При T=77 K исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре IIтипа p-GaInAsSb/ p-InAs при импульсном возбуждении. Показано, что так же, как и при возбуждении постоянным током, в спектрах наблюдаются две полосы излучения с максимумами, соответствующими энергиям 384 и 311 мэВ соответственно. Полуширина полос излучения составляет 18--19 мэВ. С помощью методики спектроскопии временного разрешения оценено время релаксации неравновесных носитетелей, которое составляло 6--7 мкс. Рассчитан спектр излучения в рамках модели Кейна и проведена оценка времени излучательной рекомбинации. Теоретические оценки находятся в разумном согласии с экспериментом.
Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Соловьева О.Ю., Яковлев Ю.П. Излучательная рекомбинация на гетерограницеIIтипа вразъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs приимпульсном возбуждении // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 658

Антимонид галлия и его твердые растворы широко применяются для создания оптоэлектронных приборов для спектрального диапазона 2/5 мкм. Однако высокая химическая активность поверхности приводит к высокой скорости роста собственного окисла и к деградации характеристик приборов на основе этих материалов. Нами проведено исследование пассивации поверхности GaSb и четверных соединений GaInAsSb и GaAlAsSb на его основе в водных растворах Na2S и (NH4)2S. Обнаружено, что при обработке в водных сульфидных растворах таких полупроводниковых материалов присутствует фаза травления. Нами изучено воздействие процесса обработки (тип и молярность раствора, продолжительность обработки) на скорость травления исследованных материалов. Основываясь на полученных результатах, мы определили оптимальные технологические условия пассивации фотодиодных меза-структур на основе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb и было получено значительное снижение (в 5/ 10 раз) величины обратного темнового тока.
Андреев И.А., Куницына Е.В., Лантратов В.М., Львова Т.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 653

В конфигурации классического эффекта поля обнаружены мезоскопические эффекты в проводимости макроскопических (50x150 мкм) систем металл--окисел--полупроводник на основе слоев Si с высоким содержанием бора (1018 см-3), проявляющиеся при изменении потенциала полевого электрода в стационарных квазипериодических флуктуациях поперечного напряжения между потенциальными зондами, расположенными на противоположных боковых гранях образца. Флуктуации наблюдаются при относительно высоких температурах =<30 K и связаны с перестройкой перколяционного кластера, определяющего квази-2D прыжковую проводимость в области пересечения объемной примесной зоны с уровнем Ферми.
Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Рыльков В.В. Мезоскопические эффекты в области прыжковой проводимости макроскопических квази-2D объектов // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 648

Квантовые ямы в системе ZnCdSe/ZnSe различной ширины выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSe (001). Подложки вырезались из объемных кристаллов ZnSe, полученных газотранспортным методом в водороде. Подготовка поверхности подложки осуществлялась коллоидно-химической полировкой с последующим отжигом в атомарном водороде и напылением защитной пленки селена. В ходе эпитаксиального роста контролировалась топография поверхности по картине дифракции отраженных быстрых электронов. Были проведены исследования методом атомно-силовой микроскопии микрорельефа поверхности образцов и катодолюминесценции выращенных квантово-размерных структур при 40 и 300K. Относительно низкая микрошероховатость поверхности, контрастные вытянутые рефлексы в дифракционной картине и зависимость спектрального положения линии люминесценции квантовой ямы от ее ширины свидетельствует о высоком структурном качестве выращенных структур.
Козловский В.И., Трубенко П.А., Артемов А.С., Дианов Е.М., Коростелин Ю.В., Крыса А.Б., Шапкин П.В., Щербаков Е.А. Исследование квантовых ям в системе ZnCdSe/ZnSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 641

Изучены спектральные зависимости пропускания и поглощения метастабильных пленок CdSxTe1-x как до термоактивированного распада, так и после него. Предложена модель процессов пропускания в неупорядоченных многофазных системах. Выявлены корреляционные связи между характерными точками на кривых пропускания и составом твердого раствора.
Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Оптический край поглощения и его модификация при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 635

Рассмотрено рассеяние экситона на флуктуациях концентрации и ориентации спинов магнитных примесей и связанное с ним уширение экситонных полос в квантовой яме с полумагнитными барьерами CdMnTe/CdTe/CdMnTe. Найдено время релаксации как функции энергии экситона и толщины ямы. Время релаксации существенно зависит от магнитного поля, причем зависимость различна для экситонов, формирующих sigma+- и sigma--компоненты оптического перехода.
Верцимаха А.В., Сугаков В.И. Рассеяние экситонов нафлуктуациях концентрации ипроекции спинов магнитных примесей вквантовых ямах вполумагнитных полупроводниках // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 632

Представлены результаты исследования оптического поглощения в пленках пористого кремния в диапазоне 300/ 1500 нм с помощью фотоакустической спектроскопии. Обнаружено, что обусловленный пористым слоем край фундаментального поглощения для исследованных образцов находится в диапазоне от 350 до 500 нм. Из зависимости фотоакустического сигнала от частоты модуляции света определено, что теплопроводность пористого кремния составляет 0.25· 10-3 Вт/см·град.
Образцов А.Н., Окуши Х., Ватанабе Х., Тимошенко В.Ю. Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 629

Рассмотрен эффект положительного магнитосопротивления в пленке ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO, который не является характерным для данного класса материалов. Исследовано влияние на эффект положительного магнитосопротивления внешних магнитного и электрического полей, температуры. Показано, что величина магнитосопротивления Deltarho/rho0 определяется рассеянием свободных носителей заряда на пространственных флуктуациях намагниченности, которые обусловлены неравномерным распределением дефектов в структурно-неупорядоченной системе (квазиаморфная пленка).
Кабанов В.Ф., Свердлова А.М. Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводникаEu1-xSmxO // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 626

Предложен новый механизм многозначной анизотропии продольной электропроводности двухъямных и многоямных гетерструктур на основе многодолинных полупроводников. Механизм основан на предположении о том, что при разогреве электронного газа межъямная термоэлектронная эмиссия через невысокий потенциальный барьер становится доминирующим каналом электронных переходов между ямами и что межъямные переходы с сохранением долины могут быть чаще междолинных. Учетены внутренние электрические напряжения на барьерах, возникающие вследствие различного междолинного перераспределения в ямах.
Грибников З.С. Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям и сверхрешеток // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 621

Проведено исследование люминесцентных свойств нелегированных эпитаксиальных слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния. В спектрах фото- и катодолюминесценции зарегистрированы краевая полоса (361 нм, 96K) и дефектные полосы (380, 430, 560нм, 96K). Обнаружено, что параметры полос краевой и дефектной люминесценции для исследованных слоев GaN не зависят от кристаллического совершенства подложки, а определяются условиями выращивания, в частности положением образца в реакторе. Показано, что существует характерная симметрия распределения люминесцентных свойств слоя по поверхности образцов относительно направления газового потока в реакторе. Установлена корреляция между параметрами краевой и синей полос люминесценции и концентрацией электрически активной примеси в эпитаксиальном слое.
Зубрилов А.С., Мельник Ю.В., Цветков Д.В., Бугров В.Е., Николаев А.Е., Степанов С.И., Дмитриев В.А. Люминесцентные свойстава слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 616