Эпитаксиальные пленки ZnSe на GaAs (100) были выращены методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии с использованием источника УРС-55а (излучение CuKalpha; lambda=1.542 Angstrem; P~1-3 мВт/см2) из порошкового сырья в токе очищенного водорода. Исследованы различия в спектрах фотолюминесценции и экситонного отражения монокристаллических пленок ZnSe на GaAs (100) при T=4.5 K, испытывающих деформацию сжатия и выращенных методами рентгеностимулированной газофазной эпитаксии и обычной газофазной эпитаксии. Полученные результаты указывают на улучшение кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полученного методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии. Это подтверждается и данными ретгенодифракционного анализа. Обнаруженные эффекты объясняются рентгеноактивационными процессами адсорбции и десорбции, изменением проверхностной подвижности адсорбированных атомов.
Коваленко А.В. Выращивание пленок ZnSe на GaAs (100) методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 31

Теоретически исследовано влияние туннельной прозрачности диэлектрического слоя Tn,p на распределение электрического поля и зависимость ток-интенсивность j-Ii в чистой высокоомной сильно смещенной структуре металл--диэлектрик--полупроводник--диэлектрик металл (МДПДМ). Показано, что с уменьшением Tn,p носители аккумулируются вблизи электродов противоположной полярности, и их плотность резко возрастает в слоях толщиной порядка lk=kT/eEe (Ee=V/d). Определена область параметров, в которой эффекты аккумуляции столь велики, что поле вблизи электродов заметно растет, и его значения существенно превышают среднее поле. Зависимость тока от прозрачности определяется барьером Шоттки. При умеренных полях, если фототок много больше темнового, плотность тока с уменьшением Tn,p слабо растет, стремясь к максимальному значению eIi. При сильных полях ток резко растет из-за инжекции носителей через пониженный потенциальный барьер.
Резников Б.И., Царенков Г.В. Аккумуляция носителей и сильные приэлектродные поля в освещаемых высокоомных МДПДМ структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 23

Исследовано влияние напряжения рассогласования на структурные, транспортные и оптические свойства толстых слоев InGaAs, выращенных на подложках InP (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что слои с напряжением растяжения могут быть выращены с большим рассогласованием до начала пластической релаксации напряжения по сравнению со слоями с напряжением сжатия. Критическое рассогласование для толстых слоев InGaAs не описывается с достаточной точностью ни моделью механического равновесия, ни моделью баланса энергии. Диапазон рассогласования, необходимый для получения высоких значений подвижности носителей и эффективности излучательной рекомбинации в слоях InGaAs, выращенных на подложках InP, существенно уже диапазона псевдоморфного роста. Наибольшие подвижности и наименьшие ширины пика фотолюминесценции достигаются в слоях, согласованных по параметру решетки с подложкой, а также в слоях, слабо обогащенных галлием. Исследована зависимость ширины запрещенной зоны от состава с учетом влияния напряжения.
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Максимов М.В., Фалеев Н.Н., Копьев П.С. Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 19

Проведены измерения электрических характеристик и фотоэдс на диодных структурах Pd--p0-Si--p-Si с разупорядоченным (пористым) p0-слоем Si. Предполагаемый механизм токопереноса--- двойная инжекция электронов и дырок в p0-слой. В атмосфере водорода фотоэдс возрастает в 20 раз; обратный ток падает в 3--4раза. Рост фотоэдс связан с ростом барьера Шоттки Pd--p0-Si, а падение темнового тока--- с изменением коэффициента инжекции электронов. Релаксация фотоэдс после выключения потока H2 имеет два временных интервала длительностью порядка 130 и 420 с. Показано, что эти особенности релаксации связаны с гетерогенностью структуры p0-слоя, включающего в себя как неанодизированные участки, так и пористые. Эти области структуры содержат свой набор глубоких центров захвата и рекомбинации, и этот набор может изменяться под действием водорода, создающего индуцированные "временные" глубокие уровни.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Мередов М.М., Язлыева А.И. Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd-- p0-Si--p-Si с разупорядоченным промежуточным p0-слоем // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 15

Эпитаксиальные слои ZnSe на GaAs (100) были выращены методом фотостимулированной газофазной эпитаксии с использованием He--Cd-лазера (мощность P~= 1 мВт/см2, hnu=2.807 эВ) при температуре подложки T=(175-300)oC. Исследованы температурные зависимости подвижности основных носителей заряда в слоях, легированных в процессе роста с применением таких источников, как AlCl3, Zn, Al, Ga. На основании анализа кривых термостимулированного тока и термостимулированной деполяризации установлены параметры 7глубоких локальных уровней, оказывающих существенное влияние на электрические характеристики гетероструктур.
Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs (100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 11

Исследованы особенности время-разрешенных спектров фотолюминесценции пористого кремния, сформированного химическим травлением монокристаллического кремния, подвергнутого модификации лазерным излучением. На амплитудных спектрах кроме полосы с максимумом на длине волны lambdamax~=530 нм обнаружена полоса с lambdamax~=420 нм вдвое большей интенсивности. Кривые релаксации характеризуются двумя группами времен: tau1
Федоренко Л.Л., Сардарлы А.Д., Каганович Э.Б., Свечников С.В., Дикий С.П., Баранец С.В. Релаксационные спектры фотолюминесценции пористого кремния, полученного химическим травлением лазерно-модифицированного кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 6

Теоретически рассмотрены особенности фотоэлектрического усиления варизонных фоторезисторов с линейно увеличивающейся к контактам шириной запрещенной зоны. Показано, что в таких фоторезисторах реализуется немонотонная полевая зависимость коэффициента фотоэлектрического усиления, максимальное значение которого увеличивается с ростом градиента ширины запрещенной зоны и может существенно превышать соответствующее значение для однородных образцов.
Савицкий В.Г., Соколовский Б.С. О фотоэлектрическом усилении варизонными фоторезисторами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 3