Исследованы спектры отражения в дальней инфракрасной области волновых чисел (10-700 cm-1) образцов пористого фосфида галлия. Кроме продольной и поперечной оптических фононных мод, соответствующих объемному материалу, обнаружены дополнительные колебательные моды. Их количество и спектральное положение удовлетворительно описываются в рамках модели дисперсионной диэлектрической среды в предположении, что пористый фосфид галлия состоит из кристаллитов, форма которых близка к цилиндрической. Сделан вывод, что подобные моды колебаний представляют собой ограниченные объемом квантовой нити оптические фононы. Получены оценки значений среднего диаметра нанокристаллитов, составляющих слой пористого GaP, по экспериментальным оптическим спектрам отражения. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-17104).
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1693

Рассмотрена модель диэлектрической функции приповерхностного слоя, возникающего в результате механической обработки поверхности кристалла, в области оптических колебаний решетки. Для учета влияния дислокаций предложен подход, основанный на непрерывном распределении дипольно-активных колебаний. Показано, что используемая модель позволяет удовлетворительно описать снижение отражательной способности SiC6H с полированной поверхностью в окрестности частоты поперечного оптического фонона.
Венгер Е.Ф., Гончаренко А.В., Завадский С.Н. Диэлектрический отклик кристалла с приповерхностным нарушенным слоем в области продольно-поперечного расщепления // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 6, Стр. 1135

Рассмотрена кинетка десорбции из адсорбированных слоев, образованных двумерными (2D) островками и 2D-газом одиночных атомов, для случая, когда на поверхность из газовой фазы поступает поток атомов адсорбата. Изучено влияние последнего на кинетику десорбции. Показано, что этим влиянием можно пренебречь в тех случаях, когда островки находятся в равновесии с окружающим их двумерным газом. Рассмотрены возможности определения энергии удаления атомов из двумерных островков в вакуум в тех случаях, когда нет равновесия в адсорбированных слоях. Сформулированы условия, при которых такое определение возможно, и выработаны соответствующие рекомендации, которые могут быть использованы при проведении экспериментальных исследований. Работа выполнена в рамках Государственной программы Минпромнауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.5.99).
Бондаренко В.Б., Кузьмин М.В., Митцев М.А. Кинетика десорбции из адсорбированных слоев, образованных двумерными островками и двумерным газом // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 6, Стр. 1129

Показано, что при импульсном световом облучении квантовой ямы, в которой имеется набор большого числа эквидистантных энергетических уровней электронных возбуждений, в проходящем, отраженном и поглощаемом потоках энергии возникают осцилляции несинусоидального характера. В случае длинных импульсов, продолжительность которых gamma-1l на порядок превосходит время h/Delta E, где Delta E --- расстояние между уровнями, амплитуда осцилляций мала. В случае коротких импульсов, для которых gamma-1l=<h/Delta E, амплитуда осцилляций сравнима с величинами потоков. В случае очень коротких импульсов gamma-1l<<h/Delta E должно наблюдаться затухающее эхо возбуждающего импульса, возникающее через промежутки времени, равные 2pih/Delta E. Рассмотрены случаи симметричного и асимметричного импульсов. Теория применима к узким квантовым ямам, помещенным в сильное магнитное поле, когда эквидистантные уровни соответствуют электронно-дырочным парам с различными квантовыми числами Ландау. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-16904) и Программы МНТК "Физика твердотельных наноструктур" (N 97-1099). С.Т.П. благодарит Университет Сакатекаса и Национальный совет по науке и технологии (CONACyT) Мексики за финансовую поддержку и гостеприимство. Д.А.К.-С. благодарит CONACyT (27736-E) за финансовую поддержку.
Ланг И.Г., Коровин Л.И., Контрерас-Солорио Д.А., Павлов С.Т. Отражение и поглощение света квантовой ямой в сильном магнитном поле при импульсном облучении // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 6, Стр. 1117

Тонкие слои InN выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии на (0001) подложках сапфира. Методами двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии изучалось влияние тонкого (15 nm) InN --- буфера и его температурных обработок на структурное качество выращиваемых слоев. Найдено, что предварительный высокотемпературный (900oC) отжиг буфера приводит к резкому улучшению качества выращиваемых на нем слоев. При удалении от интерфейса (~ 1 mum) снижаается плотность как вертикальных винтовых (до 1.9· 108 cm-2), так и вертикальных краевых (до 1.3· 1011 cm-2) дислокаций. Работа проводились при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17103, 98-02-18309 и 00-02-16760).
Ратников В.В., Мамутин В.В., Векшин В.А., Иванов С.В. Рентгендифрактометрическое изучение влияния буфера на микроструктуру молекулярно-пучковой эпитаксии InN-слоев разной толщины // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 5, Стр. 913

