Моделирование профилей распределения ионов Cu+, Ag+ и Au+ при имплантации в аморфные диэлектрики SiO2, Al2O3 и сода-натриевое силикатное стекло проведено при помощи программы DYNA, алгоритм которой основан на эффектах парных столкновений внедряемых ионов с атомами подложки, приводящих к динамичес...
Моделирование профилей распределения ионов Cu+, Ag+ и Au+ при имплантации в аморфные диэлектрики SiO2, Al2O3 и сода-натриевое силикатное стекло проведено при помощи программы DYNA, алгоритм которой основан на эффектах парных столкновений внедряемых ионов с атомами подложки, приводящих к динамическому изменению фазового состава приповерхностного слоя облучаемого материала, а также с учетом явления поверхностного распыления. Рассмотрены случаи ионной имплантации дозами =< 1016 cm-2 при низких энергиях 30, 60 и 100 keV. Проведено сравнение полученных результатов по динамическому изменению профилей распределения концентрации имплантированных ионов в зависимости от дозы со стандартным статическим распределением, рассчитаным по TRIM-алгоритму. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (N 99-02-17767).
Степанов А.Л., Жихарев В.А., Хайбуллин И.Б. Особенности профилей распределения по глубине ионов металлов, имплантированных в диэлектрики при низких энергиях // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 4, Стр. 733