Анализируются два подхода к расчету собственно рентгеновской фотоэмиссии для эффективных фотокатодов в области энергий квантов 1--10 keV. Выводятся аналитические выражения для квантового выхода собственно рентгеновских электронов. Рассчитанные значения квантовых выходов сравниваются с экспериментально измеренными значениями.
Щемелев В.Н., Савинов Е.П., Щемелев В.В. Внешний фотоэффект эффективных фотокатодов в мягкой рентгеновской области спектра // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1665

Исследована структура низкотемпературных спектров экситонной люминесценции нанокристаллов CuBr гексагональной модификации. Показано, что наблюдаемая спектральная структура может быть объяснена в рамках гипотезы об образовании экситон-фононных комплексов с их последующей анннигиляцией и излучательный рекомбинацией экситона.
Екимов А.И., Кудрявцев И.А., Люблинская О.Г. Спектры экситонной люминесценции гексагональных нанокристаллов CuBr // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1657

Исследован квантовый переход металл--диэлектрик в анизотропной двухквантово-ямной электронно-дырочной системе. Обсуждается зависимость от расстояния между ямами D критической концентрации nc системы, выше которой экситонная (диэлектрическая) фаза переходит в электронно-дырочную (металлическую).
Лозовик Ю.Е., Берман О.Л. Переход металл--диэлектрик в двухслойной электронно-дырочной системе // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1654

Анализируются полученные ранее результаты измерения сечений электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) атомов Li, Na, K, Cs из их адслоев на поверхности окисленного вольфрама в зависимости от степени окисления и температуры подложки. Сделано предположение, что сечения ЭСД определяются отношением скоростей реионизации нейтрали щелочного металла (ЩМ) на поверхности и релаксации заряда O+ подложки. Из сравнения с опытом найдены зависимость скорости реионизации адатома ЩМ от его размера и массы, а также зависимость скорости релаксации заряда O+ от температуры и степени окисления подложки. Обсуждается связь времени релаксации заряда с зонной структурой подложки.
Агеев В.Н., Кузнецов Ю.А., Потехина Н.Д. Поперечные сечения электронно-стимулированной десорбции атомов щелочных металлов из адсорбированных слоев на поверхности окисленного вольфрама // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 8, Стр. 1491

С помощью Оже-электронной спектроскопии изучена кинетика взаимодействия кремния с текстурированными танталовыми лентами с преимущественным выходом на поверхность грани (100). При температурах T
Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю. Кинетика взаимодействия кремния с текстурированными танталовыми лентами // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 8, Стр. 1484

Две фракции гранулированного материала перемешиваются в цилиндре, медленно вращающемся вокруг своей продольной оси, расположенной горизонтально. Цилиндр заполнен не полностью, и в каждый момент времени перемешивание происходит лишь на свободной поверхности материала. Показано, что при половинном заполнении цилиндра перемешивания до однородного состояния не произойдет. Вблизи этой критической точки обратное характерное время перемешивания пропорционально delta2ln (|delta|-1), где delta --- отклонение заполнения от половинного.
Дороговцев С.Н. Аномалия лавинного перемешивания гранулированных материалов при половинном заполнении // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 8, Стр. 1479

В процессе увеличения количества окиси бария на поверхности анализировались автоэмиссионные изображения, вольт-амперные характеристики (ВАХ) и электронные спектры. Обнаружено изменение эмиссионной способности системы в течение всего времени адсорбции, а также появление нелинейных ВАХ и смещение положения спектров относительно уровня Ферми вольфрама-подложки после адсорбции на поверхности окиси бария в количестве, зависящем от грани подложки. Совокупность экспериментальных данных позволяет предположить модель формирования многослойной пленки BaO на W.
Тумарева Т.А., Крупина И.Г. Исследование закономерностей формирования пленок окиси бария на вольфрамовом острие полевыми методами // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 8, Стр. 1476

Рассматривается двумерная электронная структура в системе с периодическим потенциалом --- двумерная сверхрешетка (ДСР). Получено уравнение, описывающее распространение электромагнитной (ЭМ) волны в ДСР. Показано, что в ДСР возможно распространение ЭМ-солитона, который может обнаружить себя в эксперименте, индуцируя импульсный ток увлечения. Рассмотрено также влияние эллиптически поляризованной (заданной) ЭМ-волны на форму солитона. Показано, что при определенных условиях возможно усиление уединенной волны.
Крючков С.В., Шаповалов А.И. О возможности распространения электромагнитного солитона в двумерной сверхрешетке // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 8, Стр. 1470

Проведены экспериментальные исследования тепловых свойств тонких пленок SrTiO3 с помощью регистрации амплитуды и фазы колебаний температуры плоского зонда при тепловом потоке, перпендикулярном плоскости пленки. Представлены результаты измерений теплоемкости и теплопроводности подложки из лейкосапфира и теплопроводности пленки SrTiO3 толщиной 2 mum.
Давитадзе С.Т., Кравчун С.Н., Струков Б.А., Гольцман Б.М., Леманов В.В., Шульман С.Г. Экспериментальные исследования тепловых свойств тонких пленок зондовым методом периодического нагрева // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 7, Стр. 1299

Рассматриваются напряженные гетероконтакты с антиферромагнитным упорядочением, в которых исходные полупроводники имеют инверсный по отношению друг к другу зонный спектр. Показано, что появляющиеся в этих гетероконтактах интерфейсные состояния расщеплены по спину. В результате, если уровень Ферми попадает в одну из зон интерфейсных состояний, это приводит к магнитному упорядочению в плоскости интерфейса, т. е. может наблюдаться эффект интерфейсного магнетизма.
Канцер В.Г., Малкова Н.М. Интерфейсный магнетизм в напряженных полупроводниковых гетероконтактах с антиферромагнитным упорядочением // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 7, Стр. 1295