Представлены результаты расчета ширины линии (обратного времени жизни) Gammae-e поверхностных состояний для Be(0001) и Mg(0001). Ширина линии состояния вычисляется как проекция мнимой части собственной энергии квазичастицы на само состояние. Экранированное кулоновское взаимодействие рассчитывается с помощью модельного потенциала, учитывающего энергетическую щель в проекционной зонной структуре и поверхностное состояние, расположенное в этой щели. Волновые функции и энергии электронных состояний вычисляются в рамках самосогласованного пленочного псевдопотенциального метода. На основе проведенных расчетов показано, что Gammae-e существенно зависит от положения поверхностного состояния в зоне Бриллюэна. Также показано, что переходы из зон поверхностных состояний в основном определяют отличие вычисленных значений Gammae-e от получаемых в модели однородного электронного газа. Мы выражаем благодарность отделу образования правительства страны басков, которое частично финансировало проведение работ по этому проекту, а также Э. Зарате за помощь в проведении части расчетов.
Силкин В.М., Чулков Е.В. Ширина линии поверхностных состояний простых металлов // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 7, Стр. 1334

Рассмотрена роль отталкивания электронных оболочек и электрон-фононного взаимодействия атомов адсорбционного комплекса в формировании начальной скорости ионов. Работа выполнена в рамках Федеральной программы "Поверхностные атомные структуры".
Давыдов С.Ю. Начальная скорость ионов при электронно-стимулированной десорбции // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 7, Стр. 1331

Рассматривается задача вычисления локализационных поправок к продольному deltarho и холловскому deltarhoH сопротивлениям двумерной неупорядоченной системы во всей области классических магнитных полей вплоть до значений, при которых длина свободного пробега носителей заряда l меньше или порядка циклотронного радиуса Rc. Показано, что физической причиной отклонения их поведения от логарифмического прапорционально ln(lB/l) (lB --- магнитная длина) при lB<< l<< Rc является не переход к квазибаллистическому режиму, а нелокальность процесса диффузии в куперовском канале. Полученные аналитические выражения открывают принципиальную возможность анализировать интерференционные поправки в deltarho и deltarhoH в квантующих магнитных полях (Rc<< l), включая квантовый предел. Показано, что вопреки общепринятой точке зрения локализационные поправки к rhoH отличны от нуля. Они имеют знак, противоположный знаку заряда носителей, и приводят к уменьшению абсолютной величины холловского сопротивления. Их полевая зависимость имеет те же особенности, а относительная величина --- тот же порядок, что и в продольном сопротивлении. Возникновение квантовых поправок в холловском сопротивлении обусловлено ларморовской прецессией замкнутых траекторий, которые обходятся электронами в процессе их многократного рассеяния на хаотически распределенных примесях. Работа выполнена при финансовой поддержке программы INTAS (грант 99-10-70).
Грошев А.Г., Новокшонов С.Г. Отрицательное магнитосопротивление и коэффициент Холла двумерной неупорядоченной системы // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 7, Стр. 1322

Методами оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведено исследование процесса интеркаляции иттербия под монослой графита, сформированный на поверхности Ni(111). Изучены особенности электронной структуры тонкопленочного интеркалятоподобного соединения, синтезированного в результате этого процесса. Показано, что наблюдающийся при этом энергетический сдвиг pi- и sigma-состояний в валентной зоне в сторону увеличения энергии связей (на ~ 2 и ~ 1 eV соответственно) может быть описан с позиций гибридизации pi-состояний углерода в графитовом мнослое с d-состояниями нижележащего металла. Данная работа поддержана ГНТП "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.99), "Фуллерены и атомные кластеры" (проект N 98052) и совместной Российско-немецкой программой РФФИ-ННИО (проекты N 96-02-00045 и N 98-03-04071).
Шикин А.М., Пойгин М.В., Дедков Ю.С., Молодцов С.Л., Адамчук В.К. Формирование интеркалятоподобных систем на основе монослоев графита и иттербия на поверхности Ni(111) // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 6, Стр. 1134

С учетом косвенного и диполь-дипольного взаимодействий адатомов исследованы изменения электронной структуры поверхностного слоя полупроводниковой подложки. Найдены условия как возникновения, так и схлопывания щелей в зоне поверхностных состояний подложки в функции от степени покрытия поверхности адатомами. Результаты анализа использованы для объяснения переходов металл--полупроводник при адсорбции атомов цезия и натрия на поверхности (001) кремния. Работа выполнена в рамках федеральной программы "Поверхностные атомные структуры".
Давыдов С.Ю. Переходы металл--полупроводник, вызванные адсорбцией щелочных металлов на поверхности (001) кремния // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 6, Стр. 1129

Теоретически рассмотрен эффект образования гетероструктуры чередующихся металлической и полупроводниковой фаз в атомных цепочках поверхностного одноатомного слоя пайерлсовского металла, помещенного в перпендикулярное поверхности электростатическое поле. Показано, что увеличение напряженности электрического поля приводит к повышению критической температуры фазового перехода металл--полупроводник на поверхности образца, росту температурного интервала существования гетероструктуры, уменьшению ее пространственного периода и увеличению глубины пространственной модуляции ширины запрещенной зоны электронного спектра.
Семенов А.Л. Индуцированная постоянным электрическим полем гетерофазная структура на поверхности пайерлсовского металла // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 6, Стр. 1125