Исследовано влияние флуктуаций числа Ферми-частиц на зарядовое состояние мелкодисперсных металлических гранул в диэлектрической матрице. Предполагается, что система гранул не образует туннельную среду и обмен заряда между металлическими элементами композита происходит за счет надбарьерного теплового переброса электронов. Из результатов расчета большой статистической суммы системы следует, что средний заряд i-й гранулы связан нелинейным соотношением с потенциалами Vi проводников. Работа поддержана Министерством образования и науки Украины (проект 2М/71-2000), а также Королевской академией наук Швеции.
Медведев Ю.В., Гришин А.М. Зарядовое состояние проводящих мелкодисперсных cистем в диэлектрической матрице // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 5, Стр. 900

Методом малоуглового рентгеновского рассеяния исследовалась структура композитных пленок Cu : SiO2, полученных с использованием технологии одновременного магнетронного напыления. Экспериментальные спектры анализируются на основе прямого численного моделирования рассеяния на полидисперсной системе сферических частиц с высокой объемной концентрацией. В предположении "log-нормального" распределения частиц по размерам получено хорошее совпадение расчетных спектров рассеяния с экспериментальными и определены параметры этого распределения. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 98-02-18210) и программой "Физика твердотельных наноструктур" МН РФ (гранты N  97-2014 и 97-1035).
Рожанский И.В., Закгейм Д.А., Василевская Т.Н., Гуревич С.А. Анализ структуры композитных металл-диэлектрических материалов методом малоуглового рентгеновского рассеяния // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 5, Стр. 892

A new treatment of the problem of a two-dimensional Wannier--Mott exciton in a uniform electric fielfd, based on the parabolic coordinates, is presented. The quasi-stationary Hamiltonian is regularized, and the efficient numerical methods are applied. The dependence of the exciton binding energy on the electric field is computed. The results are very close to those obtained by the perturbation theory calculations.
Pokutnyi S.I., Tyc M.H., Salejda W., Misiewicz J. Two-dimensional Wannier--Mott exciton in a uniform electric field // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 5, Стр. 888

Приведены результаты исследований процессов формирования пленок теллурида кадмия при конденсации из паровой фазы на подложку, вдоль которой приложено тепловое поле градиента температуры. Представлены результаты технологических, геометрических, электронографических и электронно-микроскопических исследований. Установлено, что тепловое поле градиента температуры изменяет продолжительность стадии оствальдовского созревания (ОС) и при определенных условиях способствует повышению совершенства формирующейся структуры. Выявлен механизм действия теплового поля на ОС. Продемонстрировано согласие с современной теорией формирования пленок. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-03-32676).
Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Механизмы гетероэпитаксиального роста тонких пленок теллурида кадмия в тепловом поле градиента температуры // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 4, Стр. 745

Методами термодесорбционной спектрометрии и Оже-электронной спектроскопии исследована кинетика адсорбции европия на грани W(100) с различной степенью окисления. Термодесорбционный спектр атомов Eu с грани W(100) состоит из трех последовательно заполняющихся фаз десорбции, энергия активации десорбции в которых уменьшается от 3 до 2.1 eV с ростом степени покрытия. Термодесорбционный спектр атомов Eu с грани W(100), покрытой моноатомной пленкой кислорода, содержит пять последовательно образующихся фаз десорбции, причем энергия активации десорбции в высокотемпературной фазе увеличивается до 4 eV. Окисленный W восстанавливается европием, и десорбция окислов W заменяется десорбцией окисла EuO. Адсорбированная пленка Eu на вольфраме после заполнения монослоя растет в виде трехмерных кристаллитов. С увеличением степени окисления W уменьшается неоднородность роста пленки Eu, и на объемных окислах W растет сплошная пленка Eu, полностью экранирующая Оже-сигнал вольфрама. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17972) и в рамках Российской государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (проект N 4.5.99).
Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю. Адсорбция европия на поверхности вольфрама с различной степенью окисления // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 4, Стр. 739