Рассмотрена область существования кристаллического порядка в системе пространственно разделенных электронов (e) и дырок (h) в двух связанных квантовых ямах при различных концентрациях n, температурах T и расстояниях D между слоями. Исследована также кристаллизация в системе электронов в полупроводниковых структурах вблизи металлического электрода при различных расстояниях d от полупроводника до металла. Для расчета кристаллической фазы использован вариационный расчет энергии основного состояния системы с учетом спаривания квазичастиц с ненулевым импульсом. Для системы двух связанных квантовых ям определены области в пространстве (T,n,D), где в каждом слое существуют электронные (либо дырочные) волны зарядовой плотности (ВЗП), и области, где указанные ВЗП сфазированы, иными словами, кристаллизуются непрямые экситоны (или пары с пространственно разделенными электронами и дырками), взаимодействующие как электрические диполи. В электронной системе в полупроводниковых структурах вблизи металлического электрода получены также и области существования электронного кристалла в пространстве (T,n,d), в котором на больших расстояниях электроны за счет сил изображения взаимодействуют как электрические диполи.
Лозовик Ю.Е., Берман О.Л. Квантовая кристаллизация двумерных дипольных систем // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1350

Рассчитан спектр дальнего инфракрасного поглощения света, обусловленного оптическими переходами дырок между подзонами размерного квантования в структурах типа p-GaAs/AlGaAs (001) с квантовыми ямами. Анализируются правила отбора для оптических переходов в центре двумерной зоны Бриллюэна. Учтено резонансное насыщение однофотонных электронных переходов между размерно-квантованными подзонами легких и тяжелых дырок. Исследован линейно-циркулярный дихроизм однофотонного нелинейного (резонансного) и двухфотонного поглощения света в размерно-квантованной яме.
Расулов Р.Я., Саленко Ю.Е., Эски Т., Тухтаматов А. Линейно-циркулярный дихроизм нелинейного поглощения света в квантовой яме // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1347

Получены спектры протяженных тонких структур энергетических потерь электронов Al K- и Ag M4,5-краев для твердого раствора Al--20 wt.% Ag после высокотемпературного старения, а также для чистых компонентов сплава. Глубина анализируемого слоя составляла ~ 20 Angstrem. Функции радиального распределения атомов определялись Фурье-преобразованием с поправкой на фазовый сдвиг и методом регуляризации. Для чистых элементов алюминия и серебра определено, что положения первых координационных сфер не отличаются от объемных межатомных расстояний. Для бинарного раствора удалось показать, что состояние образца соответствует распавшемуся твердому раствору с выделением на фоне матрицы алюминия фазы, обогащенной серебром. Межатомное расстояние Al--Al в бинарном растворе соответствует длине связи чистого алюминия. Парциальные расстояния до первых двух координационных сфер для пар Ag--Ag, Ag--Al одинаковы и равны межатомные расстояния gamma-фазы Ag2Al.
Шамин В.А., Кадикова А.Х., Деев А.Н., Рац Ю.В. Исследование локальной атомной структуры раствора алюминий--серебро методом протяженной тонкой структуры энергетических потерь электронов // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 1156

В приближении туннельного гамильтониана получено и проанализировано общее выражение для резонансного вклада в туннельный ток. Рассмотрены два типа резонансных туннельных структур: структуры со случайным распределением примесей и двухбарьерные структуры, в которых появление резонансного уровня связано с размерным квантованием. Обсуждается влияние температуры на вольт-амперные характеристики туннельных структур. Для экспериментов по неупругой туннельной спектроскопии изучается влияние профиля потенциального барьера на форму линии d2I/dV2. Обсуждаются возможные экспериментальные ситуации, в которых неупругая составляющая туннельного тока оказывается сравнимой с упругой.
Брагинский Л.С., Баскин Э.М. Неупругое резонансное туннелирование // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 1151

A novel phenomenon of regular oscillations is observed in I-V characteristics of porous silicon under illumination by visible light. The measurements are performed at room temperature using a scanning tunneling microscope. The heights of the oscillation peaks appear to be a linear function of the oscillation number. The experimental value of the Coulomb energy determined from the oscillation period is much smaller than kBT. The oscillations are attributed to a Coulomb effect, i. e. to the periodic trapping of a multielectron level in a quantum well within a Si nanocrystal under the combined influence of the voltage variation at the STM tip and the Coulomb interaction among the carriers.
Afonin V.V., Gurevich V.L., Laiho R., Pavlov A., Pavlova Y. Coulomb interaction controlled room temperature oscillation of tunnel current in porous Si // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 1147

