В рамках релаксационной модели исследована зависимость выхода ЭСД ионов от их массы. Обсуждается влияние короткодействующего отталкивания электронных оболочек на изотопический эффект. Показано, что с ростом некулоновской начальной скорости изотопический эффект подавляется.
Давыдов С.Ю. Об изотопическом эффекте в релаксационной модели электронно-стимулированной десорбции // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 4, Стр. 764

Перераспределение электронов на 1D-решетке, возникающее из-за хаббардовского отталкивания, приводит к возникновению эффективного двухчастичного взаимодействия с линейным по разности координат потенциалом. Найдена двухчастичные волновые функции и спектр электронов в узкой зоне.
Кочарян А.Н., Саакян А.С. Конфайнмент электронных состояний на хаббардовской цепочке // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 4, Стр. 761

С помощью методов Оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и дифракции медленных электронов были исследованы процессы формирования системы Eu/Si (111) при постепенном увеличении толщины слоя металла от 0.5 до 60 монослоев, напыленного на поверхность кремния при комнатной температуре, и после прогрева при температурах вплоть до 900oC. Показано, что при комнатной температуре рост пленки проходит через три стадии в зависимости от толщины слоя Eu: хемосорбция металла, взаимная диффузия атомов металла и подложки и аккумуляция металла на поверхности системы. После прогрева сверхтонких пленок Eu (около 1 монослоя), напыленных при комнатной температуре, атомы металла упорядоченно располагаются на поверхности кремния, слабо взаимодействуя при этом между собой. После прогрева слоев Eu значительной толщины (свыше 15 монослоев) на поверхности кремния, формируются силициды, структура которых зависит от температуры прогрева системы.
Григорьев А.Ю., Шикин А.М., Прудникова Г.В., Горовиков С.А., Адамчук В.К. Особенности взаимодействия европия с поверхностью Si (111) // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 3, Стр. 562

Изучена квантовая сверхрешетка аксиальной симметрии --- гетероструктура, в которой два контактирующих полупроводниковых материала в виде коаксиальных проволок наноразмерного сечения образуют периодическую структуру в радиальном направлении. Показано, что энергетический спектр электрона представляет собой чередование разрешенных и запрещенных зон. Исследован закон дисперсии электрона для разных значений периода потенциала, толщин полупроводниковых слоев и радиуса внутреннего кристалла системы. Показано, что когерентная эффективная масса электрона квантовой сверхрешетки оказывается тензором: продольная составляющая близка по значению к эффективной массе электрона пролупроводникового материала, характеризующего квантовую яму сверхрешетки, а радиальная составляющая существенно зависит от периода потенциала, толщин коаксиальных полупроводниковых слоев и радиуса ядра гетеросистемы, причем в разных разрешенных зонах она положительная или отрицательная.
Ткач Н.В., Пронишин И.В., Маханец А.М. Спектр электрона в квантовой сверхрешетке цилиндрической симметрии // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 3, Стр. 557

Теоретически изучено температурное поведение продольного коэффициента Нернста--Эттинсгаузена в двумерных системах при учете эффекта фононного увлечения и кулоновских корреляций в системе примесей со смешанной валентностью в области низких температур. Показано, что при переходе от эффектов увлечения к рассеянию на коррелированной системе примесных центров происходит смена знака эффекта. При рассеянии на хаотически расположенных примесных центрах смены знака не происходит. Такое температурное поведение коэффициента Нернста--Эттинсгаузена обусловлено радикальной перестройкой примесной системы вследствие сильных кулоновских корреляций, которые имеют место в системе примесей со смешанной валентностью. В результате характер рассеяния носителей заряда на коррелированной системе заряженных центров существенно меняется.
Ляпилин И.И. Влияние кулоновских корреляций в системе примесей с переменной валентностью и фононного увлечения на термоэлектрические коэффициенты в двумерных системах // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 3, Стр. 553

Получен эффективный гамильтониан дырок в двумерном канале при одноосной деформации вдоль слоя. Рассмотрены двумерные каналы на поверхности Si в приближении сферически-симметричной валентной зоны и на поверхностях (100) и (110) при учете кубической симметрии. Показано, что линейный по деформации сдвиг положения биения осцилляций Шубникова--де Гааза обусловлен неэквивалентностью оси сжатия--растяжения и перпендикулярного ей направления в плоскости на поверхности (110).
Бисти В.Е. Влияние деформации на спиновое расщепление в квазидвумерных дырочных системах // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 3, Стр. 546

Рассматриваются плазмонный спектр и поглощение электромагнитной волны в электронной двумерной плазме с сильно модулированной плотностью. В рамках модели электронной системы, покрытой металлическими затворами, описывается возникновение дополнительных плазмонных мод в системе электронных проволок и островков со слабой токовой связью. Такие плазмонные моды проявляются в низкочастотной области спектра по сравнению с обычными плазменными колебаниями и наблюдались недавно экспериментально на спаренных проволоках.
Говоров А.О., Frank W.R., Студеникин С.А. Низкочастотные плазмоны в связанных электронных микроструктурах // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 3, Стр. 542

Методами термодесорбционной спектроскопии, модуляции атомного пучка и дифракции медленных электронов изучены начальные стадии формирования границы раздела Sm--Si(111). В широком интервале покрытий и температур исследована структура адсорбированных пленок и пленок силицида самария, а также кинетика десорбции атомов Sm. Измерена энергия активации десорбции из термически наиболее "устойчивой" субмонослойной структуры 3x2, а также энергия связи с подложкой изолированного атома самария. Для силицида определены температуры начала его разложения и энергия активации этого процесса. Показано, что формирование интерфейса Sm--Si(111) происходит по механизму, близкому к механизму Странского--Крастанова.
Крачино Т.В., Кузьмин М.В., Логинов М.В., Митцев М.А. Начальные стадии формирования границы раздела Sm--Si(111) // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 2, Стр. 371

Теоретически изучено распространение экситонных поляритонов в оптическом волноводе с квантовой ямой. Показано, что из-за наличия пространственной дисперсии экситонов волновой вектор экситонных поляритонов расщепляется при резонансе между волноводной и экситонной модами. Величина этого расщепления определяется параметром радиационного распада экситонов соответствующей поляризации в квантовой яме. Найдено, что групповая скорость волноводных экситонных поляритонов в области резонанса может уменьшиться на три-четыре порядка величины по сравнению со скоростью света в вакууме.
Кособукин В.А. Распространение квазидвумерных экситонных поляритонов в волноводе с квантовой ямой // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 2, Стр. 362

В приближении широкой, но конечной зоны рассмотрены процессы электронного обмена между десорбируемой частицей и металлической поверхностью (перезарядка). Исследовано влияние изменения ширины поверхностной зоны, сформированной адсорбированными атомами, на вероятность выхода нейтралей и ионов.
Давыдов С.Ю. Приближение широкой зоны в задаче о перезарядке десорбируемой частицы на металлической поверхности // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 1, Стр. 161