Изучены фотоэлектрические свойства солнечных элементов ITO/n-Si при наклонном падении линейно-поляризованного света на солнечные элементы со стороныITO. Обнаружены поляризационная фоточувствительность и возрастание относительной квантовой эффективности фотопреобразования в результате снижения потерь на отражение. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма PI увеличивается с увеличением угла паденияtheta в соответствии с законом PI~theta2. Изучена поляризационная фоточувствительность солнечных элементов в зависимости от энергии фотонов между ширинами запрещенных зон двух контактирующих материалов. Результаты показывают, что исследованные солнечные элементы могут быть использованы как селективные поляриметрические фотосенсоры.
Ботнарюк В.М., Коваль А.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Симашкевич А.В., Шербан Д.А. Поляризационная фоточувствительность кремниевых солнечных элементов с просветляющим покрытием из смеси оксидов индия иолова // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 800

В последнее время резко возрос интерес к карбиду кремния как полупроводнику, пригодному для изготовления приборов, работающих в экстремальных условиях. Основная задача в настоящее время состоит в массовом получении монокристаллов карбида кремния с низкой концентрацией дефектов и высокой однородностью свойств по сечению. Данная работа посвящена численному моделированию процессов тепло- и массопереноса при выращивании монокристаллов SiC сублимационным методом. Полученные результаты позволяют проследить влияние условий роста на распределение температуры и основных компонентов в паровой фазе, а также радиальный профиль скорости роста монокристалла для различных стадий процесса выращивания.
Кириллов Б.А., Бакин А.С., Солнышкин С.Н., Таиров Ю.М. Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 794

Экспериментально обнаружен высокочастотный сдвиг 20 см-1 в спектре комбинационного рассеяния света кремния, имплантированного ионами криптона. На основе данных комбинационного рассеяния света, полученных при различных режимах имплантации Kr+ и лазерного отжига, исследована динамика трансформации микроскопической структуры приповерхностного слоя кремния. Полученные экспериментальные данные хорошо объясняются наличием локальных механических напряжений (~40 кбар), связанных с присутствием тяжелых инертных атомов Kr в узлах решетки.
Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Моисеев С.А., Штырков Е.И. Особенности комбинационного рассеяния света вкремнии, легированном большими дозами криптона // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 790

Исследовано влияние двойной последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Xe+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe (0.2
Ибрагимова М.И., Барышев Н.С., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Влияние последовательной имплантации ионов Ag+(Cu+) иXe+ нарекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 786

Проанализированы особенности полевой зависимости фототока короткого замыкания реальных барьеров Шоттки на основе сильно легированного полупроводника в условиях осциллирующей зависимости коэффициента поглощения света alpha от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии квантов (hnu>Eg). Получено аналитическое выражение для зависимости фототока от толщины области пространственного заряда W при условии alpha W<< 1. Предложена усовершенствованная методика определения длины диффузии неосновных носителей заряда из анализа зависимостей Ip(W) в спектральной области, удовлетворяющей условиям применимости полученных выражений. Проведены также некоторые усовершенствования метода выделения емкости области пространственного заряда из высокочастотной емкости реального барьера Шоттки. Метод опробован на структурах Аu--GaAs с Nd=(4.5· 1016/ 1· 1018)см-3. Независимая проверка метода определения L проведена на основе теоретического описания спектральной зависимости квантовой эффективности структуры.
Дмитрук Н.Л., Борковская О.Ю., Мамыкин С.В. Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда сиспользованием реальных барьеров Шоттки // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 781

Развит метод исследования эффекта Френкеля--Пула, основанный на измерении термостимулированной проводимости слабо компенсированного полупроводника, легированного глубокой примесью, в котором также содержится более мелкая, чем основная, сопутствующая примесь. Приводятся результаты исследования термоситмулированной проводимости образцов Si : Ga с концентрацией галлия NA=(2-3)·1018 см-3 и низким содержанием сопутствующей примеси (=<1013 см-3). Проводимость измерялась после примесного фотовозбуждения образцов при нагреве их со скоростью beta=0.6 K/с в диапазоне температур T=4.2/24 K в электрических полях E=200/1000 В/см. Показано, что максимум на кривых термостимулированной проводимости обусловлен термостимулированным опустошением сопутствующей примеси бора и сдвигается в область более низких значений T с увеличением поляE. По сдвигу максимума найденное уменьшение энергии ионизации примесиB в электрическом поле, которое оказывается несколько слабее, чем следует из модели Френкеля--Пула для однозарядных кулоновских центров.
Козлов А.М., Рыльков В.В. Эффект Френкеля--Пула для примеси бора вкремнии всильных греющих электрических полях // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 777

Приводятся результаты измерений времени жизни носителей заряда в эпитаксиальных структурах на основе узкозонного Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при импульсном возбуждении излучением на различных длинах волн. Показано, что в эпитаксиальных пленках p-типа проводимости время жизни определяется оже-механизмом рекомбинации в области температур, соответствующих примесной проводимости, а для эпитаксиальных пленок n-типа характерна рекомбинация через локальные центры.
Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Либерман В.Т., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 774

В рамках модели сильных кулоновских корреляций исследуются кинетические явления в квантовой яме, содержащей примеси с переменной валентностью. Показано, что с увеличением содержания железа в квантовой яме кулоновские корреляции возрастают и приводят к упорядочению в системе примесей. В результате этого следует ожидать ослабления рассеяния 2d электронов на них, что должно приводить к значительному увеличению подвижности 2d электронов.
Ляпилин И.И. Влияние примесей с переменной валентностью на явления переноса вквантовой яме // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 769

Экспериментально обнаружено перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах, подвергнутых мощному облучению сильно поглощаемым излучением лазера. Показано, что причиной такого явления служат преимущественно диффузионные потоки ионов цинка из p- в n- область, которые проявляются в полях термоупругих напряжений, обусловленных значительными градиентами температуры. Установлены зависимости величин перемещения p-n-перехода от параметров лазерного облучения.
Сукач Г.А. Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода впрямозонных GaAsP-структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 753

Рассматривается метод определения длины волны отсечки lambdac спектра фоточувствительности инфракрасных фотоприемников, использующий измерение двух фотосигналов, полученных от двух тепловых источников излучения, имеющих различные температуры. Показано, что для lambda~= 10-14 мкм целесообразно использовать тепловые источники с пониженной температурой. Проведено измерение фотосигнала элемента фотодиодной линейки на p-CdxHg1-xTe с x=0.225 для теплового излучателя, температура которого изменялась в пределах150--450 K. Из сравнения экспериментальной кривой с расчетной вычислены значенияlambdac для нескольких температурных диапазонов. Вычислены поправки кlambdac, связанные с отклонением реального спектра фоточувствительности от идеализированного. Высказаны соображения по поводу выбора оптимального температурного диапазона для излучателей.
Васильев В.В., Машуков Ю.П., Овсюк В.Н. Использование низкотемпературного излучателя для исследования спектральных характеристик инфракрасных фотоприемников // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 749