Предложен новый метод расчета спектра колебаний наночастиц. Метод основан на последовательном молекулярно-динамическом моделировании колебаний центра масс и отдельных атомов и последующем Фурье-анализе полученных временных рядов. На конкретном примере показано, что в зависимости от размеров нанокристаллита расчетный спектр собственных колебаний может состоять из одной или нескольких доминирующих гармоник. Показано соответствие этого метода модели открытого резонатора и расчетам продольных собственных колебаний стержня по теории упругости.
Покропивный А.В., Покропивный В.В., Красников Ю.Г. Компьютерный метод расчета спектра колебаний наночастиц // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 11, Стр. 2062

В рамках метода полуэмпирического атом-атомного потенциала для системы лантан--углерод исследована относительная устойчивость кристаллических фаз с содержанием металла до 33.3 at.%. Показано, что стабильность этих фаз зависит от стехиометрии, структуры решетки и степени ее упорядочения, а также от размера кристалла. Среди объемных фаз наибольшей стабильностью обладает фаза со структурой карбида кальция. Далее следуют фазы со структурой графитида металла и флюорита. В нанометровых слоях, включающих 1--4 монослоя, энергии образования графитида и карбида лантана сближаются. Это облегчает фазовый переход карбида в графитид, особенно в том случае, когда пленки соединений лантана с углеродом формируются на поверхности монокристаллического графита.
Адамчук В.К., Вяткин А.Г., Добротворский А.М., Шикин А.М., Широков Д.В. Исследование относительной устойчивости твердых фаз в системе La--графит методом многоцентрового атом-атомного потенциала // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 10, Стр. 1879

Теоретически исследованы квантовые электронные состояния частицы, движение которой ограничено в одном направлении непроницаемой неровной стенкой. Показано, что как в случае периодической неровной поверхности, так и в случае шероховатой поверхности при определенных условиях возникают поверхностные состояния (обусловленные неровностями), волновые функции которых экспоненциально убывают с расстоянием при удалении от стенки.
Погребняк В.А., Яковенко В.М., Яковенко И.В Поверхностные электронные состояния на неровной границе раздела двух сред // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 10, Стр. 1875

Теоретически исследована локализация экситона на островках цилиндрической формы в структурах с квантовыми ямами. Показано, что, как правило, экситон на таких островках локализуется как целое. Выяснены области применимости адиабатического приближения при факторизации экситонной волновой функции. Проанализировано изменение характера локализации при увеличении высот барьеров квантовой ямы.
Голуб Л.Е. Локализация экситонов на островках в структурах с квантовыми ямами // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 10, Стр. 1871

Описаны оптические методы определения параметров полупроводниковых квантовых точек, синтезированных в стеклянной боросиликатной матрице. Проанализированы ограничения методов и величины погрешностей. Определены параметры нанокристаллов CdSxSe1-x в промышленных стеклах KC-10, OC-12, Coming 2-61 и других экспериментальных образцах.
Кулиш Н.Р., Кунец В.П., Лисица М.П. Определение параметров полупроводниковых квантовых точек в стеклянных матрицах из спектров поглощения, люминесценции и насыщения оптического поглощения // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 10, Стр. 1865

Приведены результаты электронно-микроскопического и рентгеноструктурного изучения наноструктурных пленок на основе борида титана, полученных магнетронным распылением при различных режимах. Состав и формулы синтезированных фаз оценивались с помощью Оже-анализа. Исследованы твердость, упругие и электрические свойства пленок. Обсуждается роль размерных эффектов и отклонения от стехиометрии (структурных вакансий).
Андриевский Р.А., Калинников Г.В., Кобелев Н.П., Сойфер Я.М., Штанский Д.В. Структура и физико-механические свойства наноструктурных боридонитридных пленок // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 10, Стр. 1859

Исследована термоэдс alpha в электронных системах с квазидвумерным энергетическим спектром в приближении тензора времени релаксации. Вычислены продольная и поперечная компоненты термоэдс при рассеянии носителей тока на фононах различного типа. Показано, что анизотропия термоэдс в таких системах существенна. Рассмотрена зависимость alpha от соотношения между энергией Ферми varepsilonF и полушириной одномерной зоны проводимости varepsilon0. При рассеянии на акустических и неполярных оптических фононах происходит изменение знака термоэдс: alpha становится положительной при varepsilonF
Аскеров Б.М., Гулиев Б.И., Фигарова С.Р., Гадирова И.Р. Термоэдс в квазидвумерных системах при рассеянии носителей тока на фононах // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 10, Стр. 1857

Проведены сравнительные исследования адсорбционных систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110). Методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии исследованы работа выхода и электронная структура в энергетической области вблизи уровня Ферми в зависимости от степени субмонослойного цезиевого покрытия. Обнаружено значительное увеличение насыщающего цезиевого покрытия на поверхности O/W(110). В электронном спектре системы Cs/O/W(110) обнаружена новая индуцированная адсорбцией поверхностная зона с энергией связи ~0.7 eV. При покрытиях около монослоя наблюдалась металлизация адсорбированного слоя. Показано, что электронная структура систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110) аналогична при малых покрытиях. Различие в процессах адсорбции для этих двух систем проявляется при покрытиях, близких к монослою, что объясняется возникновением новых центров взаимодействия адатомов Cs на поверхности W(110) в присутствии кислорода.
Андронов А.Н., Бенеманская Г.В., Дайнека Д.В., Франк-Каменецкая Г.Э. Электронная структура и адсорбционные свойства системы Cs/O/W(110) // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1683

В рамках релаксационной модели изучено влияние отталкивания электронных оболочек, моделируемое введением начальной скорости десорбируемой частицы, на энергетическое распределение ионов, десорбированных под влиянием электронных переходов. Рассмотрена роль процессов ренейтрализации.
Давыдов С.Ю. О влиянии короткодействующего отталкивания электронных оболочек на энергетический спектр ионов, десорбированных под влиянием электронных переходов: релаксационная модель // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1679

Методами электронной Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов и контактной разности потенциалов исследованы электронные свойства и механизмы формирования тонкопленочных структур Yb--Si(111), создаваемых путем напыления атомов Yb на поверхность Si(111)7x7 при комнатной температуре. Изучено также влияние прогрева до 800 K на свойства этих структур. Показано, что формирование границы раздела происходит по механизму Странского--Крастанова. Установлено, что прогрев системы Yb--Si(111) приводит к очень большому (до 1 eV) увеличению работы выхода при всех концентрациях атомов Yb на поверхности кремния. На адсорбционной стадии это увеличение обусловлено ростом 2D-доменов иттербия, сопровождающимся образованием поляризованных димеров из тех поверхностных атомов кремния, которые имеют ненасыщенные валентные связи. Диполи ориентированы таким образом, что общая энергия системы Yb--Si(111) при их образовании понижается, а работа выхода возрастает. На стадии силицидообразования увеличение работы выхода при прогреве обусловлено в конечном счете образованием на поверхности структуры Yb--Si(111) слоя атомов кремния.
Крачино Т.В., Кузьмин М.В., Логинов М.В., Митцев М.А. Термически активированные процессы перестройки в тонкопленочных структурах Yb--Si(111) // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1672