Исследована фотолюминесценция пористого кремния в интервале температур от 300 до400 K. Обнаружено, что экспериментальные результаты хорошо объясняются в рамках модели излучательной рекомбинации экситонов в кремниевых наноструктурах. Энергии связи экситонов по численным оценкам, полученным из сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей, составили~ 0.2 эВ.
Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Петрова С.А., Тимошенко В.Ю., Юнович А.Э. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 745

Приведены результаты экспериментального исследования фотопроводимости n- и p-CdxHg1-xTe (x=0.2/0.3) при нанесении на поверхность тонких пленок алюминия. Анализ полученных результатов проведен с учетом влияния приповерхностной области пространственного заряда и рекомбинации в ней. Из измерений фотопроводимости и барьерного фототока определены значения скорости поверхностной рекомбинации и поверхностной подвижности носителей заряда.
Салаев Э.Ю., Гусейнов Э.К., Тезер Атеш, Исмайлов Н.Д. Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x=0.2/ 0.3) стонкопленочным алюминиевым покрытием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 740

Исследована спектральная зависимость фотоэмиссии горячих электронов через барьер Шоттки силицид металла--креминй при энергиях фотонов, сравнимых с высотой барьера. В диффузионном приближении с использованием метода функций Грина получено выражение для спектральной зависимости квантовой эффективности фотоэмиссии при различных соотношениях толщины слоя(d) и длин свободного пробега горячих электронов для упругих (Lp) и неупругих (Le) столкновений. Обнаружено сильное влияние отношения Le/d на рост величины и форму спектральной зависимости квантовой эффективности, существенно отклоняющуюся от фаулеровской при возрастании квантовой эффективности. Для силицидовPt, Co иGe показано удовлетворительное согласие теоретической и экспериментальных спектральных зависимостей квантовой эффективности, позволяющее в ряде случаев оценивать величину Le в эксперименте и оптимизировать технологию получения барьера Шоттки для инфракрасных приемников. Обсуждаются причины аномально резкого увеличения фотоэмиссии горячих электронов с ростом энергии возбуждающего кванта при энергиях, близких к потенциальной энергии барьера Шоттки.
Иванов В.Г., Панасенков В.И., Иванов Г.В. Квантовая эффективность фотодиодов сбарьером Шоттки вблизи длинноволновой границы // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 735

В термически выращенные на Si слои SiO2 имплантированы ионы Si+ дозой~ 1017 см-2 с энергиями 100 и 200 кэВ. Использовались два вида импульсных отжигов: при 900/ 1200oC в течение 1 с и при 1050/ 1350oC в течение 20 мс. После имплантации наблюдалась фотолюминесценция в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. На начальных этапах отжига интенсивность фотолюминесценции падала, однако после отжига при 1200oC, 1 c или при 1350oC, 20 мс она резко возрастала в десятки раз. Согласно данным комбинационного рассеяния и высокоразрешающей электронной микроскопии, этому соответствовало формирование в SiO2 нанокристаллов Si. Используемые длительности отжигов исключали диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Si, но их формирование могло происходить за счет твердофазной кристаллизации аморфных включений. Корреляция между резким усилением люминесценции и формированием нанокристаллов Si свидетельствует в пользу квантово-размерного механизма ее возникновения.
Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Скорупа В., Янков Р.А., Журавлев К.С., Паздников Н.А., Володин В.А., Гутаковский А.К., Лейер А.Ф. Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ иотожженных в импульсном режиме // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 730

Представлены результаты исследования влияния gamma-облучения наа дефектообразование в кремнии, диффузионно легированном иттербием. Показано, что скорости удаления носителей заряда и константы деградации времени жизни носителей заряда в таких образцах меньше, чем в нелегированных данной примесью образцах. Полученные результаты объясняются образованием эффективных стоков для радиационных дефектов.
Талипов Ф.М. Влияние иттербия на радиационное дефектообразование в кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 728

Приводятся результаты экспериментального обнаружения и исследования механизма стимулирования пробоя барьера Шоттки на кремнии, фотовозбужденного в сильных электрических полях при T=4.2K. Исследовано влияние интенсивности фотовозбуждения, величины электрического поля, а также влияние времени их взаимной задержки на механизм пробоя барьера. На основе анализа результатов показано, что пробой барьера Шоттки связан с сужением ширины области пространственного заряда вследствие дрейфа экситонов в неоднородном электрическом поле и рекомбинации электронов на ионизированных примесных уровнях барьера.
Мусаев А.М. Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов внеоднородном электрическом поле при 4.2K // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 724

Обсуждаются результаты исследования радиационного дефектообразования в p-Si<B,Pt> методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Показано существенное влияние наличия исходной примесиB иPt на эффективность образования радиационных центров (особенно с энергией Ev+0.36эВ). Это явление объясняется наличием в p-Si<B,Pt> электрически нейтральных комплексов <собственный межузельный атом>--примесь, которые в процессе gamma-облучения, эффективно распадаясь, влияют на характер квазихимиеских реакций радиационного дефектообразования.
Юнусов М.С., Каримов М., Аликулов М., Ахмадалиев А., Оксенгендлер Б.Л., Сабиров С.С. Об особенностях радиационного дефектообразования вp-Si&lt; B,Pt&gt; // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 722

Обнаружено аномальное двугорбое распределение атомов Fe по глубине при одновременной имплантации ионов Fe+ и Co+ в Si при невысоких плотностях ионного тока (j=< 10 мкА/см2) и соотношении ионов железа и кобальта в пучке 1 : 3. Образование такого профиля происходит при условии, что время диффузии атомов железа к стокам (поверхности и области линейных дефектов в глубине образца) становится меньше эффективного времени силицидообразования.
Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Жихарев В.А., Шустов В.А., Хайбуллин И.Б. Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Co+ и Fe+ в кремний // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 719

Приведены температурные зависимости диэлектрической проницаемости и сопротивления на переменном токе соединений Cd1-xMnxTe (0=< x=< 0.7), из которых установлено, что дополнительная поляризация соединения обусловлена прыжковой перезарядкой дефектов структуры. Исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса и отражения света для этих материалов. Предложена модель, описывающая термически активируемый рост диэлектрической проницаемости полупроводников. Определены основные характеристики и предложена микроскопическая модель структуры дефектов, прыжковая перезарядка которых приводит к росту диэлектрической проницаемости компенсированных полупроводников Cd1-xMnxTe.
Жуковский П.В., Родзик А., Шостак Ю.А. Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 714

Рассмотрена возможность использования явления отрицательной диффенциальной проводимости для фоторефрактивной записи. Показано, что приложение к кристаллу внешнего переменного поля определенной формы позволяет избежать образования макроскопических доменов сильного поля и в то же время обеспечить усиление голограммы на начальном этапе считывания.
Микляев Ю.В. Возможность усиления фоторефрактивной голограммы при помощи отрицательной дифференциальной проводимости // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 712