В интервале температур 10--40 K исследованы спектры фотолюминесценции гетероструктур, содержащих короткопериодные GaAs/AlAs-сверхрешетки типа II, выращенные как в режиме выглаживания, так и без выглаживания гетерограниц. Количественный анализ экспериментальных данных показал, что в большинстве случаев тушение экситонной люминесценции характеризуется единым значением энергии активации E2=8±1 meV, совпадающим с величиной энергии связи X-Gamma-экситонов. Сделан вывод о том, что основной причиной тушения в исследуемом температурном интервале является термический разрыв экситона на пару свободных носителей, делокализация которых сопровождается безызлучательной рекомбинацией на ловушках. Обнаружено, что выглаживание гетерограниц приводит к увеличению вероятности тушения в среднем на 1--2 десятичных порядка.
Герловин И.Я., Долгих Ю.К., Ефимов Ю.П., Игнатьев И.В., Новицкая Е.Е., Овсянкин В.В. Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 1140

Исследованы квантовые состояния электронов в системе точек (антиточек) в присутствии постоянного магнитного поля. Предложен новый численный метод расчета электронного спектра и волновых функций в двумерном периодическом потенциале и в перпендикулярном магнитном поле. Найдены энергии магнитных подзон, плотность электронных состояний, а также электронная плотность |psi(x,y)|2 и (при различных значениях магнитного поля) амплитуды потенциала, периода и степени анизотропии решетки. Расчеты проведены для квантовых точек в системах In0.2Ga0.8As--GaAs и GaAs--Al0.3Ga0.7As. Изучается перестройка спектра с изменением магнитного поля и переходом от приближения сильной (homegac/V0<<1) к приближению слабой связи (homegac/V0>>1) (omegac --- циклотронная частота, V0 --- амплитуда периодического потенциала). Результаты показывают, что в полученных в настоящее время двумерных решетках, возникающих на поверхности полупроводника в процессе эпитаксиального роста, возможно наблюдение квантовых эффектов, связанных с перестройкой спектра (электронный транспорт и оптическое поглощение) в магнитных полях H=< MG.
Демиховский В.Я., Перов А.А. Электронные состояния в решетках квантовых точек и антиточек, помещенных в сильное магнитное поле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 1134

При помощи экспериментальной методики накачки и зондирования исследовано влияние фотовозбужденных носителей на динамику спектров экситонного поглощения GaAs / AlxGa1-xAs-многослойных квантовых ям. Применение метода анализа моментов для обработки результатов позволило выделить одновременный вклад изменения силы осциллятора и уширения экситонных линий в насыщение экситонного поглощения. Оказалось, что сила осциллятора восстанавливает свое первоначальное значение в течение первых 100--130 ps, тогда как уширение и энергетический сдвиг экситонных линий наблюдаются в течение 700--800 ps. Впервые экспериментально измерена плотность насыщения силы осциллятора в случае влияния на экситонное состояние только свободных электрон-дырочных пар и в случае влияния только других экситонов.
Литвиненко К.Л., Хвам Й.М., Лысенко В.Г. Влияние свободных электрон-дырочных пар на насыщение экситонного поглощения в GaAs / AlGaAs-квантовых ямах // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 1130

В модели потенциала нулевого радиуса исследованы многофононные (безызлучательные) переходы на связанные состояния в параболической квантовой яме (ПКЯ) в постоянном электрическом поле, вектор напряженности которого направлен перпендикулярно поверхности ПКЯ. Показано, что поперечники теплового захвата существенным образом зависят от величины и направления электрического поля, от положения примеси в размерно-ограниченных системах.
Синявский Э.П., Русанов А.М. Многофононный захват носителей в параболических квантовых ямах в постоянном электрическом поле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 1126

Времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации измерены выход и энергораспределения атомов натрия при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из адсорбированных слоев с поверхности молибдена с различной степенью окисления при температуре поверхности T=300 K как функции энергии бомбардирующих электронов и степени покрытия поверхности натрием. Порог появления ЭСД атомов натрия независимо от степени покрытия натрием и степени окисления молибдена составляет около 25 eV. Для молибдена, покрытого моноатомной пленкой кислорода, наблюдаются вторичные пороги при ~40 eV и ~70 eV, а также затяжка энергораспределений в область малых энергий, протяженность которой возрастает с увеличением степени покрытия поверхности натрием Theta. Наиболее вероятные кинетические энергии атомов натрия составляют около 0.23 eV независимо от степени окисления молибдена и энергии бомбардирующих электронов при Theta=0.125 и уменьшаются до 0.17 eV с ростом степени покрытия до Theta=0.75. Полученные результаты интерпретируются на основе модели Оже-стимулированной десорбции, в которой нейтрализация адсорбированных ионов натрия вызывается Оже-электронами, возникающими при заполнении вакансий на уровнях 2s O, 4s Mo и 4p Mo. Впервые обнаружено, что появление вторичных порогов при ЭСД нейтральных частиц зависит от степени покрытия поверхности адсорбатом также, как протяженность их энергораспределений.
Агеев В.Н., Кузнецов Ю.А. Электронно-стимулированная десорбция атомов натрия с поверхности окисленного молибдена // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 4, Стр. 768