С помощью статического магнитного масс-спектрометра, совмещенного с энергоанализатором с задерживающим электрическим полем, исследована электронно-стимулированная десорбция ионов Li+ из адслоя лития на поверхности тантала, покрытого пленкой кремния. Порог появления ионов Li+ близок к энергии ионизации уровня 1s лития. Вторичные пороги наблюдались около 130 и 150 eV. Порог при 130 eV превышает примерно на 30 eV энергию ионизации уровня 2p кремния и может быть связан с двойной ионизацией. Порог при 150 eV может быть связан с ионизацией уровня 2s кремния. Показано, что выход ионов Li+ не коррелирует с количеством кремния в приповерхностной области танталовой ленты, резко возрастая при высоких температурах отжига. На зависимости тока десорбции ионов Li+ от концентрации лития после отжига ленты при T> 1800 K обнаружены два максимума. Наибольший вклад в ток ионов Li+ после отжига вносят ионы, десорбируемые электронами с энергией выше 130 и 150 eV. Выход ионов Li+ после ионизации уровня 1s Li при энергии 55 eV значительно меньше, но наблюдается до больших концентраций напыленного лития. Полученные результаты могут быть объяснены на основе модели оже-стимулированной десорбции при учете релаксации локального поля поверхности. Эта работа выполнена в рамках Государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (грант N 4.5.99) и была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-17972).
Агеев В.Н., Соловьев С.М. Изучение взаимодействия лития с танталом, покрытым пленкой кремния, методом электронно-стимулированной десорбции // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 6, Стр. 1120

Рассмотрена двумерная модель кристаллической решетки с существенно нелинейным взаимодействием между атомами при произвольных взаимных смещениях в условиях сдвига. Энергия деформирования содержит периодический и градиентные члены. Уравнение равновесия в форме синус-Гельмгольца (с двумя характерными длинами когерентности) решается точно. Показано, что достаточно большая однородная деформация сдвига неустойчива и сопровождается возникновением периодических модуляций вдоль слоя, приводящих к неоднородным растяжениям и сжатиям атомных цепочек, т. е. к изменениям дальнего порядка. При проскальзывании цепочек на полпериода решетки и более изменяется и ближний порядок. Получены соотношения, связывающие размеры ячейки и амплитуду поля смещений, которые определяют условия существования модулированной структуры. Обнаружен бифуркационный переход от чисто упругой деформации решетки к упруго-пластической, а также переход в неупорядоченное (аморфоподобное) ее состояние. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 98-01-01076).
Аэро Э.Л. Микромасштабные деформации в двумерной решетке --- структурные переходы и бифуркации при критическом сдвиге // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 6, Стр. 1113

Исследован электронный транспорт в пленках гидрогенизированного аморфного углерода a-C : H с включениями наноразмерных кластеров меди. Выведены условия образования кластеров. Теоретически показано, что зонная энергетическая структура матрицы оказывает существенное влияние на условия образования кластеров. Электронный транспорт зависит от образовавшейся кластерной структуры. Обнаружено, что ниже порога перколяции (случай изолированных кластеров) в зависимости от напряженности электрического поля транспортный ток определяется двумя составляющими. При малых напряженностях поля ток обусловлен электронами в зоне проводимости аморфного углерода, термически возбужденными из медных кластеров. При больших напряженностях поля транспортный ток определяется туннелированием электронов с уровня Ферми группы медных кластеров в зону проводимости a-C : H. По температурным зависимостям найдена разность между краем подвижности зоны проводимости аморфного углерода и энергией Ферми в медных кластерах, равная 0.48 eV. Обнаружена тонкая структура температурных зависимостей сопротивления при малых напряженностях поля. Найдено, что выше порога перколяции в электрическом сопротивлении кластера велика доля остаточного сопротивления, связанная, как предполагается, с рассеянием электронов на поверхностях кластера. Методом спин-волнового рассеяния изучены температурные зависимости электронного транспорта на частоте 4.0 GHz. Обнаружено, что основное влияние на спиновую волну в пленке YIG оказывают термически возбужденные электроны зоны проводимости a-C : H, находящиеся выше края подвижности зоны. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17071а). Один из авторов (Сиклицкий В.И.) был поддержан Российской исследовательской программой "Фуллерены и атомные кластеры" (грант "Пленка-2"), грантом РФФИ N 98-07-90336 и государственной российской программой "Физика твердотельных наноструктур".
Луцев Л.В., Яковлев С.В., Сиклицкий В.И. Электронный транспорт в наноразмерной кластерной структуре углерод--медь // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 6, Стр. 1105

Методами оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии валентной зоны с угловым разрешением и Si(2p) внутреннего уровня, а также дифракции медленных электронов исследованы особенности электронной и кристаллической структуры систем, сформированных в процессе напыления слоев кремния на поверхность монокристаллических пленок Gd (0001) и Dy (0001) с последующим термическим отжигом при температуре T=450-500oC. В результате исследований было показано, что сформированные системы могут быть описаны как исходные монокристаллические пленки Gd и Dy с трехмерными островками силицидов этих металлов, расположенными на поверхности соответствующих металлических пленок. Данная работа выполнена при финансовой поддержке ГНТП "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.99) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 96-03-34107).
Шикин А.М., Григорьев А.Ю., Прудникова Г.В., Вялых Д.В., Молодцов С.Л., Адамчук В.К. Взаимодействие тонких слоев кремния с поверхностью (0001) редкоземельных металлов // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 5, Стр. 942