрального атома с полем поверхностных плазмонов, а также возможность появления положительной (ускоряющей) силы, действующей на атом (нанозонд). Обсуждается роль и возможность экспериментального измерения динамических флуктуационных сил в экспериментах с техникой кварцевого микробаланса, с атомно-силовым микроскопом (в динамическом режиме) и при торможении атомных пучков в открытых нанотрубках. Корректность полученных результатов обосновывается согласием с большинством известных теоретических соотношений других авторов.
Дедков Г.В., Кясов А.А. Флуктуационно-электромагнитное взаимодействие движущихся частиц с плоской поверхностью // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 169

Исследовались предвестники коррозии --- микроканавки, возникающие на упруго сжатой поверхности пластины кремния при травлении. Предвестники коррозии не наблюдались на упруго растянутой поверхности, что отличает обнаруженное явление от явления коррозионного растрескивания металлов, при котором коррозия обычно наблюдается на растянутой поверхности. Предложена общая динамическая модель развития поверхностных микроканавок при травлении, коррозии и росте упруго-напряженных твердых тел, основанная на представлении о двух локальных скоростях травления (роста), линейно зависящих от локального тензора напряжений. Модель описывает как кинетику процесса, так и асимметрию развития коррозии по отношению к знаку деформации. Исследована роль дефектов упаковки, дислокаций и искусственно созданных поверхностных ступеней в развитии коррозии напряженных кристаллов кремния. Авторы благодарны Российскому фонду фундаментальных исследований за поддержку работы (проект N 98-01-01084).
Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Барахтин Б.К., Рыбин В.В. Кинетический механизм развития поверхностных неустойчивостей при травлении, коррозии и росте упруго-напряженных твердых тел // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 162

Показана возможность выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) с ВЧ-плазменным возбуждением азотного разряда колончатых кристаллов GaN нанометровых размеров и исследованы просвечивающей электронной микроскопией (ПЭМ) типы и распределение дефектов в таких наноструктурах на подложках сапфира (0001). С помощью ПЭМ выяснено, что независимо от наличия начального низкотемпературного буферного слоя происходит развитие инверсных доменов практически от интерфейса, определен критический диаметр колонн, свободных от дислокаций, их плотность и средние размеры. Показана зависимость плотности дислокаций, их пространственного распределения и средних размеров колонн от наличия низкотемпературного буферного слоя. Нанометровые размеры выращенных кристаллов позволяют надеяться на дальнейшее использование их и самого метода роста для получения МПЭ квантоворазмерных объектов (квантовых точек и проволок) в перспективной системе AlGaInN. Работа проводилась в рамках проекта РФФИ N 99-02-17103 и Программ Министерства науки "Физика твердотельных наноструктур".
Мамутин В.В., Черкашин Н.А., Векшин В.А., Жмерик В.Н., Иванов С.В. Просвечивающая электронная микроскопия колончатых наноструктур GaN, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 146