Представлены результаты измерений фоточувствительности структур (p+-p-)-InP/n+-CdS, полученных выращиванием слоев фосфида индия и сульфида кадмия на подложках p+-InP с ориентацией (100). Токовая фоточувствительность структур составляет Si~= 0.13А/Вт при T=300K в спектральном диапазоне 1.3/2.4эВ. Обнаружена поляризационная фоточувствительность при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность CdS. Величина наведенного фотоплеохроизма контролируется углом падения (theta) как ~theta2 и достигает максимальной величины ~ 50% при theta~= 75/80o. Максимальная азимутальная фоточувствительность достигает ~ 0.13А/Вт·град. Гетероструктуры InP/CdS могут найти применение в качестве поляриметрических фотодетекторов.
Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Плешка В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 241

Исследовалась перестройка радиационных дефектов в p+-n-n+-структурах на основе высокоомного n-Si при циклическом облучении и отжиге. Проанализирована кинетика роста концентрации дефектов Ci- Oi в зависимости от технологии изготовления структур. При повторном облучении обнаружена перестройка при комнатной температуре дефектов, образовавшихся в результате отжига первичных радиационных дефектов. Выявлено возникновение "скрытых" источников формирования глубоких центров. Установлено, что наличие более высокой концентрации кислорода, возникшей в образцах в результате длительного процесса оксиления кремния, вызывает более активное комплексообразование углеродсодержащих дефектов по сравнению с образцами с пониженным содержанием кислорода.
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Ли З., Шмидт Б. Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии } прициклическом облучении и отжиге // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 235

Исследуются термическая стабильность и люминесцентные свойства ZnCdSe/ZnSe квантово-размерных структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Проводится сравнительный анализ спектров фотолюминесценции структур до и после отжига. В спектрах образцов после отжига (при 500o C) наблюдается падение интенсивности линии экситонной люминесценции более чем на 2 порядка и увеличение интенсивности глубоких уровней. В результате отжига при более низкой температуре (около 400o C) было обнаружено сужение линии экситонной люминесценции и смещение максимума в длинноволновую область.
Дианов Е.М., Трубенко П.А., Филимонов Е.Э., Щербаков Е.А. Влияние термического отжига на люминесцентные свойства квантово-размерных структур на основе соединений ZnCdSe/ZnSe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 232

Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn показано, что изовалентная примесь олова в твердых растворах PbS1-zSez является двухэлектронным донором с отрицательной корреляционной энергией. Энергетические уровни, связанные с оловом, находятся в нижней половине запрещенной зоны для z0.7. Продемонстрирован процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами олова. Энергия активации Eo этого процесса монотонно уменьшается с ростом z, что отражает факт приближения энергетических уровней олова к вершине валентной зоны, и при z>0.7 величина Eo=U/2 (U--- энергия Хаббарда).
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П. Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. Определение энергии Хаббарда // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 227

Изучены релаксационные процессы в слоях твердых растворов CdTexS1-x (x
Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Формирование порядка в системе локализованных зарядов неупорядоченных слоев твердых растворов теллурида } и сульфида кадмия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 222

Критически проанализировано современное состояние вопроса о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца. Показано, что в большинстве известных на данное время работ роль кулоновского потенциала вакансий и деформационного потенциала акустических фононов в процессах рассеяния носителей в PbTe сильно завышалась. Кроме того, роль оптических колебаний решетки при высоких температурах неоправданно сводилась только к полярной составляющей. Показано, что наряду с этим механизмом существенную роль в процессах рассеяния носителей при температурах порядка комантной, играет деформационный потенциал оптических фононов, роль которого при высоких концентрациях носителей оказывается наиболее существенной.
Заячук Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда втеллуриде свинца // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 217

Исследованы спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов с однородным и микроплазменным пробоем, изготовленных на кристаллах карбида кремния кубической модификации SiC--3C. В спектрах излучения отдельных микроплазм обнаружена при комнатной температуре явно выраженная периодическая структура, имеющая характер осцилляций с периодом 0.1--0.5эВ. Амплитуда полос возрастает с ростом периода и при максимальной его величине превышает амплитуду фонового излучения. Аналогичная структура обнаружена также в спектрах отдельных микроплазм на SiC--6H. Предполагается, что структура обусловлена действием сильного электрического поля в области формирования излучения.
Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К., Гусева О.А. Спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов накарбиде кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 213

Исследована фоточувствительность диода Шоттки Al--SiC в области энергии фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, а также меньше высоты потенциального барьера на контакте с металлом. Обнаруженные особенности зависимостей фототока от энергии фотонов и от приложенного напряжения трактуются в рамках модели, учитывающей фотовозбуждение электронов в металле и их последующее прохождение в полупроводник как над барьером, так и посредством туннелирования сквозь него.
Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф. Особенности фотоэмиссии электронов из металла в диодах Шоттки наоснове SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 207

Вычислен коэффициент захвата горячих электронов на отталкивающие центры в условиях поперечного убегания. Учитывается зависимость вероятности захвата как от зоммерфельдовского множителя, так и ее экспоненциальная зависимость от энергии протуннелировавшего электрона. Показано, что последняя зависимость играет важную роль вблизи порога поперечного убегания горячих электронов, тогда как далеко от порога вероятность захвата по модели Бонч-Бруевича можно считать хорошей аппроксимацией.
Качлишвили З.С., Качлишвили Х.З., Чумбуридзе Ф.Г. Коэффициент захвата горячих электронов на отталкивающие центры вусловиях поперечного убегания // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 204

Теоретически рассмотрены колебания баллистического тока дырок через тонкую базу p+pp+-диода, одноосно-сжатую в направлении тока. Вследствие сжатия закон дисперсии дырок содержит участок с отрицательной эффективной массой вдоль указанного направления. Причиной токовых колебаний является неустойчивость стационарного распределения баллистических носителей тока, содержащего обширную квазинейтральную плазменную область, в которой подвижная компонента зарядов как раз и представлена дрейфующими носителями с отрицательной эффективной массой. Во многих случаях токовые колебания имеют гармоничный характер, причем их частота определяется длиной базы и напряжением, составляя сотни ГГц для длинных (~ 1мкм) слабо легированных баз и несколько ТГц для коротких (
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Коршак А.Н. Осцилляции баллистического тока дырок через одноосно-сжатые полупроводниковые слои // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 191