Проведено исследование экситонных характеристик гетероструктур InxGaAs1-x-GaAs в квантовыми ямами при наличии рельефной поверхности. Последняя обеспечивает существенную (до20%) поляризацию экситонных спектров уже при нормальном угле падения возбуждающего света. На основании данных по фононным повторениям спектров фотолюминесценции рассчитаны величины энергии связи экситонов, значения которых хорошо согласуются с теоретическими расчетами. Исходя из величин поляризации фотолюминесценции, отражения и пропускания проведены оценки параметров микрорельефа поверхности исследованных слоистых структур.
Авруцкий И.А., Литовченко В.Г. Исследование экситонных характеристик слоистых гетероструктур сквантованным спектром приналичии рельефной поверхности // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 875

Обнаружен фототок в структуре GaAs / GaAlAs с тремя асимметричными квантовыми ямами в магнитном поле H, параллельном поверхности образца, при облучении его квазинепрерывным лазером с lambda=1.065 мкм. Ток протекает в плоскости слоев перпендикулярно магнитному полю. Его величина возрастает с ростом H, при коммутации магнитного поля знак фототока изменяется. Эффект объяснен на основании модели о несимметричной структуре электронных волновых функций в магнитом поле.
Кучеренко И.В., Водопьянов Л.К., Кадушкин В.И. Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 872

Исследована фотолюминесценция ионов Er в пленках a-Si : H, легированных фосфором. Наблюдаемое увеличение фотолюминесценции Er с увеличением концентрации дефектов в образцах, а также корреляция температурного хода интенсивностей фотолюминесценции Er и фотолюминесценции, связанной с дефектами, объясняются в рамках модели возбуждения ионов Er в результате оже-рекомбинации с участием дефектов.
Теруков Е.И., Кузнецов А.Н., Паршин Е.О., Weiser G., Kuehne H. Фотолюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном фосфором // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 869

Исследован температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе 6H-SiC. Показано, что температурная зависимость напряжения пробоя может быть объяснена перезарядкой глубоких акцепторных уровней в слое объемного заряда. Результаты проведенных расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для легированных бором p-n-структур на основе 6H-SiC.
Лебедев А.А., Ортоланд С., Реноуд К., Локателли М.Л., Плансон Д., Шант Ж.П. Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 866

Исследован продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As: зависимости продольной фотоэдс Vph l от координаты светового пятна, температуры и магнитного поля. Получены линейные зависимости от координаты светового пятна, наблюдается согласие экспериментальных и теоретических значений Vph l. Температурный ход Vph l в интервале 100/ 300 K объяснен изменением подвижности носителей тока, обусловленным тепловым рассеянием на решетке. В магнитном поле наблюдается рост Vph l вследствие фотомагнитного эффекта.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 864

С помощью измерения низкочастотного шума в условиях сильного геометрического магнетосопротивления исследована природа шума 1/f, проявляющегося в сильно легированном n-GaAs (концентрация электронов n0~=1017 см-3) при зона-зонной подсветке. Показано, что такой шум имеет объемную природу и обусловлен флуктуациями числа носителей (а не подвижности). Впервые экспериментально показана возможность отличать поверхностный шум от объемного, используя измерения в условиях сильного геометрического магнетосопротивления.
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Pascal F., Румянцев С.Л. Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 858

Для изготовления многопереходных кремниевых солнечных элементов с вертикальными p-n переходами разработана относительно простая технология (без применения фотолитографии), основанная на диффузионной сварке и ионно-плазменном осаждении диэлектрического покрытия. Эффективный коэффициент собирания таких структур не зависит от длины волны падающего света в интервале длин волн lambda=340/1080 нм.
Гук Е.Г., Налет Т.А. Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 855

Исследована модификация структурных и оптических свойств вертикально связанных квантовых точек In0.5Ga05As в матрице GaAs, связанная с увеличением количества осажденных слоев квантовых точек. Было показано, что осаждение последовательности плоскостей In0.5Ga0.5As квантовых точек, разделенных узкими (порядка высоты квантовых точек) прослойками GaAs, приводит к появлению взаимодействия между соседними вертикально связанными квантовыми точками. Это взаимодействие вызывает смещение линии фотолюминесценции, связанной с рекомбинацией неравновесных носителей через состояния квантовых точек, в область меньших энергий фотонов.
Цацульников А.Ф., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Воловик Б.В., Суворова А.А., Берт Н.А., Копьев П.С. Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 851

Исследованы спектры фотопроводимости квантово-размерных структур, состоящих из 50 чередующихся слоев GaxIn1-xAs (x=0.47) толщиной 7/12 нм, образующих квантовые ямы, и InP-барьеров, толщиной 10/ 15 нм. В структурах высокого качества наблюдались характерные экситонные пики11H, 11L, 13H, 22H, 22L. Для 11H-экситона обнаружена сильная температурная зависимость, в то время как для остальных экситонов она не проявлялась. Это объясняется тем, что 11H-состояние экситона попадает в область запрещенных значений энергий для свободных носителей, в то время как остальные состояния являются резонансными и перекрываются со сплошным спектром. Найденная энергия температурной активации фотопроводимости 150± 30 мэВ существенно превышает энергию связи экситона и близка к глубине потенциальной ямы для электронов. Это показывает, что фоточувствительность обусловлена надбарьерным переносом носителей заряда, а туннельный перенос между ямами пренебрежимо мал.
Панов М.Ф., Пихтин А.Н. Экситонные эффекты в фотопроводимости квантово-размерных структур GaxIn1-xAs/InP // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 848

Предложена обобщенная модель возникновения видимой и инфракрасной электролюминесценции пористого кремния в контакте с окисляющим электролитом. Согласно модели, видимая электролюминесценция возникает благодаря биполярной инжекции электронов и дырок из электролита в электрически изолированные квантово-размерные микрокристаллиты кремния, в то время как инфракрасная электролюминесценция является следствием монополярной инжекции дырок из электролита в макрокристаллы. Предложен механизм инжекции электронов из электролита. Сделан вывод о том, что характер электролюминесценции не должен зависеть от величины и даже типа проводимости кремниевой подложки.
Горячев Д.Н., Сресели О.М., Беляков Л.В. Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 844