Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния, факторизованными по неприводимым представлениям группы симметрии гетероструктуры, исследовано влияние реального микроскопического потенциала на характеристики резонансного туннелирования электронов из Gamma-долины GaAs через барьер AlAs толщиной в одну постоянную решетки. Переходные области между потенциалами компонент и барьерная область рассматриваются как составные части периода сверхрешетки Ga2Al2As4, чтобы обеспечить непрерывность кристаллического потенциала на границах сшивания волновых функций. Показано, что по сравнению с результатами модели с резкой границей при учете реального потенциала меняется число и положение Фано-резонансов, усиливается локализация электронной плотности в барьере резко увеличивается время туннелирования. Работа выполнена при поддержке программы Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.12.99).
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф. Туннелирование электронов через тонкий барьер с плавным потенциалом на гетерограницах GaAs/AlAs(001) // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 752

Приведены результаты электронно-микроскопического изучения границ зерен и структуры изломов пленок на основе борида и нитрида титана, полученных методом нереактивного магнетронного распыления. Химический и фазовый состав пленок анализировался с помощью оже-электронной спектроскопии и микроэлектронной дифракции. Обсуждается структура границ, наличие аморфных включений, присутствие дислокаций и других искажений структуры, а также характер деформации при индентировании. Работа выполнялась при поддержке программ ИНТАС (проект N 96-2232) и "Интеграция" (проект N 855).
Андриевский Р.А., Калинников Г.В., Штанский Д.В. Высокоразрешающая просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия наноструктурных боридонитридных пленок // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 741

Методами термодесорбционной спектроскопии, изотермической десорбционной спектроскопии, дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии и контактной разности потенциалов изучена адсорбционная стадия формирования границы раздела Eu--Si (111) в широком интервале температур. Показано, что во всем исследованном интервале степеней покрытий 0
Крачино Т.В., Кузьмин М.В., Логинов М.В., Митцев М.А. Адсорбционная стадия формирования тонкопленочных структур Eu--Si (111) // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 3, Стр. 553

Исследован механизм формирования дифракционных картин электронов средней энергии при неупругом отражении от слоистого кристалла VSe2(0001). Обнаружено, что из-за большого вклада процессов рассеяния электронов на коротких атомных цепочках триад слоев Se--V--Se происходит ослабление эффекта фокусировки и усиление влияния дифракционного рассеяния в более глубоких слоях, которое приводит к появлению Кикучи-полос. Показано, что при энергии 2 keV дифракционная картина достаточно хорошо описывается кластерной моделью однократного рассеяния. Изучено атомное строение тонкого приповерхностного слоя VSe2 путем компьютерного моделирования результатов измерний. Работа выполнена в рамках направления "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.10.99) при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 99-02-1867).
Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С. Фокусировка электронов при отражении от слоистого кристалла // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 3, Стр. 542

Рассматривается теория сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ), применяющейся для исследования двумерного распределения неоднородностей в пленках, расположенных над металлическими подложками, а также рельефа проводящих поверхностей. Предложена реалистичная модель СЕМ, которая допускает аналитическое решение. Построено явное решение обратной задачи восстановления профиля неоднородностей в СЕМ. Подробно проанализированы эффекты, которые могли бы наблюдаться в связи с возбуждением собственных колебаний в системе пленка--игла зондового микроскопа. Данная работа была выполнена при поддержке РФФИ и программ "Поверхностные атомные структуры" и "Физика твердотельных наноструктур".
Балагуров Д.Б., Ключник А.В., Лозовик Ю.Е. Теория сканирующей емкостной микроскопии // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 361

Для субмонослойных Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga, исследованы электронные спектры поверхностных состояний и ионизационная энергия как функция покрытия. Использовался метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. При Cs-покрытии вблизи половины монослоя в спектре ниже уровня Ферми обнаружены две узкие зоны, индуцированные адсорбцией, что указывает на наличие двух неэквивалентных позиций для атомов Cs при взаимодействии с димерами Ga. Установлено, что Cs-покрытие ~ 0.7 монослоя является насыщающим для оборванных связей Ga и адсорбционная связь имеет преимущественно ковалентный характер. При покрытиях, близких к монослою, впервые наблюдались широкие зоны с энергией 1.9, 2.05 и 2.4 eV, которые могут быть связаны с возбуждением Cs-островков или кластеров и поверхностного Cs-плазмона соответственно. Результаты свидетельствуют о наличии двух фаз адсорбции с сильной и слабой связями. Работа выполнена при поддержке гранта N 98-02-18265 РФФИ и гранта N 99-2.14 программы Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры".
Бенеманская Г.В., Евтихиев В.П., Франк-Каменецкая Г.Э. Электронные свойства ультратонких Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 356

Путем моделирования найдена связь между степенью шероховатости межслойных границ и корреляционной длиной, определяемыми экспериментально, и характерной шириной атомных ступеней на поверхностях раздела слоев в многослойных структурах.
Берзин А.А., Морозов А.И. Ширина ступеней на шероховатой поверхности // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 354

Изучалось взаимодействие Si с Ta методами оже-спектроскопии и температурно-программируемой десорбции (ТПД). Показано, что при монослойном покрытии адатомы Si начинают проникать в объем подложки при T>=q 1400 K. Форма спектра и кривые отжига могут быть объяснены влиянием латерального отталкивания Si--Si в адслое не только на десорбцию, но и на уход Si в объем. Из анализа экспериментальных данных были определены некоторые соотношения между кинетическими параметрами. Их использование в численном расчете на основе ранее предложенной модели позволило определить (путем сравнения расчета с опытом) кинетические параметры всех процессов взаимодействия Si с подложкой из Ta при ТПД (десорбция, уход в объем, диффузии и выхода Si на поверхность). Показано, что удовлетворительное описание эксперимента получается только в предположении, что диффузия в конце ТПД после достижения максимума происходит лишь в пределах тонкого слоя вблизи поверхности, поэтому атомы Si быстрее выходят на поверхность и десорбируются, чем диффундируют в объем. Это означает, что слой вблизи поверхности при высоких температурах во время ТПД имеет нарушенную структуру по сравнению с начальной структурой Ta. Работа выполнена в рамках программы "Атомные поверхностные структуры" (проект N 4.5.99).
Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Потехина Н.Д., Потехин А.Ю. Термодесорбция кремния с текстурированных лент тантала // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 347

Установлено сильное влияние квантования электронного спектра в немагнитных прослойках в мультислоях на зависимость обменного взаимодействия от толщины прослойки. В простейшей модели ПККИ оказывается возможным объяснение антиферромагнитного провала при малых толщинах, наблюдаемого экспериментально в мультислоях Fe/Cr.
Ирхин Ю.П. Влияние пространственного квантования электронного спектра на обменное взаимодействие в мультислоях // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 1, Стр. 180

Исследовано магнитное взаимодействие поляризованных по спину ядер и оптически ориентированных экситонов в самоорганизованном ансамбле квантово-размерных островов InP в матрице InGaP. Измерены эффективные магнитные поля, создаваемые поляризованными ядрами на экситонах. Величины этих полей различны для активных и неактивных экситонов вследствие различия экситонных g-факторов. Определено значение g-фактора тяжелой дырки. Обнаружен эффект кросс-релаксации между активными и неактивными экситонными состояниями.
Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Коренев В.Л., Лазарев М.В. Взаимодействие экситонной и ядерной спиновых систем в самоорганизованном ансамбле квантово-размерных островов InP/InGaP // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 12, Стр. 2193