Проведены экспериментальные исследования и численное моделирование процесса двустороннего легирования пластины p-CdTe мелкими донорами при ее отжиге в парах кадмия. Установлен ряд особенностей этого процесса--- корреляция в полосах низкотемпературной фотолюминесценции между разгоранием линии экситона, связанного на доноре, и гашением акцепторной линии, присущих рекомбинации на примеси Iгруппы таблицы Д.И.Менделеева, находящейся в междоузлиях и узлах Cd соответственно; существенное влияние диффузии на профиль распределения доноров. Полученные результаты позволяют оптимизировать процесс отжига.
Бабенцов В.Н., Власенко З.К., Власенко А.И., Любченко А.В. Распределение мелкой донорной примеси в пластине p-CdTe приееотжиге в парах Cd // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 523

Экспериментально установлено, что при использовании концентрированного солнечного излучения увеличивается мощность элемента и уменьшается скорость радиационной деградации параметров. В неохлаждаемых элементах температура возрастает выше 100oC, а кпд падает.
Бакиров М.Я. Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов приповышенных освещенностях итемпературах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 520

Теоретически и экспериментально исследуются магнитополевая и температурная зависимости угла фарадеевского вращения в кубическом кристалле Cd1-xFexTe. Показано, что одновременный учет спин-орбитального и зеемановского взаимодействий без использования теории возмущений позволяет в едином подходе объяснить анизотропный характер указанных зависимостей в сильных магнитных полях.
Мельничук С.В., Мельничук О.С., Савчук А.И., Трифоненко Д.Н. Анизотропия угла фарадеевского вращениявFe-содержащем полумагнитном полупроводнике // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 517

Изучено влияние легирования марганцем в процессе выращивания на деградацию электрических и рекомбинационных параметров монокристалла кремния при gamma-облучении. Показано, что независимо от способа легирования наличие марганца приводит к уменьшению скорости накопления радиационных дефектов. Это объясняется образованием комплексов марганца, играющих роль центров непрямой аннигиляции радиационных дефектов.
Талипов Ф.М. Влияние марганца на радиационную деградацию электрических ирекомбинационных параметров монокристалла кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 515

Представлены результаты изучения изменений спектров поверхностных состояний на реальной (с тонкой пленкой окисла) поверхности германия при действии локального (10-100 мкм) импульсного (0.1-1 мкс) лазерного облучения с расчетным уровнем нагрева поверхности ~(20-40) K. Показано, что порогам пластических деформаций в приповерхностной области полупроводника (связанным с возникающими локальными термонапряжениями) соответствуют пороговые же изменения спектров оптического заряжения медленных поверхностных состояний диэлектрика, а пороговые изменения быстрых состояний при этом не наблюдаются. Обсуждается природа эффекта.
Винценц С.В., Дмитриев С.Г., Захаров Р.А., Плотников Г.С. Пороговое влияние локального импульсного лазерного облучения наповерхностные состояния окисного слоя нареальной поверхности германия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 513

Исследовалась кинетика установления тока через p-n-переход с микроплазмами после приложения к нему напряжения, меньшего порогового напряжения включения микроплазм в стационарных условиях. Наблюдалось кратковременное включение микроплазм и протекание тока, превышающего стационарное значение более чем на порядок. Предложено объяснение наблюдавшегося эффекта. Оно базируется на обнаруженном ранее сильном влиянии на лавинный ток неоднородного разогрева p-n-перехода.
Добровольский В.Н., Пальцев И.Е., Романов А.В. Кратковременное включение микроплазмпринапряжении ниже порогового // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 509

Изучено влияние ультразвуковой обработки на физико-химические, структурные и электрофизические свойства структур Pt, Cr, W/n-n+-GaAs. Показано, что ультразвуковая обработка приводит к пространственной и химической упорядоченности приконтактной области GaAs, что обусловливает уменьшение обратных токов диодных структур с барьером Шоттки. Обсуждается возможный механизм воздействия ультразвуковой обработки на структурную и химическую перестройку в контакте M/n-n+-GaAs.
Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В., Применко Л.Н., Прокопенко И.В., Громашевский В.Л. Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты иструктуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M= Pt, Cr, W) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 503

Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования временных зависимостей эффекта радиационного охлаждения, вызываемого импульсным полупроводниковым источником отрицательной межзонной люминесценции. Изучена кинетика охлаждения и последующая температурная релаксация пассивного элемента, зависящие от мощности и длительности импульса люминесценции. Показано, что использованный метод возбуждения люминесценции (магнитоконцентрационный эффект) дает возможность как радиационного охлаждения, так и нагревания пассивного элемента, что перспективно для практического применения. Результаты теоретического исследования качественно согласуются с экспериментальными данными. Максимальное охлаждение, достигнутое в эксперименте при комнатной температуре, равно 0.62 K.
Липтуга А.И., Малютенко В.К., Пипа В.И., Леваш Л.В. Радиационное охлаждение в условиях магнитоконцентрационного эффекта // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 498

Исследовано влияние отжига импульсным лазерным излучением с длинами волн0.69 и308 мкм на вольт-фарадные, вольт-сименсные характеристики и плотность поверхностных состояний границы раздела диэлектрик--(n,p)-GaAs в зависимости от плотности энергии излучения.
Возмилова Л.Н., Гаман В.И., Калыгина В.М., Панин А.В., Смирнова Т.П. Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик--арсенид галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 492

С использованием высокочувствительного метода нейтронно-активационного анализа проведено исследование примесного состава в пластинах арсенида галлия. Определен уровень содержания в них Se, Cr, Ag, Fe, Zn, Co и Sb, а также вариации содержания этих примесей для различных партий пластин. Показаны возможности использования нейтронно-активационного анализа в сочетании с послойным химическим травлением для изучения объемного распределения примесных элементов в полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия.
Дутов А.Г., Комар В.А., Ширяев С.В., Смахтин Л.А. Исследование примесного состава полупроводниковых структур наоснове арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 488