Рассматривается поперечная устойчивость фронта ударной ионизации в кремниевой p+-n-n+-структуре большой площади. Предложена аналитическая модель, обеспечивающая совместное движение фронта ионизации и процесса вытеснения основных носителей из необедненной части n-базы. Исследована устойчивость плоского фронта, вычислены инкременты нарастания и указаны физические механизмы неустойчивости. Сформулирован критерий квазиустойчивого распространения волны.
Минарский А.М., Родин П.Б. О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 432

В рамках пакетного анализа дано определение времен туннелирования для частиц, начальное состояние которых описывается волновыми пакетами общего вида. Показано, что "нефизичность" результатов, полученных ранее при численном моделировании движения волновых пакетов в одномерных структурах, обусловлена неправильной интерпретацией пакетного формализма. Времена туннелирования волновых пакетов, наблюдаемые в численном эксперименте, вовсе не являются временами туннелирования частиц.
Чуприков Н.Л. Времена рассеяния частицы на одномерных потенциальных барьерах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 427

Исследованы процессы инжекционного усиления фототока в структурах типа p+-n-n+, изготовленных на основе поликристаллического кремния, выращенного на подложках из промышленного кремния. Обсуждены вопросы получения инжекционных фотоприемников и других бистабильных элементов с применением alpha-облучения и термообработки.
Алиев Р. Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых p+-n-n+-структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 425

На пленках SiC, выращенных на кремниевых подложках, получены люминесцирующие пористые слои. В результате электролитического окисления пористых слоев интенсивность фотолюминесценции весьма существенно увеличивается. Спектр импульсной фотолюминесценции представляет собой ряд перекрывающихся полос в диапазоне от 1.8 до 3.3 эВ. Проведенные исследования исходных пленок SiC показали, что они являются нестехиометричными и сильно разупорядоченными, тем не менее интенсивность фотолюминесценции окисленных пористых слоев оказывается значительно более высокой, чем удается получить при соответствующей обработке кристаллов или кристаллических пленок SiC.
Данишевский А.М., Шуман В.Б., Гук Е.Г., Рогачев А.Ю. Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 420

Приведены результаты исследования пропускания симметричной полосковой (волноводной) линии из висмута при температуре T=80 K на длине волны лазерного излучения lambda=10.6 мкм в магнитных полях до B=8 Тл. Моделированием формы экспериментальной кривой в рамках модифицированной модели Бараффа получен набор параметров энергетического спектра L-электронов висмута. Из анализа полевых положений максимумов магнитооптических осцилляций найдены значения параметров модели Макклюра и Чоя.
Бровко С.В., Зайцев А.А., Иванов К.Г., Кондаков О.В. Форма линии межзонного магнитооптического поглощения в висмуте // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 416

Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав--твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)--твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In--Ga--As--Sb--P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения InxGa1-xAsySbzP1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.
Чарыков Н.А., Литвак А.М., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники . I.Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 410

Исследовались процессы образования основных радиационных дефектов в кремнии (A-, E-центры, комплексы Ci-Cs и Ci-Oi) в бездислокационных кристаллах и кристаллах с низким содержанием дислокаций (ND~=1· 104 см-2) в зависимости от концентрации кислорода NO. Особенности накопления и отжига радиационных дефектов, наблюдаемые в бездислокационном кремнии, интерпретированы с учетом наличия межузельных включений в объеме таких кристаллов. Установлено, что геттерирующие свойства включений сложным образом зависят от концентрации кислорода и максимально выражены при NO~= 3· 1016 см-3.
Колковский И.И., Лукьяница В.В. Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного имежузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 405

Исследовано влияние легирования медью на сенсорные свойства и электропроводность поликристаллических пленок SnO2(Cu). Установлено, что при комнатной температуре после экспонирования пленок в H2S наблюдается явление остаточной проводимости. Это позволило определить характер низкотемпературной проводимости пленок в условиях различной степени насыщения сероводородом. Сопоставление полученных данных с результатами послойного элементного анализа позволило предложить модель, объясняющую механизм газовой чувствительности SnO2(Cu) к сероводороду. В отличие от традиционных для газовых сенсоров механизмов, связанных с работой поверхности, в рассматриваемом случае изменение проводимости обусловлено химическим взаимодействием электрически активной меди с серой во всем объеме пленки, что и определяет селективность и повышенную чувствительность SnO2(Cu) к H2S.
Акимов Б.А., Албул А.В., Гаськов А.М., Ильин В.Ю., Лабо М., Румянцева М.Н., Рябова Л.И. Сенсорные свойства по отношению к сероводороду иэлектропроводность поликристаллических пленок SnO2(Cu) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 400

Показано, что неравновесные носители заряда, возникающие при локальном оптическом воздействии на гетероструктуру с двумерным электронным газом, переносится в плоскости структуры на чрезвычайно большое расстояние от места возбуждения, которое значительно превосходит длину диффузии в объеме. Эффект обусловлен тем, что генерированные светом электроны и дырки разделяются встроенным электрическим полем гетероперехода к противоположным краям буферного слоя, где они переносятся по параллельным плоскостям. Расстояние, на которое распространяется неравновесная концентрация носителей, достигает больших значений благодаря: (1)высокой проводимости двумерных электронов, (2)барьера для рекомбинации электронов и дырок и (3)дрейфу дырок в электрическом поле, создаваемом зарядом неравновесных носителей в плоскости структуры.
Сабликов В.А., Поляков С.В., Рябушкин О.А. Эффект латерального переноса фотоиндуцированных носителей заряда вгетороструктуре сдвумерным электронным газом // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 393

Исследовались специально не легированные и легированные медью (NCu=1018 см-3) монокристаллы CdS. На основании анализа дозовых зависимостей интенсивности оранжевой люминесценции (lambdaM=605 нм) "чистых" и легированных образцов при облучении электронами с E=1.2 МэВ и быстрыми реакторными нейтронами делается вывод о комплексной природе центров, ответственных за эту люминесценцию. Они состоят из межузельных атомов кадмия и атомов кислорода. Электронное облучение монокристаллов CdS : Cu ведет к образованию новых центров, ответственных за люминесценцию с lambdaM=570 и 545 нм.
Давидюк Г.Е., Манжара В.С., Богданюк Н.С., Шаварова А.П., Булатецкий В.В. Влияние электронной и нейтронной радиации наспектры оранжевой люминесценции специально нелегированных илегированных медью монокристаллов сульфида кадмия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 390