Методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии исследовано влияние коадсорбции Co и Ni на структуру поверхности Si(111) и диффузию адсорбированных атомов. Установлено, что при коадсорбции Ni и Co на поверхности Si(111) формируются поверхностные структуры, подобные структурам, образующимся при адсорбции только Co. Обнаружено, что на поверхности Si(111) с субмонослойными концентрациями Co в диапазоне температур 500-750oC резко возрастает вклад поверхностной диффузии в транспорт атомов Ni по сравнению с чистой поверхностью, где основным механизмом переноса Ni вдоль поверхности является диффузия его атомов через объем Si.
Долбак А.Е., Ольшанецкий Б.З., Тийс С.А., Жачук Р.А. Поверхностная диффузия Ni на Si(111) при коадсорбции Co // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1489

Методом малоуглового рентгеновского рассеяния исследовалась структура нанопористого углерода, получаемого путем хлорирования карбидных соединений с различной кристаллической структурой (SiC, TiC, Mo2C). Измерения проводились в режиме рефлектометрии и при прохождении рентгеновского пучка через образец. Полученные угловые зависимости интенсивности рассеяния интерпретированы как результат рассеяния от наночастиц различных размеров. Путем разложения экспериментальных кривых на компоненты, соответствующие частицам с различным радиусом инерции Rg, найдены функции распределения рассеивающих частиц по радиусам инерции m(Rg). Показано, что независимо от типа исходного карбида наибольшую долю объема в пористом углероде составляют частицы с Rg~5 Angstrem. Образцы, полученные из разных карбидов, различаются по степени однородности размеров наночастиц. Наиболее однородными по размеру оказываются наночастицы в образцах, полученных из SiC, в которых среднее значение Ravg
Кютт Р.Н., Сморгонская Э.А., Гордеев С.К., Гречинская А.В., Данишевский А.М. Исследование структуры нанопористого углерода, полученного из поликристаллических карбидных материалов, методом малоуглового рентгеновского рассеяния // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1484

Построена теория рамановского рассеяния света на акустических фононах в сферических нанокристаллах полупроводников с кристаллической решеткой цинковой обманки и вюрцита с учетом сложной структуры валентной зоны. Для описания экситон-фононного взаимодействия использовано приближение деформационного потенциала. Показано, что в этом приближении возможны лишь процессы рамановского рассеяния света с участием сфероидальных акустических фононов с полным угловым моментом F=0 или 2. Проанализировано влияние размерного квантования фононов на ширину линий в спектре рамановского рассеяния и поляризацию рассеянного света. Получено выражение, описывающее форму спектральной линии, соответствующей нерезонансному рассеянияю на фононе с F=0.
Гупалов С.В., Меркулов И.А. Теория рамановского рассеяния света на акустических колебаниях нанокристаллов // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1473

Обнаружено увеличение интенсивности неупругого рассеяния света на квантовых проволоках пористого кремния. Показано, что эффект вызван уменьшением коэффициента поглощения оптической среды, образованной квазиодномерными структурами при сохранении кристаллической структуры самих проволок.
Компан М.Е., Новак И.И., Кулик В.Б., Камакова Н.А. Усиление интенсивности рамановского рассеяния в пористом кремнии // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1320

Определены блоховские состояния частицы в одномерном периодическом поле бипараболической формы. Решения представлены через вырожденные гипергеометрические функции. Показано, что первый член разложения Трикоми для вырожденных гипергеометрических функций при этом представляет квазисвободное надбарьерное движение частицы и совпадает с точным решением Кронига--Пенни для прямоугольного потенциала.
Мурадян А.Ж. Задача Кронига--Пенни для потенциала бипараболической формы: квазисвободное движение частицы // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1317

В рамках квазиклассического приближения исследовано влияние электрического поля на дифференциальную термоэдс одномерной сверхрешетки alpha(E). Установлена немонотонная зависимость alpha(0) от температуры для вырожденного электронного газа. Показана принципиальная возможность управления термоэлектрическими свойствами сверхрешеток электрическим полем.
Булыгин А.С., Шмелев Г.М., Маглеванный И.И. Дифференциальная термоэдс сверхрешетки в сильном электрическом поле // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1314

В рамках дипольного приближения теоретически изучено межзонное поглощение света в малом полупроводниковом микрокристалле. Получено выражение для коэффициента поглощения света в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки с поверхностью микрокристалла играет существенную роль.
Покутний С.И. Межзонное поглощение света в квазинульмерных полупроводниковых системах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1310

Методами рамановской спектроскопии исследованы низкочастотные колебательные спектры смешанных нанокристаллов сульфоселенида кадмия во фторфосфатной стеклообразной матрице. Экспериментально обнаружена низкочастотная особенность в плотности состояний нанокристалла, частота которой связана со временем отжига стеклообразной матрицы и, следовательно, с размером синтезированных нанокристаллов, что интерпретируется как квантово-размерный эффект. Помимо линии, связанной с ограничением продольной акустической волны в нанокристалле, обнаружена более низкочастотная особенность, объясняемая проявлениями торсионных колебаний несферического нанокристалла.
Денисов Е.П., Карпов С.В., Колобкова Е.В., Новиков Б.В., Сусликов А.И., Федоров Д.Л., Ястребова М.А. Особенности низкочастотных колебаний нанокристаллов во фторфосфатных стеклообразных матрицах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1306

Исследованы триплетные состояния ароматических молекул типа антрацена на пленках Лэнгмюра-Блоджетт. Установлено, что основным каналом релаксации T1-состояний является бимолекулярная триплет-триплетная аннигиляция. Наблюдаемая неэкспоненциальная кинетика затухания аннигиляционной замедленной флуоресценции обсуждается с позиций формально-кинетической и перколяционной моделей.
Ибраев Н.Х., Латонин В.А. Кинетика затухания аннигиляционной замедленной флуоресценции ароматических молекул в пленках Лэнгмюра-Блоджетт // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 736

На большом числе структур CdTe/ZnTe с различной средней толщиной < Lz>=0.25-4 монослоев (МС) и геометрией слоя CdTe (сплошной, островковый) приведено исследование температурных зависимостей спектров люминесценции. Обсуждается влияние геометрических особенностей структуры ультратонкого слоя на ширину линий, степень латеральной локализации экситонов, их энергию связи и экситон-фонoнное взаимодействие. Показано, что в островковых структурах латеральная миграция экситонов практически отсутствует. В субмонослойной структуре определена константа экситон-фононного взаимодействия Gammaph=53 meV и показано, что в структурах с большими средними тощинами константа Gammaph значительно меньше. Установлено, что в квантовой яме с < Lz>=4 MC наблюдается заметная латеральная миграция экситонов, причем существенную роль в процессах переноса играет взаимодействие с акустическими фононами. Обнаружено, что глубина экситонного уровня в квантовой яме и структурные особенности ультратонкого слоя оказывают существенное влияние на температурные зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции.
Зайцев В.В., Багаев В.С., Онищенко Е.Е. Особенности температурных зависимостей фотолюминесценции квантовых островков и ультратонких квантовых ям CdTe/ZnTe // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 717