Основные особенности явления протекания тока в виде микроплазменных импульсов подтверждены численным моделированием предложенной математической модели. Показано, что микроплазма может спонтанно возникать при наличии в области пространственного заряда p-n-структуры локальной неоднородности, а возрастание температуры структуры в результате джоулева разогрева--- приводить к подавлению микроплазмы. Численно изучены кинетика микроплазменных импульсов, их форма и длительность в зависимости от приложенного напряжения и параметров полупроводниковой структуры.
Дацко Б.И. Численное моделирование явления нестабильности микроплазмы // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 186

В инфракрасных спектрах поглощения полученного зонной плавкой кремния, подвергнутого циклической термообработке при 1250o C с быстрым охлаждением после каждого отжига и с частичным снятием термического окисла в каждом цикле, обнаружена необычная "полоса" поглощения с гигантской полушириной. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые особенности спектра трансформацией в процессе термообработки нанопреципитатов примесей, содержащихся в исходном кремнии, и микроблочной структурой материала.
Жданович Н.С. О необычной "полосе" поглощения в инфракрасном спектре кремния, отжигающегося при высокой температуре с последующим быстрым охлаждением // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 183

Исследованы механические свойства чистых и легированных (Fe, Zn, Sn) монокристаллов InP в интервале температур 293--600 K. Показано, что примесное упрочнение (увеличение микротвердости) гораздо ярче выражено при повышенных температурах, чем при комнатной. Это обусловлено торможением движущихся дислокаций примесями, которое больше проявляется в области высоких температур. Обнаружена заметная анизотропия твердости по царапанию на грани(001) исследуемых кристаллов при 293 K. При повышении температуры в интервале 293--600 K она резко уменьшается. Показана неэквивалентность направлений[110] и [ 110] на грани (001) исследуемых кристаллов. Наблюдаемые явления объясняются разным вкладом двух механизмов пластической деформации: скольжения и двойникования в процессе образования царапин вдоль направления< 100> и < 110>, а также вдоль направлений[110] и[ 110].
Боярская Ю.С., Грабко Д.З., Мединская М.И., Палистрант Н.А. Механические свойства чистых и легированных кристаллов InP, выявляемые при локальном нагружении // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 179

Исследованы спектры электронов и дырок в напряженных гетероструктурах Ge1-xSix/Ge, выращенных на плоскости (111). Показано, что с помощью исследования поляризации фотолюминесценции из этих структур можно определить строение зоны проводимости в них. Найдены правила отбора для непрямых оптических переходов.
Алешкин В.Я., Бекин Н.А. Спектры электронов и дырок и правила отбора для оптических переходов в гетероструктуре Ge1-xSix/Ge // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 171

Исследованы оптические свойства структур с субмонослойными внедрениями CdSe в матрице Zn(S,Se). Субмонослойное покрытие представляет собой массив наноразмерных (40 Angstrem) островков высотой в один монослой. Сила осциллятора экситона в мультиплицированных субмонослойных структурах CdSe--ZnSSe существенно возрастает по сравнению со случаем однородной квантовой ямы сопоставимых толщины и состава. В субмонослойных структурах лазерная генерация осуществляется в непосредственной близости от энергии основного состояния тяжелого экситона в отличие от обычных квантовых ям ZnCdSe, где она существенно сдвинута в длинноволновую сторону на энергию одного оптического фонона. Эффект обусловлен снятием правил отбора по импульсу при излучательной рекомбинаци экситонов в субмонослойных структурах.
Крестников И.Л., Максимов М.В., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В., Цацульников А.Ф., Люблинская О.Г., Воловик Б.В., Копьев П.С., Sotomayor Torres С.М. Оптические свойства субмонослойных структур CdSe-(Zn,Mg)(S,Se) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 166

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получен низкотемпературный инжекционный лазер с активной областью на основе квантовых точек In0.5Ga0.5As/GaAs. Оптимизация условий выращивания и геометрических параметров структуры позволила увеличить диапазон сверхвысокой температурной стабильности порогового тока (характеристическая температура T0=385 K) вплоть до 50o C.
Максимов М.В., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Кочнев И.В., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Рувимов С.С., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Алферов Ж.И., Bimberg D. Инжекционный гетеролазер на квантовых точках со сверхвысокой температурной стабильностью порогового тока до 50o C // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 162

