Проведено феноменологическое описание электротермических неустойчивостей в высокоомных монокристаллах PbTe(Ga) при облучении образцов инфракрасным светом. Неустойчивости проявляются в виде периодических колебаний тока в цепи образца и его температуры в достаточно сильных электрических полях. Показано, что для наблюдения этих явлений важно наличие в энергетическом спектре полупроводника метастабильных электронных состояний, уровни которых расположены на расстоянии порядка 20 мэВ под дном зоны проводимости.
Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Албул А.В., Рябова Л.И. Электротехнические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 133

Созданы фоточувствительные гетеропереходы p-CuInSe2 / зеленый лист. Рассмотрены результаты измерений поляризационных индикатрис фототока, спектральных зависимостей квантовой эффективности фотопреобразования и естественного фотоплеохроизма гетеропереходов. Поляризационные зависимости фоточувствительности дают основания считать, что верхней валентной зоной в CuInSe2 является Gamma7. Обнаружен эффект окна в отношении фоточувствительности и сделан вывод о возможностях применения гетеропереходов в качестве фотопреобразователей интенсивности и поляризации излучения.
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шпунт В.Х. Фотовольтаический эффект гетероконтакта p-CuInSe2/зеленый лист // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 129

Микроструктуры в монокристаллах p-CuInSe2, сформированные в сильном электрическом поле, исследованы методом локальной (d=< 1 мкм) катодолюминесценции. Наиболее коротковолновое излучение (homegam=1.023 эВ) наблюдается из слоя n-типа, более длинноволновое (homegam=1.006 эВ)--- из областей p-типа. Анализ спектров КЛ позволил сопоставить экспериментально выявленные особенности с оптическими переходами, связанными с донорными и акцепторными уровнями точечных дефектов V Cu, V Se, Cui. Тестовые измерения EBIC, C-V-характеристик и DLT-спектров подтверждают данные катодолюминесценции и выявляют дополнительные особенности p-n-p-микроструктур.
Конников С.Г., Медведкин Г.А., Соболев М.М., Соловьев С.А. Катодолюминесценция p-n-p-микроструктур в кристаллах CuInSe2 // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 114

Показана возможность локально изменять потенциальную энергию электронов и дырок, локализованных в квантовой яме, с помощью массива квантовых точек, осажденных в непосредственной близости от квантовой ямы. Изменения в потенциальной энергии электронов и дырок в основном обусловлены влиянием напряжений, возникающих в области квантовых точек.
Цацульников А.Ф., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Сахаров А.В., Суворова А.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Модуляция потенциала квантовой ямы с помощью массива квантовых точек // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 109

Исследуется влияние высокотемпературного отжига на оптические свойства массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, а также на приборные характеристики инжекционного лазера с активной областью на основе массива квантовых точек. Наблюдается сильный коротковолновый сдвиг максимума фотолюминесценции и линии лазерной генерации, изменение интенсивности фотолюминесценции и температурной зависимости пороговой плотности тока. Причиной наблюдаемого поведения, по-видимому, является уменьшение энергии локализации носителей в квантовых точках в результате частичного перемешивания атомов In и Ga, а также повышение структурного упорядочения в слоях Ga(Al)As, выращенных при низкой температуре, в результате высокотемпературного отжига.
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 104

Рассмотрена квазибаллистическая модель токопереноса в двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs--GaAs--AlAs со слабо легированной ямой. Учтено рассеяние электронов в слое GaAs в X-долину, незеркальность отражения электронов от барьера AlAs и квантование энергии в предбарьерной области. Показана возможность реализации S-образной вольт-амперной характеристики в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре в отсутствие электрон-электронных столкновений при относительно широком барьере AlAs.
Белянцев А.М., Романова Ю.Ю. Квазибаллистическая модель токопереноса и формирование вольт-амперной характеристики S-типа в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs--GaAs--AlAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 100

Проведен аналитический расчет высокочастотной вольт-емкостной характеристики для тонкопленочной структуры на основе GaAs. Показано, что особенности этой зависимости--- резкое падение и выход на 0--- обусловлены смыканием областей обеднения барьера Шоттки и перехода пленка--подложка, а также инерционностью перезарядки глубоких центров в подложке.
Горев Н.Б., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т., Эппель В.И. Высокочастотная вольт-емкостная характеристика тонкопленочных структур на основе GaAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 96

Исследовано формирование эпитаксиальных пленок теллурида свинца на кремниевой подложке с буферным подслоем пористого кремния. Несмотря на большое рассогласование постоянных решетки и температурного коэффициента расширения кремния и теллурида свинца, сформированные на основе этих пленок методом ионного легирования вертикальные фотодиоды инфракрасного диапазона характеризуются параметрами, приближающимися к параметрам аналогичных фотодиодов на ориентирующей подложке.
Беляков Л.В., Захарова И.Б., Зубкова Т.И., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 93

Методом Монте-Карло моделируется перенос двумерных (2D) электронов в инверсионном слое кремния в диапазоне температур 4.2/40 K, когда имеет место электрический квантовый предел и заселена только одна нижайшая подзона. При этом учитываются два механизма рассеяния--- на удаленных ионизированных примесях и шероховатостях поверхности, а также их зависимость от поляризуемости 2D электронного газа. Рассчитаны подвижность и коэффициент теплых электронов в слабых электрических полях. Полученные данные сравниваются с результатами, известными в литературе.
Борздов В.М., Петрович Т.А. Моделирование методом Монте-Карло низкотемпературной подвижности двумерных электронов в инверсионном слое кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 89

We present the calculations which show that independent quantization of electrons and phonons allows the intra- and inter-subband electron-phonon scattering rate in two-dimensional structures to be changed. It is considered how the design of multi-heterostructure quantum well (QW) changes the electron mobility and population of subbands in the QW. It was shown, that the insertion of the phonon wall (a few AlAs monolayers) into an AlAs/GaAs/AlAs double heterostructure allows the electron mobility in the QW to be enhanced and electron intersubband population to be inverted.
Pozela J., Juciene V., Namajunas A., Pozela K. Electron-phonon scattering engineering // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 85