В рамках теории функционала плотности и модели "желе" исследованы электронная структура и линейный отклик на внешнее электрическое поле нитей простых металлов с квантово-размерным поперечным сечением. Обнаружено немонотонное изменение работы выхода и статической поляризуемости нити при увеличении ее радиуса. Получены спектры фотопоглощения для нитей Na с различным поперечным сечением. Исследовано влияние диэлектрического окружения на свойства нитей. Увеличение диэлектрической проницаемости среды приводит к уменьшению статической поляризуемости металлических нитей. Найдено, что при помещении нитей Na в диэлектрическую матрицу поверхностный плазменный резонанс в сечении фотопоглощения смещается из области непрерывного спектра в область перед порогом ионизации. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 99-15-96028).
Смогунов А.Н., Куркина Л.И., Фарберович О.В. Электронная структура и поляризуемость квантовых металлических нитей // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 10, Стр. 1848

We present a theory of the photonic band structure of three-dimensional arrays of quantum dots (QDs). A system of Maxwell and material equations is solved and the dispersion equation for exciton polaritons is derived making allowance for a nonlocal dielectric response of quasi-zero-dimensional excitons confined in QDs. The reflection and transmission coefficients are calculated for a single plane, a pair of planes and a stack of equidistant planes of QDs. Two different approaches are proposed to perform the calculation. One of them is based on recurrent equations relating the reflection coefficients for N+1 and N planes, and in other approach the Bloch solutions for an infinite QD lattice are used. E.L.I. would like to thank the program "Nanostructures" (Russian Ministry of Science) and Russian Foundation for Basic Research for financial support.
Ivchenko E.L., Fu Y., Willander M. Exciton polaritons in quantum-dot photonic crystals // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1707

Показана ограниченность классического описания статической деформации кристаллов в области размеров порядка нанометров. Задача сформулирована на основании фононного гамильтониана, дополненного точечными силовыми источниками монопольного и дипольного типов. Найдено, что квантование Фурье-амплитуд полной энергии стационарных деформационных состояний приводит к энергетическому спектру с фермиевским типом распределеления уровней и что стационарный отклик нанокристаллов на силовое воздействие зависит от дискретности изменения числа смещенных ионов в области силовой неоднородности. Определены условия возникновения волн смещений ионов и сделан вывод о возможности создания новых твердотельных элементов для хранения и передачи информации на основе управления коллективными свойствами деформационных возбуждений.
Мещеряков В.В. Деформационные состояния в нанокристаллах // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1700

С привлечением идеи многофононных оптических переходов объясняется широкий класс экспериментальных данных по люминесценции в легированных квазидвумерных системах. Для описания локализованных состояний в прямоугольных квантовых ямах используется модель потенциала нулевого радиуса. В частности, показано, что интенсивность люминесценции немонотонно зависит от положения легированных акцепторов, а полуширина пика люминесценции уменьшается при удалении примесей от центра размерно-ограниченной системы. Исследуются особенности люминесценции, возникающие в продольном магнитном поле.
Синявский Э.П., Соковнич С.М. Оптические свойства легированных квазидвумерных систем // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1695

На основе зонной модели нанокристалла (НК) с центрами окраски коллоидного типа и дырочными ловушками одного сорта описана кинетика образования и термического разрушения центров окраски в НК CuCl и AgCl, распределенных в стеклянной матрице. Показана возможность экспериментального определения относительного распределения глубины дырочных состояний в светочувствительных НК в стекле. Обнаруженная энергетическая дисперсия локализованных дырочных состояний и ее изменения в НК связываются в соответствии с идеей Декстера с крупномасштабными тепловыми флуктуациями кристаллического поля. Предполагается наличие избыточного заряда на коллоидной частице и его влияние на локализованные дырочные состояния.
Лейман В.И. Энергетическая дисперсия локализованных состояний в светочувствительных нанокристаллах // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1689

