Исследованы нерадиационные поляритоны (поверхностные и объемные) в реальных гетеропереходах GaAs/AlxGa1-xAs в условиях целочисленного квантового эффекта Холла (ЦКЭХ) при наличии диссипации в двумерном электронном слое. Определены условия их существования, спектр и затухание. Показано, что в условиях ЦКЭХ все характеристики поверхностных и объемных поляритонов являются квантованными. Найдено, что с изменением волнового числа поверхностные и объемные поляритоны могут непрерывным образом трансформироваться друг в друга. Обсуждены возможности экспериментального наблюдения нерадиационных поляритонов.
Белецкий Н.Н., Борисенко С.А. Влияние диссипации на свойства поверхностных поляритонов в гетеропереходах GaAs/AlGaAs в квантующем магнитном поле // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 705

Экспериментально показано, что введение эрбия в структуры с квантовыми ямами GaAs / AlGaAs в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии приводит к эффективной интердиффузии Ga и Al и диффузии Er вследствие усиленного образования вакансий, вызванного введением эрбия. Предложен механизм образования катионных вакансий, основанный на возникновении локальной деформации при введении эрбия. Показано, что эрбий взаимодействует с алюминием, и это взаимодействие вызывает образование в AlGaAs кластеров, содержащих эрбий и обогащенных алюминием.
Гусев О.Б., Бер Б.Я., Бреслер М.С., Захарченя Б.П., Яссиевич И.Н., Хитрова Г., Гиббс Х.М., Принеас Д.П., Линдмарк Э.К., Мастеров В.Ф. Интердиффузия галлия и алюминия, индуцированная введением эрбия в квантовые структуры GaAs / AlGaAs // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 3, Стр. 540

Показано, что на границе раздела энантиоморфных двойников --- гиротропных кристаллов с левовинтовым и правовинтовым вращением плоскости поляризации света --- могут распространяться локальные поляритоны нового типа. Волновая функция этих локальных поляритонов сильно, с изменением знака осциллирует на длине постоянной решетки вблизи границы раздела, и при удалении от границы период пространственных осцилляций возрастает. Терм локального поляритона отщеплен от зоны делокализованных состояний в высокочастотную область. Расчеты радиационного уширения этого терма показывают, что для локального поляритона возможен эффект гигантского увеличения затухания ("seperradiance"). Найдена величина вращения поляризации определяемого локальным поляритоном.
Дубовский О.А., Орлов А.В. Локальные поляритоны нового типа на границе раздела гиротропных энантиоморфных кристаллов // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 2, Стр. 337

Построена теория упругого рассеяния света через состояния квазидвумерных экситонов в квантовой яме со случайно неровными стенками. Нелокальная экситонная восприимчивость выражена через случайные функции формы границ квантовой ямы с точностью до линейных членов по высоте неровностей. В борновском приближении при произвольной статистике неровностей вычислены сечения резонансного упругого рассеяния света для всех каналов, в которых начальное и конечное состояния представлены электромагнитной волной ТМ или ТЕ типа. Спектральные и угловые зависимости вероятности рассеяния рассчитаны с гауссовыми корреляционными функциями неровностей. Из численных оценок следует, что упругое рассеяние в квантовых ямах должно наблюдаться при среднеквадратичной высоте неровностей порядка толщины атомного монослоя.
Кособукин В.А. Резонансное упругое рассеяние света квантовой ямой со статистически неровными границами // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 2, Стр. 330

Исследовались спектры низкотемпературной (T=1.8, 4.2 K) люминесценции двойных связанных асимметричных квантовых ям (ДКЯ) GaAs/Al0.3Ga0.7As при изменении электрического поля Vdc, приложенного вдоль нормали к плоскости слоев ДКЯ. Обнаружено, что полуширина линии излучения (FWHM) непрямого экситона IX испытывает в некотором интервале значений Vdc резкое (до 3.5 раз) сужение. При этом в переходной области значений Vdc, при которых возникает резкое уменьшение (или увеличение) FWHM наблюдаются аномально большие флуктуации интенсивности IX во времени. В ходе зависимости FWHM от уровня накачки Ip также наблюдалось резкое уменьшение FWHM в некотором интервале значений Ip. Полученные результаты обсуждаются в рамках предположения о связи наблюдаемых явлений с возникновением конденсированного состояния во взаимодействующем коллективе пространственно-непрямых экситонов в ДКЯ.
Криволапчук В.В., Москаленко Е.С., Жмодиков А.Л., Ченг Т.С., Фоксон С.Т. Проявление коллективных свойств пространственно-непрямых экситонов в асимметричных двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 2, Стр. 325

