Развивается модель двух центров для объяснения электронной структуры кислородных термодоноров в кремнии. В рамках теории эффективной массы проведен расчет энергетических уровней 2p-состояний однократно ионизованных термодоноров. Из сравнения результатов расчета с экспериментальными данными оценено расстояние между ядрами атомов пары, которое равно 0.75/0.95 нм для первых трех видов термодоноров (TDD1--TDD3) и 1.35/ 1.75 нм для четырех последующих (TDD4--TDD7).
Макаренко Л.Ф. Расчет уровней 2p-состояний термодоноров в кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 961

Пористый кремний p-типа впервые исследован методом рентгеновской рефлектометрии. Для него критический угол полного внешнего отражения и коэффициент отражения в области углов, меньших критического, значительно меньше, чем для c-Si выращенного по методу Чохральского. Критический угол уменьшается при увеличении пористости. Критический угол и коэффициент отражения увеличиваются в процессе старения пористого кремния. Результаты объясняются значительно меньшей электронной плотностью пористого кремния по сравнению с c-Si и микрогеометрией его поверхности, а также их изменением в процессе старения из-за увеличения в нем концентрации атмосферных составляющих, наблюдаемых по инфракрасным спектрам поглощения. Концентрация атмосферных примесей увеличивается при возрастании пористости, причем в сильно пористом материале существенный вклад помимо химически адсорбированного кислорода, по-видимому, дают углерод и вода.
Балагуров Л.А., Павлов В.Ф., Петрова Е.А., Боронина Г.П. Исследование пористого кремния иегостарения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей иинфракрасной спектроскопии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 957

Вычисляются электрическое сопротивление и эффективная подвижность носителей в поликристаллическом кремнии как функции температуры и уровня фотовозбуждения. Теоретические выводы согласуются с известными экспериментальными данными.
Дощанов К.М. Температурная зависимость электрических свойств поликристаллического кремния в темноте и при воздействии солнечного излучения // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 954

Для симметричной двухбарьерной резонансно-туннельной структуры с высокими тонкими барьерами при бесстолкновительном транспорте электронов на основе решения нестационарного уравнения Шредингера, описывающего резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным полем, найдена аналитическая зависимость проводимости от амплитуды. Показано, что под действием высокочастотного поля с частотойomega и амплитудой, приблизительно соответствующей утроенной ширине резонансного уровня, до половины электронов, проходящих через этот уровень, может переходить на соседний, испуская или поглощая квант энергииhomega.
Голант Е.И., Пашковский А.Б. Зависимость резонансной проводимости симметричных двухбарьерных структур от амплитуды высокочастотного поля // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 950

Исследована электрические и люминесцентные свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных методом Чохральского из расплава, обогащенного галлием. Установлено, что кристаллы обладют проводимостью n-типа и сильно компенсированы. Обнаружено, что концентрация примеси теллура возрастает к концу слитка быстрее, чем концентрация компенсирующих акцепторов. Обсуждаются возможности формирования свойств монокристаллов GaSb путем использовния для выращивания нестехиометрических расплавов и последующей термообработки материала.
Куницын А.Е., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных изнестехиометрического расплава // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 947

Явно вычислен коэффициент захвата горячих электронов, отталкиваемых кулоновским центром, в условиях, когда функция распределения электронов имеет "иглообразный" вид, а эффективное сечение захвата наряду с зоммерфельдовским множителем экспотенциально зависит от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Получены критерии справедливости эффективного сечения Бонч-Бруевича.
Качлишвили Х.З., Качлишвили З.С., Чумбуридзе Ф.Г. О вычислении коэффициента захвата горячих электронов наотталкивающие центры вусловиях игольчатого типа функции распределения // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 944

На основе литературных данных произведена подгонка параметров ZnSe и CdSe для расчета уровней в квантовых ямах ZnCdSe/ZnSe. Показана адекватность модели на примере структур с набором квантовых ям, толщина и состав которых определялись независимыми способами.
Максимов М.В., Крестников И.Л., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В. Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 939

Исследовано влияние тянущего электрического поля на релаксационные кривые фотопроводимости кристаллов n-Hg0.8Cd0.2Te. Показано, что с увеличением напряженности поля время релаксации медленной компоненты возрастает, а быстрой уменьшается. Уменьшается также и вклад медленной компоненты. Такое поведение затухания фотопроводимости связывается с изменением изгиба энергетических зон в области макродефектов в присутствии электрического поля и с изменением подвода к ним неравновесных носителей заряда.
Вирт И.С. Влияние электрического поля нарелаксацию фотопроводимости вкристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 936

Путем численного моделирования процесса облучения Cd0.2Hg0.8Te наносекундными импульсами излучения рубинового лазера определен порог плавления: Wm=40/ 50 мДж/см2 при исходной температуре кристаллов T0=100 K и Wm=30/ 40 мДж/см2 при T0=300 K. Обнаружена лазерно-индуцированная модификация поверхности образца при облучении с плотностью энергии W110 мДж/см2. При надпороговом облучении зафиксировано монотонное уменьшение сигнала фотопроводимости с ростом плотности энергии излучения лазерного импульса, что может быть объяснено дефектообразованием, вызванным лазерно-индуцированным изменением состава приповерхностной области.
Головань Л.А., Кашкаров П.К., Лакеенков В.М., Тимошенко В.Ю. Влияние импульсного лазерного облучения на оптические характеристики и фотопроводимость твердых растворов CdHgTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 931

Предложен простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из вольт-фарадных измерений при электрохимическом травлении. Метод дает возможность определять профиль легирования непосредственно от поверхности полупроводника и обеспечивает разрешение на масштабах, меньших радиуса дебаевского экранирования. Результаты численных расчетов подтверждают возможность восстановления профиля легирования полупроводников с разрешением на уровне единиц нанометров.
Шашкин В.И., Каретникова И.Р., Мурель А.В., Нефедов И.М., Шерешевский И.А. Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 926