Исследована межзонная люминесценция в параболической квантовой яме во внешних электрическом и магнитном полях. Показано, что с ростом напряженности магнитного поля максимум люминесценции сдвигается в область больших частот, а с ростом напряженности электрического поля максимум излучения смещается в длинноволновую область и уменьшается по величине. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными данными. Предсказан новый канал излучения электромагнитной волны (электроиндуцированная люминесценция), определяемый непрямыми оптическимии переходами. Вычислена частотная зависимость электроиндуцированного излучения с учетом взаимодействия электрона с акустическими и оптическими фононами. Установлено, что с ростом напряженности электрического поля увеличивается полуширина пика люминесценции.
Синявский Э.П., Соковнич С.М. Электроиндуцированная люминесценция в параболических квантовых ямах в магнитном поле // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1685

Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры пленки дисилицида кобальта. Расчет проводился в рамках пленочного метода линеаризованных присоединенных плоских волн. Совместный анализ полных и локальных парциальных плотностей электронных состояний, фотоэлектронных и рентгеновских эмиссионных спектров различных серий для всех неэквивалентных атомов пленки позволил интерпретировать главные особенности спектральных характеристик этого материала.
Курганский С.И., Переславцева Н.С. Электронная структура пленки дисилицида кобальта // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 8, Стр. 1499

В настоящей работе исследуется низкотемпературная (T=<q 30 K) фотолюминесценция линии пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/Al0.33Ga0.67As в зависимости от мощности оптической накачки и величины приложенного к образцу электрического поля. При определенных значениях внешнего электрического поля, температуры и оптической накачки обнаружен гигантский (в 3 раза) всплеск интенсивности люминесценции части спектрального контура линии непрямых экситонов. Кроме того, обнаружено, что эта часть контура линии непрямых экситонов изменяет свою интенсивность (флуктуирует) во времени с характерным периодом в десятки секунд. Полученные результаты обсуждаются в рамках модели бозе-эйнштейновской конденсации для системы двумерных бозонов, обладающих наряду со свободным, еще и дискретным спектром энергий, расположенным ниже дна зоны свободных состояний. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18296).
Москаленко Е.С., Криволапчук В.В., Жмодиков А.Л. Гигантский всплеск интенсивности излучения линии пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 8, Стр. 1492

Исследована зависимость спектров экситонной фотолюминесценции квантовых ям ZnS--ZnSe с различными концентрациями центров локализации от интенсивности возбуждения и температуры. Показано хорошее совпадение формы экспериментальной полосы низкотемпературной фотолюминесценции, и рассчитанной в модели прыжков экситона на ближайший центр локализации, и в модели, учитывающей переходы локализованного экситона на все центры его локального окружения. Определены параметры, характеризующие локализованные экситоны в данных квантовых структурах субмонослойной толщины. Работа поддержана Государственным фондом фундаментальных исследований Украины (проект 2.4/86).
Бондарь Н.В. Влияние процессов энергетической релаксации локализованных экситонов на спектр излучения одиночных квантовых ям ZnS--ZnSe // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 8, Стр. 1486

Исследованы нерадиационные поляритоны (поверхностные и объемные) в полупроводниковой структуре, состоящей из двух гетеропереходов GaAs / AlxGa1-xAs в условиях целочисленного квантового эффекта Холла (ЦКЭХ). Определены их дисперсионные, поляризационные и энергетические характеристики с учетом диссипации в двумерных электронных слоях. Показано, что в условиях ЦКЭХ фазовая и групповая скорости поверхностных и объемных поляритонов являются квантованными величинами. Найдено, что в двойных гетеропереходах GaAs / AlxGa1-xAs может наблюдаться резонансное взаимодействие двух мод поверхностных поляритонов. Обсуждены возможности экспериментального наблюдения нерадиационных поляритонов.
Белецкий Н.Н., Борисенко С.А. Влияние квантующего магнитного поля на спектр и затухание поляритонов в двойных двумерных электронных системах // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 8, Стр. 1479