Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с ориентацией (100) и (111) получены эпитаксиальные слои Si, Ge, Si1-xGex и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Изучены процессы роста указанных структур и методами рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии исследованы их структурные характеристики и химический состав. В частности показано, что при рассмотренных режимах получения сверхрешеток Si/Si1-xGex могут быть получены структурно совершенные напряженные сверхрешетки с числом сателлитов вплоть до ±5порядка.
Сизов Ф.Ф., Козырев Ю.Н., Кладько В.П., Пляцко С.В., Огенко В.М., Шевляков А.П. Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex. Получение и структурные характеристики // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 922

Показано, что нестационарная термоэдс, возникающая в многослойных структурах с p-n-переходами с характерными временами нарастания и спада порядка секунды, может на несколько порядков превышать стационарную термоэдс в однородном полупроводнике. Подобный эффект может наблюдаться как в поликристаллических пленках, так и в искусственно созданных многослойных структур с p-n-переходами с тонкими слоями и может быть использован для создания сверхчувствительных датчиков температуры.
Агарев В.Н. Нестационарная термоэдс в многослойных структурах сp-n-переходами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 920

Рассчитано поперечное электрическое поле (Ey), возникающее в квазидвумерных сверхрешетках (СР) в сильном тянущем электрическом поле (Ex) и в слабом магнитном поле, перпендикулярном плоскости СР ( H|| OZ). В случае, когда энергетический электронный спектр неаддитивен, полеEy включает в себя как холловский фактор, так и спонтанное поперечное электрическое поле, существующее и без H. ПолеEy как функция Ex является неоднозначным и знакопеременным. Определены асимптотически устойчивые ветви функцииEy. При этом использовался введенный в рассмотрение (кинетический) "потенциал", минимум которого соответствует стационарному состоянию неравновесного электронного газа.
Шмелев Г.М., Эпштейн Э.М., Маглеванный И.И. Эффект Холла в квазидвумерных сверхрешетках внеквантующих магнитном исильном электрическом полях // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 916

Приводятся результаты по исследованию люминесцентных свойств ансамбля квантовых точек InAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии на сингулярных и вициальных поверхностях GaAs(100). Наибольшая величина ширины линии фотолюминесценции на полувысоте наблюдается в образцах, разориентированных на 3o, что свидетельствует о наибольшем разбросе квантовых точек по размерам в этом случае. Квазиравновесные квантовые точки формируются либо при повышенном времени выдержки образцов в потоке мышьяка, либо при большей величине осажденного индия.
Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Максимов М.В., Леденцов Н.Н. Люминесцентные свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 912

Исследовано изменение спектров фотолюминесценции и спектров ее возбуждения в процессе старения образцов пористого кремния на воздухе и в вакууме. Установлено, что характер изменений фотолюминесценции в процессе старения зависит от длины возбуждающего света: при возбуждении в видимой полосе спектра возбуждения люминесценции (lambdaexc>490 нм) наблюдается уменьшение интенсивности фотолюминесценции, а при возбуждении в ультрафиолетовой полосе--- преимущественно рост. Показано, что две полосы спектра возбуждения люминесценции (видимая и ультрафиолетовая) соответствуют двум разным объектам на поверхности пористого слоя.
Корсунская Н.Е., Торчинская Т.В., Джумаев Б.Р., Хоменкова Л.Ю., Булах Б.М. Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 908

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы морфологические характеристики ансамбля нанообъектов InGaAs/GaAs на сингулярных и вицинальных поверхностях GaAs (100). Наноструктуры формировались с использованием различных модификаций молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что на морфологию поверхности оказывает сильное влияние как кинетика роста, так и умышленная разориентация поверхности.
Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г., Поляков Н.К., Типисев С.Я., Голубок А.О., Леденцов Н.Н. Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления измолекулярных пучков // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 902

Исследованы гальваномагнитные явления и фотопроводимость в разьединенных гетеропереходах IIтипа GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования твердого раствора донорной (Te) или акцепторной (Zn) примесями. Установлено, что на гетерогранице в таких структурах имеется электронный канал, который определяет гальваномагнитные эффекты в широком диапазоне уровней легирования. Обнаружено резкое уменьшение холловской подвижности в исследуемых гетероструктурах при высоком уровне легирования эпитаксиального слоя акцепторной примесью. Наблюдаемый эффект обусловлен истощением электронного канала за счет локализации носителей тока в ямах потенциального рельефа на гетерогранице.
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П. Электронный транспорт в гетеропереходе IIтипа GaInAsSb/p-InAs сразличным уровнем легирования твердого раствора // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 897

Предложена полиямная модель иерархических полупроводниковых структур, отвечающая требованиям устойчивости спектра и ортогональности волновых функций состояний. Рассчитаны дисперсия энергии, плотность состояний, волновые функции и спектр "почти фибоначчиевой" полупроводниковой системы. Сформулировано классификационное правило, связывающее струкутру спектра со структурой системы. Обсуждаются оптические проявления иерархического устройства спектра.
Глушко Е.Я., Евтеев В.Н. Расчет иерархической сверхрешетки PbS--C в полиямной модели // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 889

Приведены результаты исследований влияния gamma-облучения на электрофизические характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов Y2O3, Dy2O3, Tb2O3, Gd2O3, Lu2O3. Рассмотрены статические характеристики (вольт-амперные, вольт-фарадные) и динамические (переходные характеристики, диаграммы колебательных режимов) структур до и после облучения дозой D=104/ 106 рад. Обнаружено, что доза облучения D=106 рад не приводит к существенной деградации характеристик структур. Наблюдаемые радиационные изменения исследуемых образцов не противоречат данным, известным для МДП структур с SiO2 в качестве диэлектрика.
Федоренко Я.Г., Отавина Л.А., Леденева Е.В., Свердлова А.М. Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 885

Теоретически исследовано фарадеевское вращение света в микрорезонаторах. Рассчитаны спектры отражения и пропускания света. Установлено, что в области спектра, соответствующей собственной моде резонатора, имеет место значительное усиление фарадеевского вращения и существенное изменение поляризации света.
Калитеевский М.А., Кавокин А.В., Копьев П.С. Фарадеевское вращение света в микрорезонаторах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 880