Представлены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств гетерограницы пористого и монокристаллического кремния. Получены выпрямляющие гетероструктуры с фоточувствительностью до 1 мА/Вт при 300 K в области спектра 1.2/2.3 эВ. Обнаружены осцилляции фототока, указывающие на интерференцию излучения в слоях пористого кремния. Оценен показатель преломления пористого кремния. Исследована поляризационная зависимость фоточувствительности гетероструктуры.
Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний--кремний // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 159

Обобщены результаты исследования прямого тока в трех типах барьерных структур: гомо-p-n-структурах p-n-GaP/n-Si, p-n-GaAs--n-GaP/n-Si, p-n-GaAs--n-GaAs/n-Si; гетероструктурах n-GaP/p-Si, p-GaP/n-Si, n-GaAsP/p-Si, n-GaAs/p-Si и поверхностно-барьерных структурах Au--n-GaP/n-Si. Эпитаксиальные слои GaP и GaAs на Si-подложках создавались методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе. Температурные измерения показали, что прямой ток имеет туннельную природу, хотя ширина области объемного заряда значительно больше длины туннелирования. Предложена модель неоднородного туннелирования вдоль дислокаций, пересекающих область объемного заряда. Учет туннелирования такого типа осуществляется путем введения феноменологического коэффициента "разрежения" барьера. Модель позволяет по вольт-амперной характеристике вычислить плотность дислокаций в приборных структурах.
Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Джумаева М., Назаров Н. Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p-n- иm-s-структурах A IIIB V на Si // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 152

С использованием нового метода концентрационных импульсов проведены исследования транспорта водорода в трех полупроводниковых материалах, нанесенных в виде пленок на никелевые подложки. Предложены наиболее вероятные модели переноса. В графите диффузия водорода происходит в виде молекул и сопровождается обратным захватом, перенос осуществляется по микропорам между чешуйками графита; центрами захвата служат валентно ненасыщенные связи на границах чешуек. Диффузия в аморфном кремнии также сопровождается захватом, но происходит в атомарной форме по междоузлиям; центрами захвата служат валентно ненасыщенные Si-связи. В оксиде никеля, подобно графиту, диффузионный перенос идет в виде молекул, однако захвата водорода на валентно ненасыщенные связи обнаружено не было. Проведен сравнительный анализ свойств, проявляемых исследованными материалами по отношению к кислороду, для установления их корреляции со структурой и электронными свойствами полупроводников.
Габис И.Е. Перенос водорода в пленках графита, аморфного кремния &#125; и оксида никеля // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 145

Представлены частотные зависимости малосигнальной динамической проводимости симметричной и несимметричной двухбарьерных гетероструктур, рассчитанных в одноэлектронном приближении. Особое внимание уделено случаю туннелирования электронов через верхние минизоны. В приближении высокой мощности (ширины) барьеров получено аналититическое выражение для динамической проводимости двухбарьерной резонансно-туннельной структуры, согласующееся со строгим расчетом. Показано, что: а)динамическая проводимость возрастает как четвертая степень ширины барьеров, б)квантовые переходы с четным изменением номера уровня запрещены, в)динамическая проводимость обратно пропорциональна третьей степени частоты, если расстояние между уровнями меняется с частотой так, что все время выполняются условия резонанса. В зависимости от номеров рабочих уровней рассчитана максимально возможная интенсивность излучательных переходов двухбарьерных гетероструктур в условиях постоянства плотности тока питания и характерного времени нарушения когерентности, вызываемого фононным рассеянием. Показано, что интенсивность заметно возрастает, если в качестве рабочего использовать не основной, а, например, четвертый уровень структуры.
Беляева И.В., Голант Е.И., Пашковский А.Б. Особенности резонансного взаимодействия электронов свысокочастотным электрическим полем в двухбарьерных структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 137