Сообщается о наблюдении аномально высокого ИК поглощения в области двухфононных частот алмаза в пленках аморфного гидрогенизированного углерода, выращенных в процессе плазменного сораспыления графита и меди. Наблюдалось до пяти структурных элементов полос, частоты которых близки или совпадают с литературными данными для полос двухфононного поглощения в объемном алмазе. Этот факт предполагает присутствие в выращенных слоях нанокристаллов алмаза. Само по себе наблюдение двухфононного поглощения в тонких пленках представляется удивительным фактом ввиду малости его коэффициента поглощения в объемном алмазе. Оценка величины коэффициента поглощения в господствующей полосе при 2140 cm-1 дает величину порядка 200 cm-1, что более чем на порядок превышает коэффициент поглощения в объемном алмазе. Это обстоятельство приписывается аномальному возрастанию коэффициента двухфононного поглощения, благодаря пространственному ограничению фононов в малых по размерам кристаллических образованиях алмаза, зарождающихся в матрице аморфного углерода (фононному конфайнменту). Оценка размеров этих образований по ширине полос дает величину порядка 20 Angstrem. Анализируются причины каталитической активности меди по зарождению алмазов.
Иванов-Омский В.И., Звонарева Т.К., Фролова Г.С. Аномальное двухфононное поглощение в нанокристаллах алмаза в среде аморфного углерода // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 2, Стр. 319

Исследованы спектры поглощения и кинетика плавления и кристаллизации нанокристаллов CuCl в стекле в области размеров 1--30 nm. На размерных зависимостях температуры плавления Tm(R) и температуры кристаллизации Tc(R) обнаружено 3 разрыва. При постепенном уменьшении радиуса частицы от 30 nm в области R=< 12.4 nm происходит скачок уменьшения на 60 градусов температуры Tc, который связывается с размером критического зародыша CuCl в расплаве. При R=2.1 nm наблюдается скачок уменьшения на 30 градусов температуры Tm, а при размере частиц CuCl 1.8 nm обнаруживается второй скачок уменьшения на 16 градусов температуры Tc. Два последних скачка связываются с изменением равновесной формы наночастиц. В области меньших размеров при R=< 1.34 nm наблюдается слияние зависимости Tc(R) с зависимостью Tm(R) вследствие исчезновения работы образования кристаллической поверхности при кристаллизации расплава из-за отсутствия поверхностного натяжения у частиц CuCl с радиусом, сравнимым с толщиной эффективного поверхностного слоя. В этой же области радиусов частиц CuCl (1--1.8 nm) наблюдается увеличение размерного сдвига энергии экситона. Размерная зависимость температур плавления и кристаллизации наночастиц объясняется изменением свободной энергии в поверхностном слое частицы.
Валов П.М., Лейман В.И. Размерные эффекты в энергии экситонов и фазовых переходах первого рода в нанокристаллах CuCl в стекле // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 2, Стр. 310

В короткопериодных сверхрешетках AlAs/GaAs при различных энергиях фотонов измерены зависимости фототока от внешнего электрического поля. В этих зависимостях наряду с оптическими резонансами, обусловленными межзонными переходами на уровни Ванье--Штарка, обнаружены транспортные резонансы, положения которых не зависит от энергии фотонов. Показано, что транспортные резонансы обусловлены туннелированием фотоэлектронов из контактной области p-GaAs на первый уровень в GaAs ямах, отстоящих от контактного слоя на 2--5 периодов сверхрешетки.
Альперович В.Л., Мошегов Н.Т., Терехов А.С., Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Торопов А.И., Ярошевич А.С. Резонансы фототока в короткопериодных сверхрешетках AlAs/GaAs в электрическом поле // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 1, Стр. 159

Исследованы спектры фотолюминесценции тонких пленок гидрогенизированного кремния со смешанным аморфно-нанокристаллическим фазовым составом. Обнаружено сильное влияние интерференции Фабри--Перо на форму спектров. Анализ спектров, выполненный с учетом интерференционных поправок, показывает, что в области 0.6--1.0 mum формируется только одна полоса излучения, обусловленная рекомбинацией носителей заряда на центрах одного и того же типа.
Голубев В.Г., Медведев А.В., Певцов А.Б., Селькин А.В., Феоктистов Н.А. Фотолюминесценция тонких пленок аморфно-нанокристаллического кремния // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 1, Стр. 153

Методами оптической ориентации и оптического выстраивания дипольных моментов исследованы экситонные состояния в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlGaAs. Изучено влияние магнитного поля в геометриях Фарадея и Фойгта на степень линейной и циркулярной поляризации фотолюминесценции при резонансном и нерезонансном возбуждении. Определены константы электрон-дырочного обменного взаимодействия в экситоне.
Кочерешко В.П., Ивченко Е.Л., Яковлев Д.Р., Лаваллар Ф. Резонансная оптическая ориентация и выстраивание экситонов в сверхрешетках // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 12, Стр. 2229